MRAM芯片應用于PLC產品上的特性
MRAM是一種新型的非易失性存儲器技術，與傳統的存儲器技術相比，MRAM 具有更快的讀寫速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長的壽命。已經被廣泛應用于汽車電子、工業自動化、智能電氣電表、物聯網等領域。在 PLC (Programmable Logic Controller) 中，MRAM 可以用于存儲程序、數據、寄存器和狀態信息等。此外，MRAM 還可以提高 PLC 的運行效率，減少故障率，并降低能耗。由于 PLC 被廣泛應用于工業控制領域，因此可靠性和耐久性非常重要。MRAM 的非易失性和高可靠性使它成為一種非常適合用于 PLC 的存儲器技術。
高可靠性
在PLC產品中，穩定性和可靠性是非常重要的特性。由于MRAM芯片不需要電源來保持存儲，因此具有非常高的可靠性。即使在突然斷電或其他異常情況下，MRAM芯片也能夠保持數據的完整性，從而有效地防止數據丟失和系統崩潰。
快速讀寫
在PLC產品中，需要快速地讀取和寫入數據以控制機器和設備。相比傳統存儲器技術，MRAM芯片具有更快的讀寫速度，可以更快地響應控制信號，提高生產效率和工作效率。
與其他技術相比，韓國NETSOL品牌的 MRAM技術具有以下優勢:
更快的寫入速度：MRAM芯片比FRAM芯片具有更快的寫入速度。MRAM芯片可以實現單個字節的寫入，而FRAM芯片則需要寫入整個數據塊。這使得MRAM芯片在存儲大量數據時更加高效。
更低的功耗：MRAM芯片比FRAM芯片具有更低的功耗。MRAM芯片的寫入操作只需要很少的電流，而FRAM芯片則需要更多的電流。這使得MRAM芯片在移動設備和其他低功耗設備中更加適用。
更高的可靠性：MRAM芯片比FRAM芯片具有更高的可靠性。MRAM芯片具有更長的數據保存時間和更大的存儲容量，這使得它們更適用于長期存儲。
更大的存儲容量：MRAM芯片比FRAM芯片具有更大的存儲容量。MRAM芯片的存儲密度比FRAM芯片高，這使得它們可以存儲更多的數據。
MRAM使用OTA (Over The Air)比NOR更快的寫入速度，不需要額外的RAM。MRAM更長的寫入耐力意味著它比NOR持續時間更長。MRAM提供1字節訪問，以有效利用存儲區域。例如，32Mb的NOR將被16Mb的MRAM取代。
MRAM無需備用電池、電池插座、超級電容或Vcc監控電路。流線型的設計和簡單的SMT工藝導致質量成本遠遠低于SRAM。MRAM的電池保留時間為10年，而SRAM的電池壽命為7年。
MRAM不需要超級電容器，節省電路板面積，減少元件。MRAM可快速開機可快速系統恢復。
MRAM芯片是一種非揮發性存儲器，可以永久保存數據，即使斷電也不會丟失數據。而DRAM芯片是一種揮發性存儲器，需要電源持續供電才能保持數據長電池壽命，從而減少維護成本。
數據保存時間長
MRAM芯片的存儲介質是磁性材料，與EEPROM和Flash相比，它的數據保存時間更長，更不易受到外界干擾。
存儲容量大
MRAM芯片可以實現大容量存儲，與傳統存儲器件相比，可以實現更高的集成度和更小的尺寸。由于MRAM芯片的存儲過程不需要耗費能量，因此MRAM芯片具有低功耗的特點。這不僅有助于減少系統的整體功耗，還有助于延長電池壽命，從而減少維護成本。
韓國Netsol MRAM存儲芯片，憑借高續航、快速訪問和長保留期特性，一顆MRAM芯片替換“工作內存”(典型的SRAM或DRAM)和“代碼存儲”(典型的NOR、Flash或E2PROM）二合一的解決方案。使其在工業控制領域中越來越受到歡迎。隨著MRAM技術的不斷發展和完善，它在PLC產品中的應用將有望得到更廣泛的推廣和應用。
選型列表
由于STT-MRAM的非易失性、幾乎無限的持久性和快速寫入特性，NETSOL串行/并行MRAM產品非常適合必須快速頻繁地存儲和檢索數據和程序的應用程序。它們適用于工業設計中的代碼存儲、數據記錄、備份存儲器和工作存儲器，可以取代Flash、FeRAM或nvSRAM，具有相同的功能和非易失性。
#串行STT-MRAM
1Mb, 2Mb, 4Mb, 8Mb, 16Mb, 32Mb密度
電源:1.8V (1.71V ~ 1.98V)或3.3V (2.7V ~ 3.6V)
數據保留:10年
讀取耐力：無限
寫入耐力:1014
不需要外部ECC
封裝規格: 8WSON, 8SOP
| 容量 |
型號 |
電壓(V) |
| 1M bit | S3A1004V0M | 2.70~3.60 |
| S3A1004R0M | 1.71~1.98 | |
| 1Mbit | S3A2004V0M | 2.70~3.60 |
| S3A2004R0M | 1.71~1.98 | |
| 4M bit | S3A4004V0M | 2.70~3.60 |
| S3A4004R0M | 1.71~1.98 | |
| 8M bit | S3A8004V0M | 2.70~3.60 |
| S3A8004R0M | 1.71~1.98 | |
| 16M bit | S3A1604V0M | 2.70~3.60 |
| S3A1604R0M | 1.71~1.98 | |
| 32M bit | S3A3204V0M | 2.70~3.60 |
| S3A3204R0M | 1.71~1.98 |
#并行STT-MRAM
1Mb,2Mb, 4Mb, 8Mb,16Mb,32Mb,64Mb密度
電源:1.8V (1.71V ~ 1.98V)或3.3V (2.7V ~ 3.6V)
并行異步接口x16/x8 I/O
高性能頁面讀寫功能
數據保留:10年
讀取耐力：無限
寫入耐力:1014
不需要外部ECC
封裝規格:48FBGA, 44TSOP2, 54TSOP2
審核編輯：湯梓紅
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