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一般RF器件的鄰道漏電比推導

星星科技指導員 ? 來源:ADI ? 作者:ADI ? 2023-03-08 10:24 ? 次閱讀

任何通用RF器件(無論是混頻器、放大器、隔離器還是其他器件)的鄰道漏電比(ACLR)通常由器件的三階交調(diào)失真(IM3)決定。可以推導出器件的IM3性能與輸出交調(diào)截點(OIP3)參數(shù)之間的關系。以下段落中推導出了預測 ACLR 性能作為此 IM3 性能參數(shù)函數(shù)的公式。

ACLR/IMD模型

查看RF器件中ACLR劣化源的一種便捷方法是將寬帶載波頻譜建模為單個CW子載波的集合。這些子載波中的每一個都將承載總載流子功率的一小部分。下圖說明了此類模型。在這種情況下,連續(xù)RF載波由四個單獨的CW子載波建模,每個子載波的功率是總寬帶載波的四分之一。子載波在載波帶寬上以相等的間隔分布。

poYBAGQCsQ-AMukQAAAnGxZTi_o213.png

圖1.寬帶載波信號的子載波模型。

圖1中的綠線從左到右稱為子載波1、2、3和4。如果我們只看左邊的兩個子載波(1和2),我們可以考慮RF設備中的任何IMD3失真導致的三階IMD產(chǎn)品。這種三階失真將表現(xiàn)為兩個子載波本身兩側(cè)的低電平子載波。兩個“綠色”子載波左側(cè)的第一個“紅色”失真產(chǎn)物是這兩個子載波的IMD3失真的結(jié)果。

來自子載波 3 和 1 的 IMD3 分量具有與載波 3 相同頻率間隔的 IMD1 失真產(chǎn)物。這將在載波頻譜的左側(cè)生成第二個“紅色”IM產(chǎn)物。同樣,來自子載波 3 和 1 的 IMD4 會在遠離載波邊緣的地方產(chǎn)生失真產(chǎn)物。

值得注意的是,這里還有其他IMD產(chǎn)品。子載波 2 和 4 產(chǎn)生 IM3 產(chǎn)品,這些產(chǎn)品直接落在子載波 1 和 2 的 IMD 產(chǎn)品之上。這種求和效應迫使靠近RF載波邊緣的IMD產(chǎn)品比遠離RF載波邊緣的IMD產(chǎn)品幅度更高,從而產(chǎn)生出現(xiàn)在ACLR失真頻譜中的特征“肩膀”。Leffel1的一篇論文詳細介紹了來自多個子運營商的IMD產(chǎn)品的總和。

這種方法可以量化,以預測單個IMD3失真產(chǎn)品的實際水平。還可以通過增加模型中使用的單個子載波的數(shù)量來擴展模型,這有助于提高其精度。 多個寬帶載波的 ACLR 性能看起來很像此模型中的 ACLR,其中每個單獨的寬帶載波只占總寬帶載波帶寬的一小部分。與連續(xù)寬帶載波集合中的最后一個載波相鄰的載波的ACLR位于IMD3引起的失真響應的高肩上。這導致多載波箱的ACLR比單載波系統(tǒng)的ACLR差得多。同樣,這種效應可以量化并用于準確預測單個或多個寬帶載波的ACLR性能。這種基本方法用于僅根據(jù)OIP3規(guī)范預測ACLR性能RF器件。

基本關系

器件的三階互調(diào)產(chǎn)物與該器件的三階交調(diào)截點的關系如下:

IMD3 = (3 × Pm) ? (2 × OIP3)

其中:

Pm = 雙音測試用例中每音功率

IMD3 = 三階 IM3,單位:dBm,絕對功率

OIP3 = 三階交調(diào)截點,絕對功率

為方便起見,此公式可以重寫為相對IMD3,即相對于功率電平(P)的IM3性能。

IMD3 = 2 × (Pm? OIP3)

其中:

Pm = 雙音測試用例中每音功率

IMD3 = 三階 IM3,單位:dBc,相對功率

OIP3 = 三階交調(diào)截點,絕對功率

例 1

考慮總輸出功率(Ptot)為+30dBm,OIP3為+45dBm的PA。這種PA的相對IMD3可以通過使用上述公式得出。但是,IM3測試用例中兩個音調(diào)中每個音調(diào)的輸出功率將比PA的總輸出功率低3dB,或每個音調(diào)+27dBm。因此,我們使用這些值來計算此 PA 的 IMD3:

功率放大器的 Ptot = +30dBm

pm = (+30dBm ? 3dB) = +27dBm 每音

OIP3 = +45dBm

IMD3 = 2 × (27 ? 45) = ?36dBc

ACLR 與 IMD3 的關系

寬帶載波的ACLR可以通過校正因子與雙音IMD3性能相關。此校正是由于 ACLR 性能因 IMD3 性能而降低。這種退化本身是由于擴頻載波的頻譜密度形成的各種互調(diào)產(chǎn)物的影響。ACLR 與 IMD3 的有用關系如下:

ACLRn = IMD3 + Cn

其中 Cn來自下表:

No. of Carriers 1 2 3 4 9
校正 Cn (dB) +3 +9 +11 +12 +13

現(xiàn)在,我們可以將IMD3和ACLRn的上述關系組合成一個統(tǒng)一的表達式,從RF器件的基本性能參數(shù)中得出多個擴頻載波的ACLR。

ACLRn = (2 × [(P ? 3) ? (OIP3)]) + (Cn)

其中:

Ptot = 所有載波的總輸出功率,單位為 dBm

OIP3 = 器件的 OIP3,單位為分貝

ACLRn = “n”載流子的 ACLR,單位為 dBc

Cn = 上表中的值

例 2

讓我們重復我們的數(shù)字示例,現(xiàn)在假設功率放大器必須產(chǎn)生四個載波,每個載波250mW,總輸出功率為1W。

每個載波的P = +24dBm

共 Ptot = +30dBm 總分貝

OIP3 = +45dBm

ACLRn = 2 × ((30 ? 3) ? (45)) + 12

ACLRn = ?36dBc + 12dB

ACLRn = ?24dBc

可以重新排列公式以推導出所需ACLR的OIP3要求。然后,重寫的公式將如下所示:

OIP3 = 0.5 × ([2 × (P ? 3)] ? [ACLRn] + [Cn])

其中:

P = 所有載波的總輸出功率,單位:dBm

OIP3 = 器件的 OIP3,單位為分貝

ACLRn = “n”載流子的 ACLR,單位為 dBc

Cn = 上表中的值

例 3

讓我們重復我們的例子,現(xiàn)在該功率放大器的四載波ACLR目標為?50dBc。

每個載波的P = +24dBm

共 Ptot = +30dBm 總分貝

ACLRn = ?50dBc

OIP3 = 0.5 × ([2 × (30 ? 3)] ? [?45] + [12])

OIP3 = +55.5dBm

結(jié)論

載波功率電平、OIP3 規(guī)格和單/多載波 ACLR 性能之間的關系已針對通用射頻器件推導出來。這種關系適用于性能由三階失真積主導的RF器件。這包括許多常見的RF設備,當驅(qū)動時不要太接近其飽和水平時。據(jù)觀察,該模型的ACLR預測精度約為±3dB。

審核編輯:郭婷

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