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電阻膜腐蝕導(dǎo)致電阻發(fā)生不良的失效分析

新陽(yáng)檢測(cè)中心 ? 來(lái)源:新陽(yáng)檢測(cè)中心 ? 作者:新陽(yáng)檢測(cè)中心 ? 2023-02-20 15:37 ? 次閱讀

引 言

電阻失效發(fā)生的機(jī)理是多方面的,環(huán)境或工作條件若發(fā)生變化都有可能造成電阻的失效。其中,因外部水汽或其它腐蝕性氣體等造成電阻膜腐蝕,進(jìn)而導(dǎo)致電阻開(kāi)路或阻值變大的失效情景時(shí)有發(fā)生。本文依據(jù)此,進(jìn)行案例分享。

案例分享

1.貼片電阻因電阻膜腐蝕失效案例

貼片電阻(SMD Resistor)又名片式固定電阻器(Chip Fixed Resistor) ,是金屬玻璃釉電阻器中的一種。

以下是貼片電阻中因電阻膜腐蝕造成的不良解析過(guò)程:

阻值測(cè)試

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不良品電阻阻值

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良品電阻阻值

說(shuō)明: 對(duì)樣品電阻的阻值進(jìn)行測(cè)試,其中不良品電阻阻值為∞,良品電阻阻值為0.499MΩ。

SEM分析

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說(shuō)明: 對(duì)樣品電阻進(jìn)行SEM分析,電阻本體表面有孔隙、凹坑。

開(kāi)封后金相分析

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說(shuō)明: 對(duì)電阻脫膜后進(jìn)行金相分析,電阻膜缺損。

EDS分析

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說(shuō)明: 電阻膜進(jìn)行EDS檢測(cè),電阻膜損傷位置K元素含量約占1.3%。

分析結(jié)果:通過(guò)阻值測(cè)試、SEM分析、脫膜后金相分析、EDS檢測(cè),判斷引起電阻失效的原因:

1.電阻本體表面有孔隙、凹坑;

2.電阻脫膜后,檢出電阻膜有缺損;

3.電阻脫膜后EDS檢測(cè)電阻膜損傷位置發(fā)現(xiàn)K元素,K元素約占1.3%;

2.色環(huán)電阻因電阻膜腐蝕失效案例

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色環(huán)電阻是在電阻封裝上(即電阻表面)涂上一定顏色的色環(huán),來(lái)代表這個(gè)電阻的阻值。色環(huán)實(shí)際上是早期為了幫助人們分辨不同阻值而設(shè)定的標(biāo)準(zhǔn)。

以下是色環(huán)電阻中因電阻膜腐蝕造成的不良解析過(guò)程:

外觀檢測(cè)

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說(shuō)明: 對(duì)樣品進(jìn)行外觀檢測(cè),電阻電極位置有破損的現(xiàn)象。

阻值測(cè)試

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說(shuō)明: 對(duì)不良電阻進(jìn)行阻值檢測(cè),測(cè)試結(jié)果均顯示超規(guī)格。

開(kāi)封后金相分析

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說(shuō)明: 對(duì)樣品進(jìn)行脫膜后金相顯微鏡檢測(cè),發(fā)現(xiàn)電阻膜存在缺損。

SEM分析

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左右滑動(dòng)查看放大圖示

說(shuō)明: 對(duì)樣品進(jìn)行SEM檢測(cè),發(fā)現(xiàn)電阻膜存在損傷。

EDS分析

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說(shuō)明:損傷位置Cr占0.54%,Ni占0.8%,K元素,占0.03%

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說(shuō)明:未損傷位置,Cr占1.47%,Ni占1.58%

分析結(jié)果:

通過(guò)外觀、阻值、SEM、EDS等檢測(cè),判斷引起電阻失效的原因:

① 未發(fā)現(xiàn)電阻內(nèi)部有明顯的異常;

② 電阻膜有缺損,導(dǎo)致電阻值大或開(kāi)路失效;

③ 電阻膜有損傷,且損傷位置發(fā)現(xiàn)O元素含量較高,還有部分K元素(K離子極易溶入水中,容易造成電阻膜電解);

失效機(jī)理

電阻膜腐蝕造成電阻失效的發(fā)生機(jī)理為:外部水汽通過(guò)表面樹(shù)脂保護(hù)層浸入到電阻膜層,在內(nèi)部電場(chǎng)作用下,發(fā)生水解反應(yīng)。電阻膜表面殘留的K離子、Na離子極易溶于水,加速了電阻膜的水解反應(yīng),致使電阻膜腐蝕失效。

基于此,為了減少這種失效情況的發(fā)生,我們建議從以下兩個(gè)方面入手:

一是從工藝入手,增加三防工藝,避免水汽侵蝕;

二是從選材切入,選用高可靠性的電阻材料。

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新陽(yáng)檢測(cè)中心有話說(shuō):

本篇文章介紹了電阻膜腐蝕造成電阻失效的案例,部分資料來(lái)源于網(wǎng)絡(luò),侵權(quán)刪。如需轉(zhuǎn)載本篇文章,后臺(tái)私信獲取授權(quán)即可。若未經(jīng)授權(quán)轉(zhuǎn)載,我們將依法維護(hù)法定權(quán)利。原創(chuàng)不易,感謝支持!

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審核編輯黃宇

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