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電源應用中的 MOSFET 大多是表面貼裝器件 (SMD)，包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封裝。通常選擇這些 SMD 的原因是它們具有良好的功率能力，同時尺寸較小，從而有助于實現(xiàn)更緊湊的解決方案。盡管這些器件具有良好的功率能力，但有時散熱效果并不理想。

由于器件的引線框架（包括裸露漏極焊盤）直接焊接到覆銅區(qū)，這導致熱量主要通過PCB進行傳播。而器件的其余部分均封閉在塑封料中，僅能通過空氣對流來散熱。因此，熱傳遞效率在很大程度上取決于電路板的特性：覆銅的面積大小、層數(shù)、厚度和布局。無論電路板是否安裝到散熱器上，都會導致這種情況的發(fā)生。通常器件的最大功率能力無法達到最優(yōu)情形，是因為 PCB 一般不具有高的熱導率和熱質量。為解決這個問題并進一步縮小應用尺寸，業(yè)界開發(fā)了一種新的 MOSFET 封裝，即讓 MOSFET 的引線框架（漏極）在封裝的頂部暴露出來（例如圖 1 所示）。

圖 1. 頂部散熱封裝

頂部散熱的布局優(yōu)勢

雖然傳統(tǒng)功率 SMD 有利于實現(xiàn)小型化解決方案，但出于散熱考慮，它們要求在電路板背面其下方的位置不能放置其他元器件。電路板的一些空間無法使用，導致最終的電路板整體尺寸較大。而頂部散熱器件可以繞過此問題：其散熱是通過器件頂部進行的。這樣，MOSFET 下方的板面位置就可以放置元器件了。

該空間可用于布置如下元器件（但不限于此）：

• 功率器件

• 柵極驅動電路

• 支持元器件（電容、緩沖器等）

反過來，還能縮小電路板尺寸，減少柵極驅動信號的路徑，實現(xiàn)更理想的解決方案。

圖 2. PCB 器件空間

與標準 SMD 器件相比，頂部散熱器件除了可以提供更多的布局空間外，還能減少熱量交疊。頂部散熱封裝的大部分熱傳播都直接進入散熱器，因此 PCB 承受的熱量較小。有助于降低周圍器件的工作溫度。

頂部散熱的熱性能優(yōu)勢

與傳統(tǒng)的表面貼裝 MOSFET 不同，頂部散熱封裝允許將散熱器直接連接到器件的引線框架。由于金屬具有高熱導率，因此散熱器材料通常是金屬。例如大多數(shù)散熱器是鋁制的，其熱導率在 100-210 W/mk 之間。與通過 PCB 散熱的常規(guī)方式相比，這種通過高熱導率材料散熱的方式大大降低了熱阻。熱導率和材料尺寸是決定熱阻的關鍵因素。熱阻越低，熱響應越好。

Rθ = 絕對熱阻

Δx = 與熱流平行的材料的厚度

A = 垂直于熱流的橫截面積

k = 熱導率

除了提高熱導率外，散熱器還提供更大的熱質量——這有助于避免飽和，或提供更大的熱時間常數(shù)。這是因為頂部安裝的散熱器的尺寸可以改變。對于一定量的熱能輸入，熱質量或熱容與給定溫度變化成正比。

Cth = 熱容，J/K

Q = 熱能，J

ΔT = 溫度變化，K

PCB 往往具有不同的布局，并且銅皮厚度較低的話，導致熱質量(熱容)較低和熱傳播不良。所有這些因素使得標準的表面貼裝 MOSFET 在使用時無法實現(xiàn)最佳熱響應。從理論上講，頂部散熱封裝擁有直接通過高熱質量、高導熱性源散熱的優(yōu)勢，因此其熱響應 (Zth (C°/W)) 會更好。在結溫升幅一定的情況下，更好的熱響應將支持更高的功率輸入。這樣，對于相同的 MOSFET 芯片，采用頂部散熱封裝的芯片比采用標準 SMD 封裝的芯片將擁有更高的電流和功率能力。

圖 3. 頂部散熱封裝（上）和 SO8FL 封裝（下）的散熱路徑

熱性能比較的測試設置

為了演示和驗證頂部散熱的熱性能優(yōu)勢，我們進行了測試，比較了相同熱邊界條件下 TCPAK57 和 SO8FL 器件的芯片溫升和熱響應。為使比較有效，兩個器件在相同的電氣條件和熱邊界下進行測試。區(qū)別在于，TCPAK57 的散熱器安裝在器件上方，而 SO8FL 器件的散熱器安裝在 PCB 的底部，位于 MOSFET 區(qū)域正下方（圖 3）。這是對器件在現(xiàn)場應用中使用方式的復現(xiàn)。測試期間還使用了不同厚度的熱界面材料 (TIM)，以驗證使用不同的熱邊界能夠優(yōu)化哪種器件封裝。整體測試按如下方式進行：對這兩個器件施加固定電流（因此是固定功率），然后監(jiān)視結溫的變化，從而得知哪個器件性能更好。

