可見光激光器的應用是十分廣泛的，甚至有人說可見激光是比LED更棒的光源。但是其發展的主要困難是如何選擇合適的有源層、限制層材料以及對應的生長工藝。

我們知道He-Ne激光器632.8nm的激光器用途很廣泛。氦氖激光器是以中性原子氣體氦和氖作為工作物質的氣體激光器。以連續激勵方式輸出連續激光。在可見光和近紅外區主要有0.6328微米、3.39微米和1.15微米三條譜線，其中0.6328微米的紅光最常用。氦氖激光器的輸出功率一般為幾毫瓦到幾百毫瓦。氦氖激光器已經被人們應用得非常普遍。但氦氖激光器又存在一定的缺點，激光器的效率較低，功率也不夠大。所以在激光外科手術、鉆孔、切割、焊接等這些行業中，人們現在大多換成采用 CO2激光器、脈沖激光器或者是半導體激光器等大功率激光器。因為氦氖激光器具有工作性質穩定、使用壽命比較長的特點，因而現在對于氦氖激光器在流速和流量測量方面得到了更加普遍的開發和利用，同時在精密計量方面的應用也非常廣泛。

在GaAlAs/GaAs材料系統里面，改變AlAs的組分，直接帶隙可以做到1.42~1.88eV，對應波長0.87~0.65um。但是隨著AlAs含量的增加，直接帶隙導帶底相對于間接帶隙導帶底上升的速度快，注入間接帶到能谷中的電子相對比例增大。當AlAs含量~0.37時，直接帶隙和間接帶隙寬度相同，隨著波長變短，閾值電流密度明顯增加。同時Al的分凝系數較大，很難用液相外延技術生出含Al高而結晶質量好的外延層。

一般4層的外延結構：GaAs襯底，限制層、有源層、限制層和GaAs頂層。由于各層的晶格常數和熱膨脹系數不同，會產生失配應力和熱應力。

常見的AlGaInP四元化合物，理論上波長可以到580nm-680nm。同時他可以在二元GaAs化合物上晶格匹配的生長。因此被認為是制備波長＜700nm較為合適的材料。