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實(shí)現(xiàn)工業(yè)設(shè)備的輔助電源應(yīng)用要求的高耐壓與低損耗

李春梅 ? 來源:羅姆 ? 作者:羅姆 ? 2023-02-13 09:30 ? 次閱讀

ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”,是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備1700V高耐壓,還是充分發(fā)揮SiC的特性使導(dǎo)通電阻大幅降低的MOSFET。此外,與SiC-MOSFET用的反激式轉(zhuǎn)換器控制IC組合,還可大幅改善效率。ROHM不僅開發(fā)最尖端的功率元器件,還促進(jìn)充分發(fā)揮其性能的控制元器件的開發(fā)。

工業(yè)設(shè)備輔助電源的課題是減少發(fā)熱

變頻器等高電壓工業(yè)設(shè)備,不僅具備驅(qū)動電機(jī)等的主電源,還同時(shí)具備控制器和其他系統(tǒng)驅(qū)動用的輔助電源。尤其是在工業(yè)設(shè)備中使用時(shí),輸入電壓高,輔助電源中廣泛使用耐壓1000V以上的Si-MOSFET。

然而,超過1000V的高耐壓Si-MOSFET的導(dǎo)通電阻大,必須處理導(dǎo)通損耗帶來的發(fā)熱問題。

SCT2H12NZ就是為解決這類工業(yè)設(shè)備輔助電源的課題而開發(fā)的。

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導(dǎo)通電阻降低到Si-MOSFET的1/8

這是與工業(yè)設(shè)備輔助電源中廣泛使用的1500V耐壓Si-MOSFET的比較例。SiC-MOSFET的SCT2H12NZ的耐壓更高,達(dá)1700V,導(dǎo)通電阻僅為Si-MOSFET(9Ω)的1/8(1.15Ω)。由此,可大幅降低損耗、即可大幅減少發(fā)熱,有些條件下還可實(shí)現(xiàn)散熱器的小型化。

此外,封裝采用TO-3PFM,可確保工業(yè)設(shè)備要求的絕緣相應(yīng)的爬電距離。同樣確保所需爬電距離的表面貼裝型TO-268-2L封裝產(chǎn)品也正在開發(fā)中。通過采用表面貼裝型封裝,可使用自動安裝設(shè)備進(jìn)行組裝。

以下是此次開發(fā)的產(chǎn)品陣容。

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pYYBAGPbjm2AIiReAABPGnAEY-g702.gif

table th{ padding: 8px 3px 7px 10px; border:1px solid #999; padding:5px 0 5px 5px; text-align: center; background-color:#f5f5f5; vertical-align:middle; } table td{ padding:8px 8px 7px 8px; border:1px solid #999; text-align: left; text-align: center; vertical-align:middle; }

1700V SiC-MOSFET產(chǎn)品陣容

品名 封裝 極性 VDSS ID PD
(Tc=25℃)
RDS(ON)
VGS=18V
Qg
VGS=18V
SCT2H12NZ TO-3PFM Nch 1700V 3.7A 35W 1.15Ω
(Typ.)
14nC
(Typ.)
☆SCT2H12NY TO-268-2L 4A 44W
☆SCT2750NY 5.9A 57W 0.75Ω
(Typ.)
17nC
(Typ.)

☆:開發(fā)中

SCT2H12NZ:1700V高耐壓SiC-MOSFET

重點(diǎn)必看

pYYBAGPbjm-AVtyYAAArjqTs6NI924.jpg

與SiC用AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC組合,效率顯著提高

審核編輯黃宇

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