圖 4. 每個器件的應用設置

器件選擇和PCB布局

在器件選擇方面，每種封裝中的 MOSFET 具有相同的芯片尺寸并使用相同的技術。這是為了確保每個器件在給定電流下具有相同的功耗，并使封裝級熱響應一致。這樣，我們就能確信所測得的熱響應差異是由于封裝差異導致的。出于這些原因，我們選擇使用 TCPAK57 和 SO8FL。它們采用略有不同的線夾和引線框架設計，一個有引線 (TCPAK57)，一個無引線 (SO8FL)。應當注意的是，這些差異很小，不會對穩(wěn)態(tài)熱響應產生很大影響，故可忽略。給定參數(shù)后，選定的器件如下：

• NVMFS5C410N SO8FL

• NVMJST0D9N04CTXG TCPAK57

為了進一步確保所有其他熱邊界保持等效，我們設計了兩個相同的 PCB 以搭載 SO8FL 封裝或 TCPAK57 封裝。PCB 設計為 4 層板，每層含 1 盎司銅。尺寸為 122 mm x 87 mm。SO8FL 板沒有將漏極焊盤連接到電路板其他導電層的熱過孔（這對散熱并不是最好的）；在此比較設置中，可以將其用作最糟散熱情況。

圖 5. PCB 的每一層

（第 1 層顯示在左上方，第 2 層顯示在右上方，

第 3 層顯示在左下方，第 4 層顯示在右下方）

散熱器和熱界面材料 (TIM)

測試過程中使用的散熱器為鋁制，專門設計用于安裝到 PCB 上。107 mm x 144 mm 散熱器為液冷式，其中 35 mm x 38 mm 散熱面積位于 MOSFET 位置正下方。通過散熱器的液體是水。水是現(xiàn)場應用中常用的冷卻液。對于所有測試場景，其流速都設置為 0.5 gpm 的固定值。水可以提供額外的熱容，將熱量從散熱器轉移到供水系統(tǒng)中，有助于降低器件溫度。

圖 6. 應用設置

為了更好地促進 MOSFET 界面散熱，應使用熱間隙填充物。這有助于填補界面表面可能存在的缺陷。空氣作為不良熱導體，任何氣隙都會增加熱阻。測試使用的 TIM 是 Bergquist 4500CVO 填縫劑，其熱導率為 4.5 W/mK。使用幾種不同厚度的此這種TIM 來展示熱響應優(yōu)化的可能性。固定的厚度通過在電路板和散熱器之間使用的精密墊片來實現(xiàn)。使用的目標厚度為：

• ~200 μm

• ~700 μm

測試電路和加熱/測量方法

選擇的板載電路配置是半橋設置，因為它代表了一種通用型現(xiàn)場應用。兩個器件彼此靠近，這也準確反映了現(xiàn)場布局，因為較短的走線有助于減少寄生效應。由于器件之間有熱量交疊，這對熱響應會發(fā)揮一定的作用。

為了能夠以較低電流值進行相關加熱，電流將通過 MOSFET 的體二極管。為確保始終如此，將柵極到源極引腳短路。給定器件的熱響應通過如下方式獲得：先加熱半橋 FET，直到穩(wěn)態(tài)結溫（溫度不再升高），然后隨著結溫回到冷卻狀態(tài)溫度，通過一個 10 mA 小信號源監(jiān)測源漏電壓 (Vsd)。加熱過程中達到熱穩(wěn)態(tài)所需的時間與返回到無電狀態(tài)的時間相等。體二極管的 Vsd 與結溫呈線性關系，因此可以使用一個常數(shù) (mV/ C°) 比率（通過每個器件的表征來確定）將其與 ΔTj 相關聯(lián)。然后將整個冷卻期間的 ΔTj 除以加熱階段結束時的功耗，就得到給定系統(tǒng)的熱響應 (Zth)。

2 A 電源、10 mA 電源和 Vsd 的測量均由 T3ster 處理。T3ster 是一款商用測試設備，專門用于監(jiān)測熱響應。它利用前面提到的方法計算熱響應。

圖 7. 電路圖

熱比較結果

在兩種條件下測量每個器件的熱響應結果：

• 200 μm TIM

• 700 μm TIM

這兩次測量的目的是確定給定受控系統(tǒng)中哪種封裝具有更好的熱響應，以及哪種器件的熱響應可以通過外部散熱方法來優(yōu)化。務必注意，這些結果并非適用于所有應用，而是特定于所提到的熱邊界。

