半導(dǎo)體的重要性

在微米和亞微米尺寸上創(chuàng)造具有明確特征的材料的能力對(duì)于廣泛的研究領(lǐng)域和企業(yè)至關(guān)重要，從微電子芯片和設(shè)備到組織開發(fā)。自1970年代以來(lái)，半導(dǎo)體行業(yè)率先創(chuàng)造了具有亞微米精度的空間設(shè)計(jì)材料，引領(lǐng)了生成當(dāng)前數(shù)字化所必需的日益復(fù)雜的結(jié)構(gòu)化薄膜和微型電子產(chǎn)品的趨勢(shì)。

半導(dǎo)體可以在筆記本電腦、消費(fèi)電子產(chǎn)品、電信設(shè)備、工業(yè)設(shè)備、汽車部件和軍事資產(chǎn)中找到。這些商品中的半導(dǎo)體材料執(zhí)行認(rèn)知處理、可視化、能量控制、存儲(chǔ)系統(tǒng)、電路設(shè)計(jì)以及視覺和電源之間的轉(zhuǎn)換等服務(wù)。

半導(dǎo)體制造工藝

半導(dǎo)體和微芯片制造過程由幾個(gè)獨(dú)特的處理階段組成，這些階段導(dǎo)致一系列活動(dòng)可能發(fā)生在特定設(shè)施或許多設(shè)施的不同程序中。典型的微芯片生產(chǎn)過程包含數(shù)百個(gè)階段，其中許多階段在制造過程中執(zhí)行了無(wú)數(shù)次。在晶圓上，通過物理化學(xué)過程的組合產(chǎn)生大量微型晶體管。

一些基本的制造工藝包括沉積、氧化、光刻、摻雜、薄膜沉積、蝕刻、金屬化、化學(xué)機(jī)械平面化 (CMP) 和封裝。（江蘇英思特半導(dǎo)體科技有限公司）

步驟簡(jiǎn)述

該過程從硅晶片基板開始。晶圓是從99.99%的純硅（硅錠）棒上切下并精煉至完美。為了提供保護(hù)層或屏蔽，在晶片上生產(chǎn)或涂覆二氧化硅。之后，在晶圓上涂上一層稱為“光刻膠”的光敏涂層。

正抗蝕劑和負(fù)抗蝕劑是抗蝕劑的兩種形式。光刻是一個(gè)重要的階段，因?yàn)樗鼪Q定了芯片上晶體管的尺寸。將芯片晶圓放入***中，在此步驟中進(jìn)行深紫外 (DUV) 或強(qiáng)紫外 (EUV) 照射。去除硅骨架基板或涂層膜的不需要的部分以顯示基本物質(zhì)或使替代物質(zhì)能夠被涂層而不是蝕刻層。

微芯片的導(dǎo)電區(qū)域是通過將導(dǎo)電金屬沉積到晶片上形成的。最后，從晶圓底部去除多余的物質(zhì)，以確保結(jié)果具有光滑、光滑的質(zhì)地。（江蘇英思特半導(dǎo)體科技有限公司）

什么是光刻？

將幾何形狀傳輸?shù)焦杈撞康姆椒ǚQ為光刻。通過旋涂法在晶圓上沉積光敏光刻膠。將1.5～5mL的光刻膠溶液倒在壓力夾具上高速旋轉(zhuǎn)的晶圓上，使光刻膠均勻覆蓋在半導(dǎo)體表面。

旋涂后，晶圓被“軟烘烤”以去除光刻膠中的大部分溶劑。抗蝕劑的固體成分停留在基材表面，然后暴露在空氣中。只有在基板表面暴露于環(huán)境的部分，感光材料才會(huì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。一段時(shí)間后，將未覆蓋的晶圓進(jìn)行“硬烘烤”，以提高抗蝕劑的附著力，并為后處理準(zhǔn)備表面層。

***和系統(tǒng)

微芯片光刻設(shè)備需要三種基本技術(shù)，它們的性能由它們決定。第一項(xiàng)創(chuàng)新是“投影鏡頭的分辨率能力”。可以光學(xué)傳輸?shù)碾娐吩O(shè)計(jì)越復(fù)雜，鏡頭的分辨率就越高。

“對(duì)齊精度”是第二種技術(shù)。光掩模必須更換數(shù)十次，電路設(shè)計(jì)必須在曝光過程中不斷雕刻才能制造出單個(gè)晶體管。因此，硅晶片和光掩模必須始終完美協(xié)調(diào)。第三個(gè)關(guān)鍵因素是“吞吐量”。當(dāng)晶體管量產(chǎn)時(shí)，這項(xiàng)技術(shù)至關(guān)重要。吞吐量是衡量效率的指標(biāo)，表示為每小時(shí)曝光的硅晶片數(shù)量。

江蘇英思特半導(dǎo)體科技有限公司主要從事濕法制程設(shè)備，晶圓清潔設(shè)備，RCA清洗機(jī)，KOH腐殖清洗機(jī)等設(shè)備的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和維護(hù)。

審核編輯：湯梓紅