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意法半導體ST-ONEMP數(shù)字控制器簡化高能效雙端口USB-PD適配器設(shè)計

意法半導體工業(yè)電子 ? 來源:意法半導體PDSA ? 2023-03-02 09:35 ? 次閱讀

意法半導體的高集成度、高能效ST-ONE系列USB供電(USB-PD)數(shù)字控制器新增一個支持雙充電口的ST-ONEMP芯片。

ST-ONEMP數(shù)字控制器基于市場首個ST-ONE架構(gòu),在一個封裝內(nèi)集成ArmCortex-M0+ 微控制器、高能效非互補有源鉗位反激式控制器和USB-PD3.1接口。ST-ONE 架構(gòu)的初級側(cè)和次級側(cè)電路之間電流隔離,極大地簡化了USB-PD電源適配器的設(shè)計和組裝。 現(xiàn)在,通過增加電能共享支持功能,最新的ST-ONEMP簡化了在USB-PD輸出外再增加一個輸出的雙充電口設(shè)計,提高終端用戶的充電靈活性和便利性。 在ST-ONEMP內(nèi)部,Cortex-M0+ MCU微控制器位于充電器次級側(cè),片上64KB閃存用于保存定制USB-PD協(xié)議和電源轉(zhuǎn)換固件。微控制器預裝USB-PD3.1 PPS 認證固件,準許開發(fā)者為標準應用提供總包方案。MCU 控制同步整流器和反激式轉(zhuǎn)換器,并針對零電壓開關(guān)非互補有源鉗位拓撲優(yōu)化了微控制器,因為在高功率時,零電壓開關(guān)非互補有源鉗位能效高于傳統(tǒng)準諧振反激式變換拓撲。

ST-ONEMP與意法半導體的MasterGaN功率技術(shù)配套使用。MasterGaN技術(shù)包含意法半導體的集成柵極驅(qū)動器的氮化鎵(GaN)寬帶隙功率晶體管。意法半導體GaN技術(shù)的開關(guān)頻率比傳統(tǒng)硅 MOSFET更高,使適配器能夠提供更高的功率密度和符合最新生態(tài)設(shè)計規(guī)范的高能效。

意法半導體用 ST-ONEMP 和MASTERGAN4開發(fā)了EVLONEMP 65W + 10W AC/DC適配器參考設(shè)計,適配器的重量和體積與20W單端口智能手機充電器相當。峰值能效為 94%,比同類傳統(tǒng)雙口適配器高 2%,而 PCB 面積僅為傳統(tǒng)適配器的四分之一。因此,原始設(shè)備制造商可以縮減外殼尺寸,節(jié)省能源,減少塑料使用,提供更環(huán)保的產(chǎn)品。

審核編輯:湯梓紅

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