該設(shè)計(jì)思路顯示了電壓檢測器MAX8211和電荷泵反相器MAX680，它們構(gòu)成負(fù)載斷開開關(guān)。該負(fù)載檢測開關(guān)僅使用8μA電流，并停止電池放電，以保護(hù)可充電電池免受深度放電。

深度放電會(huì)損壞可充電電池。圖1電路通過斷開電池與其負(fù)載的連接，在預(yù)定的端電壓下降水平下停止電池放電。晶體管Q1充當(dāng)開關(guān)。當(dāng)開關(guān)閉合時(shí)，整個(gè)電路吸收約500μA電流，當(dāng)開關(guān)開路時(shí)，整個(gè)電路吸收約8μA電流。

選擇電壓上限和下限閾值VU和 VL允許您設(shè)置 R1、R2 和 R3 的值：

R1 = R2 × [（VL/1.15） - 1]
R3 = 1.15 × R1/（VU， wL)

要啟動(dòng)電路，電池電壓（V+）必須超過VU.然后，微功率電壓檢測器IC1為IC2供電，但僅在V+保持在V以上時(shí)L.否則，IC2斷電會(huì)使柵極驅(qū)動(dòng)從Q1中移除，將其關(guān)閉。如圖所示，當(dāng)V+達(dá)到V時(shí)，電路將3節(jié)鎳鎘電池與其負(fù)載斷開L3.1V。大約 0.5V 的遲滯可防止開關(guān)在負(fù)載移除時(shí)立即導(dǎo)通;V+ 必須首先返回到 VU（3.6V）。

IC2是一款雙電荷泵逆變器，通常將5V轉(zhuǎn)換為10V。芯片正電壓側(cè)的電容 C2、C3 和兩個(gè)二極管構(gòu)成一個(gè)電壓三倍器，為高端浮動(dòng)源極 MOSFET 開關(guān) Q2 產(chǎn)生大約 1（V+） 柵極驅(qū)動(dòng)。

柵極驅(qū)動(dòng)隨電池電壓而下降，導(dǎo)致Q1的導(dǎo)通電阻在V+達(dá)到0.1V門限之前達(dá)到最大值≈3.1Ω。此時(shí)300mA負(fù)載電流將導(dǎo)致斷路開關(guān)處的30mV壓降;對于較高的電池電壓，壓降將減少2mV至3mV。電阻R4通過為C1提供放電路徑來確保Q3的關(guān)斷。

圖1.當(dāng)電池電壓降至R1和R2設(shè)定的閾值以下時(shí)，電壓檢測芯片（IC1）從電荷泵IC2中移除電源，電荷泵IC1通過移除其柵極驅(qū)動(dòng)來關(guān)閉高端開關(guān)Q<>。

審核編輯：郭婷