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SiC開發(fā)板主要電路分析以及SiC Mosfet開關(guān)速率測(cè)試

李平 ? 來源:lining870815844 ? 作者:lining870815844 ? 2023-02-27 10:27 ? 次閱讀
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這篇文章來源于電子發(fā)燒友網(wǎng) 網(wǎng)友李**

羅姆這回提供的電路非常豐富,按由主及次的評(píng)測(cè)思路,我們需要對(duì)電路結(jié)構(gòu)有所了解才能合理設(shè)計(jì)電路實(shí)驗(yàn),特整理了電路分析的內(nèi)容。

整個(gè)評(píng)估板提供的主要電路如下,圖中電路主要意思是這樣,評(píng)估板提供了由兩個(gè)SiC Mosfet管組成上下橋臂電路,整個(gè)評(píng)估板提供了一個(gè)半橋電路,可以支持Buck,Boost和半橋開關(guān)電路的拓?fù)洹?/p>

SiC Mosfet的驅(qū)動(dòng)電路主要有BM6101為主的芯片搭建而成,上下橋臂各有一塊電路,同時(shí)上下橋臂還是用了以BD7F200組成的反擊式開關(guān)電源為為驅(qū)動(dòng)電路提供電源,評(píng)估用戶只需要給BM6101驅(qū)動(dòng)電路提供控制電平再通過外部拓?fù)浯罱ň涂梢詫?shí)現(xiàn)各種小型電源的拓?fù)鋵?shí)現(xiàn)。

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圖1 評(píng)估板主要電路

接下來就需要仔細(xì)查看下反激式開關(guān)電源電路的設(shè)計(jì),其電路結(jié)構(gòu)如下,

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以上橋臂為例,BD7F200EF是開關(guān)電源的控制芯片,控制電壓Vcc為12V,輸入電壓是Vcc通過變壓器TX1的結(jié)構(gòu)構(gòu)成反激式開關(guān)電源,變壓器次級(jí)有兩個(gè)線圈,在這個(gè)電路中主要用于調(diào)節(jié)電壓輸出,簡(jiǎn)要介紹電路提供的手動(dòng)可調(diào)節(jié)器件有如下:

JP51:這是一個(gè)接插件,將其短接1腳VEE輸出0V,短接至2腳輸出-2V;

RV51:這是一個(gè)可調(diào)電阻,可以調(diào)節(jié)輸出電壓Vcc2,S-19700A00A是一個(gè)線性電源芯片,1腳的輸入電壓親測(cè)為23.1V,默認(rèn)JP51是置于1腳,VCC輸出18.5V。

下橋臂電路也是一樣的原理,測(cè)得變壓輸出23.1V,輸出18.5V電壓

驅(qū)動(dòng)電路的前端會(huì)進(jìn)行邏輯電平的轉(zhuǎn)換,我是用一塊開發(fā)板輸出3.3V,2KHz開關(guān)頻率,通過評(píng)估板的邏輯電平轉(zhuǎn)換為5V的電平,這樣既可以共BM6101電路使用,BM6101是一款電流隔離芯片,通過它進(jìn)行兩級(jí)驅(qū)動(dòng)Mosfet管。而驅(qū)動(dòng)的電壓就是通過開關(guān)電源調(diào)整得到的電壓,驅(qū)動(dòng)電路還如下圖黃框區(qū)提供了死區(qū)調(diào)整的電阻網(wǎng)絡(luò)。

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利用示波器在在這時(shí)對(duì)柵極源極電壓,以及源漏電壓進(jìn)行采集,由于使用的非隔離示波器,就在單管上進(jìn)行了對(duì)兩個(gè)波形進(jìn)行了記錄:

綠色:柵極源極間電壓;

黃色:源極漏極間電壓;

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由于Mosfet使用的SiC材料,通過分析以上兩者電壓的導(dǎo)通時(shí)間可以判斷出這是一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料,示波器的采樣率達(dá)到4GSa/S,在這種情況下測(cè)試,源極和漏極動(dòng)作時(shí)間在nS級(jí)以內(nèi),所以在元器件材料這個(gè)地方就支撐了500KHz的開關(guān)頻率。

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審核編輯:湯梓紅

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