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Rambus利用RCD技術實現6.4GT/s DDR5!

SSDFans ? 來源:SSDFans ? 2023-02-23 09:29 ? 次閱讀

Rambus宣布推出最新的RCD(registeringclock driver)芯片,傳輸速度可達6400 MT/s,標志著DDR5內存性能的飛躍。隨著CPU頻率和核心數量的增加,如果內存性能跟不上CPU的性能,就會迅速成為系統瓶頸,Rambus希望通過RCD來解決這個問題。

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內存帶寬大小在現代計算中非常重要,在數據中心等應用場景下尤為如此。在不久的將來,DDR5內存將提供比DDR4更大的改進,同時可以長期提高內存的理論最大性能。RCD在服務器級內存性能中起著至關重要的作用,使其成為DDR5發展過程中的一個重要里程碑。

為了更深入地了解最新RCD提供的具體益處,本文采訪了Rambus數據中心產品工程副總裁John Eble,以了解這項技術對DDR5 DRAM系統設計的重要性。

我們需要一個更大的DIMM

隨著人們對AI/ML和HPC應用興趣的不斷增加,數據中心現在比以往任何時候都更渴望高性能內存。用于計算機內存的DDR4標準正在接近其最大理論傳輸速度。因此,需要DDR5來實現內存的持續可擴展性。

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考慮到CPU市場的趨勢是指向更高數量的內核,而不是單純提高時鐘頻率,因為后者會降低電源效率。特別是對于HPC應用而言,高性能RAM是確保最大計算效率的必要條件。

“隨著核心數量的增加,整個芯片不僅需要更大的帶寬,還需要更大的容量。因為每個核心所需的帶寬和容量要么是平穩增長,要么是緩慢增長,而且核心數量也會增加。”

在服務器級應用中,需要在所有操作條件下保持一致的內存性能,這就是RCD可以提供明顯優勢的地方。RCD充當CPU和內存模塊之間的中介,有助于確保在不同溫度和計算負載下保持內存速度。

DDR5速度的持續創新

Rambus最新的RCD實際上是他們的第三代RCD芯片,比Gen1 DDR5設備性能提高了33%。除了6.4 GT/s的驚人內存速度外,RCD電壓僅需1.1 V,有助于提高數據中心應用中的電源效率和熱性能。更多信息可參閱DDR5 RCD 6400 MT/s產品簡介。

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6400 MT/s RCD可與Rambus的其他DDR5芯片(包括串行存在檢測(SPD)集線器和溫度傳感器)一起使用,以實現“更智能”的內存。當討論包含Rambus硬件的DDR5 DIMM時,Eble表示:“有了集線器和熱傳感器,底板管理控制器(BMC)或CPU可以讀取溫度,并根據溫度做出改變風扇速度、節流或提高刷新率等決定。”

更好,更快,更有效的內存

縱觀HPC的最新進展時,很容易被處理器的計算能力所吸引,而忽略了內存的影響。然而,內存性能會迅速削弱最強大處理器的速度,并最終使系統性能低于標準。正是出于這個原因,Eble相信DDR5內存將成為全球數據中心不可或缺的一部分。

用汽車工業來為例,內存和CPU的設計必須緊密結合在一起,Eble表示“最好提前幾年進行規劃”。

“這就像我們制造的部件是汽車發動機的核心部件一樣,內存與CPU緊密耦合。如果制作PCIe卡、CXL卡或SSD,那么可以進行更多的獨立工作,因為后面可以制作插件。但要讓CPU真正發揮作用,它需要與內存緊密合作。”

通常情況下,內存模塊的整體性能取決于各種因素,所以僅通過Rambus RCD并不能保證6.4 GT/s的性能。然而,Rambus的持續創新使DIMM制造商看到了能夠穩步提高其產品性能的希望。

審核編輯 :李倩

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原文標題:Rambus利用RCD技術實現6.4GT/s DDR5!

文章出處:【微信號:SSDFans,微信公眾號:SSDFans】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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