BOSHIDA模塊電源待機(jī)損耗在哪 怎樣降低功耗 如何去減小損耗
模塊電源待機(jī)損耗在哪?怎樣降低待機(jī)功耗?DC-DC電源模塊待機(jī)的時(shí)候,輸出端無負(fù)載 ,但產(chǎn)品又存在待機(jī)損耗,這些損耗都耗在了哪里,又該如何去減小這些損耗呢?
一、 啟動(dòng)電路損耗一般的啟動(dòng)電路都是R+C啟動(dòng),設(shè)想,啟動(dòng)電路中的電阻會(huì)有一定損耗,這個(gè)損耗看起來不大,但在待機(jī)的時(shí)候,還是占有一定的比重。那該如何減小此損耗呢?再兼容產(chǎn)品啟動(dòng)和短路能力的同時(shí),R取值越大損耗越小。還有一種方法是產(chǎn)品啟動(dòng)后,讓R不工作,損耗自然會(huì)變小,如把啟動(dòng)電路改進(jìn),損耗就會(huì)變小。
二、變壓器的損耗變壓器的損耗包括鐵損和銅損,變壓器的鐵損受工作頻率和感值的影響,頻率低損耗小,感值高損耗小,所以設(shè)計(jì)變壓器的時(shí)候,要兼顧工作頻率和感量值,在一個(gè)比較合適的值,損耗就會(huì)小;待機(jī)的時(shí)候變壓器銅損是很小的,對(duì)整體的損耗影響甚微,設(shè)計(jì)變壓器的時(shí)候,選擇適當(dāng)?shù)木€徑及匝數(shù)即可。
三、IC損耗IC都會(huì)有一個(gè)工作電流,使IC能夠正常工作,這個(gè)損耗是無法避免的,在IC選型的時(shí)候盡量選擇工作電流小的。
四、開關(guān)管損耗輸入端的MOS管Q1在待機(jī)的時(shí)候,主要體現(xiàn)的是開關(guān)損耗,所以需要降低待機(jī)時(shí)MOS管的損耗,待機(jī)的工作頻率就要降低。芯片選型的時(shí)候,選擇芯片工作在輕載和空載情況下會(huì)跳頻(即降低空載和輕載的工作頻率),MOS管要選用低柵荷的,從而降低損耗。整流管D1損耗包括開關(guān)損耗,反向恢復(fù)損耗,導(dǎo)通損耗。整流管選型時(shí),選擇低導(dǎo)通壓降和反向恢復(fù)時(shí)間短的二極管,可以降低損耗。
五、吸收電路的損耗開關(guān)MOS管DS極之間通常會(huì)加一個(gè)小電容,用來吸收管子上的電壓尖峰,MOS管上的這個(gè)吸收電容C5會(huì)損耗能量,在確保管子應(yīng)力有足夠余量的情況下,吸收電容容值越小,損耗越小。輸出整流管上的RC吸收電路如圖2所示,降低RC吸收的損耗,在電路允許的情況下,減小電容C12容值,減小電阻R6阻值可以降低損耗。
六、假負(fù)載電阻損耗大部分的模塊電源產(chǎn)品都會(huì)在輸出端加一個(gè)假負(fù)載,用來保證模塊在空載或是很輕的負(fù)載情況下產(chǎn)品的穩(wěn)定性,這個(gè)假負(fù)載會(huì)帶來損耗。在確保模塊性能穩(wěn)定的情況下,假負(fù)載電阻選擇越大損耗越小。當(dāng)電路不需要接假負(fù)載也能夠穩(wěn)定的工作,可以選擇不加假負(fù)載,這樣假負(fù)載的損耗就不存在了。
審核編輯黃宇
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
459文章
52203瀏覽量
436433 -
損耗
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
201瀏覽量
16269 -
模塊電源
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
212瀏覽量
24898
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
降低開關(guān)電源變壓器損耗的辦法
MOSFET開關(guān)損耗計(jì)算
如何降低開關(guān)電源空載損耗
高頻低損耗大電流電感 氮化鎵電源方案設(shè)計(jì)理想之選

半磚模塊電源的散熱設(shè)計(jì)

模塊電源的特點(diǎn)及應(yīng)用

開關(guān)電源的損耗跟輸出有關(guān)系嗎,開關(guān)電源的損耗主要包括哪些內(nèi)容
使用自動(dòng)扭矩降低步進(jìn)電機(jī)系統(tǒng)的功率損耗

如何減少開關(guān)電源的導(dǎo)通損耗
開關(guān)電源MOS管的主要損耗
電機(jī)降低損耗提高效率的途徑

評(píng)論