肖特基整流二極管具有工作頻率高、工作電流大、正向壓降低、反向漏電小、可靠性高等特點(diǎn)，廣泛用于開(kāi)關(guān)電源及功率變換器中。

肖特基二極管制造工藝有臺(tái)面、平面及平面加保護(hù)環(huán)三種工藝。采用保護(hù)環(huán)的肖特基二極管結(jié)構(gòu)如圖所示。

管芯縱向結(jié)構(gòu)參數(shù)：

(1)外延層選取：肖特基二極管反向擊穿電壓VBR、結(jié)電容Cj、正向壓降VF都與外延層電阻率及厚度相關(guān)。外延層電阻率選取的原則在滿足擊穿電壓VBR的同時(shí)要滿足結(jié)電容的要求，由于肖特基器件通常采用高阻材料，擊穿電壓VBR容易滿足要求，主要以結(jié)電容來(lái)選取電阻率，式中A為p+環(huán)與勢(shì)壘結(jié)總面積;ND為外延層雜質(zhì)濃度;Vbi為自建電勢(shì);V為外加電壓。

外延層厚度=氧化時(shí)的損耗+ p+環(huán)結(jié)深 + p+環(huán)在最高反壓下的勢(shì)壘擴(kuò)展 + 余量。

(2)勢(shì)壘金屬選用：對(duì)于n型Si，可用作肖特基勢(shì)壘接觸的金屬有Ti、Ni、Al、Pt、W、Mo、Au等。為了減小肖特基勢(shì)壘結(jié)退化及失效，在高溫處理后肖特基勢(shì)壘特性保持穩(wěn)定，勢(shì)壘金屬應(yīng)選用Mo、Pt、Ti等耐熔金屬。勢(shì)壘金屬?zèng)Q定了肖特基勢(shì)壘高度φBn，與勢(shì)壘高度相關(guān)的電參數(shù)有正向壓降及反向漏電流。

①正向電流密度

②反向電流密度

(3)勢(shì)壘降低效應(yīng)的考慮