碳化硅（SiC）是比較新的半導(dǎo)體材料。一開(kāi)始，我們先來(lái)了解一下它的物理特性和特征。

SiC的物理特性和特征

SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導(dǎo)體材料。其結(jié)合力非常強(qiáng)，在熱、化學(xué)、機(jī)械方面都非常穩(wěn)定。SiC存在各種多型體（多晶型體），它們的物理特性值各有不同。4H-SiC最適用于功率元器件。下表為Si和近幾年經(jīng)常聽(tīng)到的半導(dǎo)體材料的比較。

3英寸4H-SiC晶圓

表中黃色高亮部分是Si與SiC的比較。藍(lán)色部分是用于功率元器件時(shí)的重要參數(shù)。如數(shù)值所示，SiC的這些參數(shù)頗具優(yōu)勢(shì)。另外，與其他新材料不同，它的一大特征是元器件制造所需的p型、n型控制范圍很廣，這點(diǎn)與Si相同。基于這些優(yōu)勢(shì)，SiC作為超越Si限制的功率元器件用材料備受期待。

Si和C是1對(duì)1的比例結(jié)合的Ⅳ-Ⅳ族化合物半導(dǎo)體

以Si和C的原子對(duì)為單元層的最密堆積構(gòu)造

存在各種多型體，且4H-SiC最適用于功率元器件

結(jié)合力非常強(qiáng)?熱、化學(xué)、機(jī)械方面穩(wěn)定

熱穩(wěn)定性 ：常壓狀態(tài)下無(wú)液層，2000℃升華

機(jī)械穩(wěn)定性：莫氏硬度（9.3），可以媲美鉆石（10）

化學(xué)穩(wěn)定性 ：對(duì)大部分酸和堿具有惰性

SiC功率元器件的特征

SiC比Si的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)高約10倍，可耐600V～數(shù)千V的高壓。此時(shí)，與Si元器件相比,可提高雜質(zhì)濃度，且可使膜厚的漂移層變薄。高耐壓功率元器件的電阻成分大多是漂移層的電阻，阻值與漂移層的厚度成比例增加。因?yàn)镾iC的漂移層可以變薄，所以可制作單位面積的導(dǎo)通電阻非常低的高耐壓元器件。理論上,只要耐壓相同，與Si相比,SiC的單位面積漂移層電阻可低至1/300。

Si 功率元器件為改善高耐壓化產(chǎn)生的導(dǎo)通電阻増大問(wèn)題，主要使用IGBT（絕緣柵極雙極晶體管）等少數(shù)載流子元器件（雙極元器件）。但因?yàn)殚_(kāi)關(guān)損耗大而具有發(fā)熱問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)高頻驅(qū)動(dòng)存在界限。由于SiC能使肖特基勢(shì)壘二極管和MOSFET等高速多數(shù)載流子元器件的耐壓更高，因此能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn) “高耐壓”、“低導(dǎo)通電阻”、“高速”。

此時(shí)，帶隙是Si的約3倍，能夠在更高溫度下工作。現(xiàn)在，受封裝耐熱性的制約可保證150℃～175℃的工作溫度，但隨著封裝技術(shù)的發(fā)展將能達(dá)到200℃以上。

以上簡(jiǎn)略介紹了一些要點(diǎn),對(duì)于沒(méi)有物理特性和工藝基礎(chǔ)的人來(lái)說(shuō)可能有些難，但請(qǐng)放心,即使不理解上述內(nèi)容也能使用SiC功率元器件。

審核編輯黃宇