使用200 μm TIM安裝到散熱器的封裝比較

對于第一個測試操作，每個器件使用 200 μm TIM 安裝到水冷散熱器上。每個器件都接受 2 A 脈沖，直至穩(wěn)態(tài)。T3ster 監(jiān)測散熱期間的 Vsd，并將其反向關聯(lián)到該系統(tǒng)的熱響應曲線。頂部散熱的穩(wěn)態(tài)熱響應值為 ~4.13 C°/W ，而 SO8FL 的值為 ~25.27 C°/W。這一巨大差異與預期結果一致，因為頂部散熱封裝直接安裝到高導熱性、大熱容的散熱器上，實現(xiàn)了良好的熱傳播。對于SO8FL 則由于 PCB 的熱導率差，導熱效果差。

為了幫助理解如何在應用中利用這些優(yōu)勢，可以將熱響應值與每個器件可以承受的功率量聯(lián)系起來。將 Tj 從 23 C° 的冷卻液溫度提高到 175 C° 的最大工作溫度所需的功率計算如下：

注意：此功率差異在這個特定的熱系統(tǒng)中是意料之中的。

在該熱系統(tǒng)中，頂部散熱單元可應對的功率量是 SO8FL 的 6 倍。在現(xiàn)場應用中，這可以通過幾種不同的方式加以利用。下面是它的一些優(yōu)勢：

• 當需要的電流一定時，由于功率能力提高，相比SO8FL 可以使用更小的散熱器。從而可能節(jié)省成本。

• 對于開關模式電源應用，在保持相近的熱裕量的同時可以提高開關頻率。

• 可用于原本不適合 SO8FL 的更高功率應用。

• 芯片尺寸一定時，頂部散熱器件相比 SO8FL 將有更高的安全裕量，在給定電流需求下運行溫度更低。

圖 8. 使用 200 μm TIM 的熱響應曲線

圖 9. 使用 200 μm TIM 的溫度變化曲線

使用700 μm TIM安裝到散熱器的封裝比較

使用 700 μm 的 TIM 厚度進行了另一次測試操作。這是為了與 200 μm TIM 測試進行熱響應變化的比較，以驗證外部散熱方法對每種封裝的影響。該測試操作得到如下熱響應結果：頂部散熱器件為 6.51 C°/W，SO8FL 為 25.57 C°/W。對于頂部散熱，兩次 TIM 操作的差異為 2.38 C°/W，而 SO8FL 的差異為 0.3 C°/W。這意味著該外部散熱方法對頂部散熱器件影響很大，而對 SO8FL 影響很小。這也是意料之中的，因為頂部散熱器件的熱響應以 TIM 層熱阻為主。與散熱器相比，TIM 的熱導率較低。因此，當厚度增加時，熱阻會增加，導致 Rth 更高。

SO8FL TIM 變化發(fā)生在電路板和散熱器之間。其器件熱量必須通過電路板傳播才能到達 TIM 和散熱器，因此厚度變化對主要熱量路徑的熱阻影響很小。所以，熱響應的變化很小。

TIM 厚度變化引起的這些熱響應變化，證明了頂部散熱封裝具有整體優(yōu)勢。TCPAK57 在封裝頂部有一個裸露的引線框架，因而可以更好地控制熱量路徑的熱阻。對于特定應用和散熱方法，可以利用這個特點來優(yōu)化熱響應。這反過來又會提供更可控和有益的功率能力。SO8FL 和類似的 SMD 器件難以通過其所在的電路板散熱，具體情況取決于 PCB 特性。這是非易控因素，因為除了散熱之外，PCB 設計還有許多其他變量需要考慮。

圖 10. 使用 700 μm TIM 的溫度變化曲線

圖 11. 使用 700 μm TIM 的溫度變化曲線

要點總結

頂部散熱封裝可避免通過 PCB 進行散熱，縮短了從芯片到散熱裝置的熱量路徑，從而降低了器件的熱阻。熱阻與散熱器和熱界面材料特性直接相關。低熱阻可以帶來許多應用優(yōu)勢，例如：

• 需要的電流量一定時，由于功率能力提高，相比標準 SMD 可以使用更小的頂部散熱器件。反過來，這還可能帶來成本節(jié)省。

• 對于開關模式電源應用，在保持相近的熱裕量的同時可以提高開關頻率。

• 可用于原本標準 SMD 不適合的更高功率應用。

• 芯片尺寸一定時，頂部散熱器件相比等效 SMD 器件將有更高的安全裕量，在給定電流需求下運行溫度更低。

更強的熱響應優(yōu)化能力。這通過改變熱界面材料和/或厚度來實現(xiàn)。TIM 越薄和/或熱導率越好，熱響應就越低。熱響應也可以通過改變散熱器特性來改變。

頂部散熱封裝可減少通過 PCB 的熱量傳播，進而減少器件之間的熱量交疊。

頂部散熱使得 PCB 的背面不需要連接散熱器，因此 PCB 上的元器件可以布置得更緊湊。

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