接下來就具體的元器件配置進(jìn)行介紹。本次介紹以下項(xiàng)目中的第三項(xiàng)“輸入電容器和二極管的配置”。
降壓型轉(zhuǎn)換器工作時的電流路徑
開關(guān)節(jié)點(diǎn)的振鈴
輸入電容器和二極管的配置
散熱孔的配置
電感的配置
輸出電容器的配置
反饋路徑的布線
接地
銅箔的電阻和電感
噪聲對策:拐角布線、傳導(dǎo)噪聲、輻射噪聲
噪聲對策:緩沖電路、自舉電阻、柵極電阻
輸入電容器和二極管的配置
接下來介紹的PCB板布局將以介紹電流路徑時使用的右側(cè)電路為基礎(chǔ)。請回憶本電路的同時看PCB板布局圖。
首先,配置最重要的元器件——輸入電容器和二極管。
本章的最開始的“DC/DC轉(zhuǎn)換器的PCB板布局概述”中的“PCB 布局的要點(diǎn)” 中提到
“將輸入電容器和二極管在與IC引腳相同的面,盡可能地配置在IC最近處”。這顯然是非常重要的要點(diǎn),所以請務(wù)必記住。
輸入電容器在電流電容較小的電源(IO≤1A)時,電容值也變小,因此有時1個陶瓷電容器即可同時充當(dāng)CIN和CBYPASS。這是因?yàn)樘沾呻娙萜麟S著電容值變小,其頻率特性變好。但是,不同陶瓷電容器的頻率特性不同,因此需要確認(rèn)實(shí)際使用產(chǎn)品的頻率特性。
CIN所用的大容值電容器,如以下所示,一般特別頻率特性較差,因此,需要與CIN并聯(lián)配置頻率特性優(yōu)異的高頻用去耦電容器CBYPASS。
CBYPASS請使用表面貼裝型的疊層陶瓷電容器。
Figure 2. 陶瓷電容器的頻率特性
接下來,通過實(shí)際的布局來介紹好的例子和不好的例子。
Figure 3-a表示理想的輸入電容器布局例。CBYPASS配置于與IC引腳相同面的最近處。
Figure 3-a. 理想的輸入電容器配置
CBYPASS供給大部分脈沖狀的電流,因此大容量電容器CIN如Figure 3-b所示,離開2cm左右也沒問題,但請遵循前面提到的“盡可能地接近IC”。
Figure 3-b. CBYPASS配置于與IC相同面的最近處時,CIN距離2cm左右也沒問題與之相對, Figure 3-b為妥協(xié)的例子。
因空間原因無法在IC相同面配置CIN時,以正確配置了CBYPASS為前提,可如Figure3-c所示,借助導(dǎo)通孔配置于背面。
但是,此時,可能能夠回避噪聲相關(guān)風(fēng)險,但因?qū)纂娮璧挠绊?,在大電流時紋波電壓可能會増加,因此需要進(jìn)行實(shí)際確認(rèn)。
Figure 3-c. 將CIN配置于背面時擔(dān)心紋波電壓増加
下面的Figure 3-d為CBYPASS和CIN配置于背面的布局。
本布局受導(dǎo)通孔的電感成分影響,電壓噪聲増加,因此絕對不可進(jìn)行這樣的布局。
Figure 3-d. 不可進(jìn)行的輸入電容器配置,受導(dǎo)通孔電感影響噪聲増加
Figure 3-e 為CBYPASS、CIN及二極管D1的理想布局。
CBYPASS配置于IC的VIN引腳及GND引腳最近處是非常重要的。
但是,降壓型轉(zhuǎn)換器時,即使將CBYPASS配置于IC的最近處,CIN的接地也存在數(shù)百M(fèi)Hz的高頻。因此,建議CIN的接地和輸出電容器CO的接地離開1cm~2cm進(jìn)行配置。
Figure 3-e. 理想的續(xù)流二極管的配置
二極管D1也配置于與IC引腳同面的最近處。二極管使用最短且較寬的布線,需要直接連接于IC的開關(guān)引腳和GND引腳。
借助導(dǎo)通孔配置于背面時,受導(dǎo)通孔電感的影響,噪聲將增加,因此絕對不可借助導(dǎo)通孔。
Figure 3-f是不好的二極管布局示例。
CBYPASS、IC的VIN引腳及GND引腳的距離較遠(yuǎn),因此受布線電感的影響產(chǎn)生電壓噪聲/振鈴。
二極管、IC的開關(guān)引腳和GND引腳和的距離較遠(yuǎn),因此布線電感増加,尖峰噪聲變大。
Figure 3-f. 不好的二極管布局
CBYPASS的配置不當(dāng),即未接近配置時,受布線長度或?qū)子绊懠纳姼性黾?。從而隨著開關(guān)而產(chǎn)生較大振鈴。
此外,到輸入電容器的環(huán)路成為天線,噪聲輻射到周邊。
下面的波形是CBYPASS離開2mm時和10mm時的波形。可見振鈴明顯變大。
前面的說明中也略有提到,這是因?yàn)椴季值挠绊懛浅V苯拥仫@示出來的結(jié)果。在實(shí)際的布局工作中,可能有時不得不妥協(xié)。但是,請盡量將妥協(xié)部分控制在最低限度,爭取達(dá)到理想布局。
審核編輯:湯梓紅
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