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65W高性能磁耦通訊GaN快充方案

晶豐明源 ? 來源:晶豐明源 ? 2023-05-08 14:49 ? 次閱讀
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隨著GaN功率器件的可靠性提升及成本逐漸接近常規(guī)MOS,相關中大功率快充方案備受市場青睞。為了滿足市場新需求,晶豐明源通過不斷創(chuàng)新,推出了集成GaN磁耦通訊快充BP87618+BP818+BP62610組合方案。

其中,BP87618采用了晶豐成熟的磁耦通訊技術,待機功耗極低,動態(tài)反應快。BP62610內置多組ADC寄存器,通過I2C接口手機可隨時讀取寄存器內部信息,獲取充電設備的工作狀態(tài);同時也可對輸出電壓和電流進行高精度調節(jié),實現精準的恒壓、恒流和恒功率控制,非常適合高端PD/PPS應用。

集成GaN高頻QR磁耦通訊反激驅動器

01目標應用

45~68W USBPD/QC PPS充電器

編程AC/DC充電器

筆記本電腦適配器

02性能特點

內置650V GaN

集成高壓啟動

集成X電容放電,節(jié)省放電電阻

150V輔助供電耐壓,適合寬輸出電壓應用

ACOT控制,快速的動態(tài)響應

磁耦通訊實現超低待機功耗<30mW

ESOP-10封裝,散熱能力強,更易操作

03封裝形式

2498a4ee-ec79-11ed-90ce-dac502259ad0.png

04應用結構

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-BP62610- 集成SR、副邊控制芯片

01性能特點

通過I2C接口與協議芯片通信

集成度高,協議芯片更簡單

通過磁耦BP818,實現ACOT副邊控制

快速的動態(tài)響應

集成同步整流控制和驅動

集成Vbus開關控制及放電功能

高精度恒壓、恒流和恒功率控制

24b32fee-ec79-11ed-90ce-dac502259ad0.png

02可編程控制

通過I2C接口可實現輸出參數精細控制

電壓:10 mV/ Step 電流:12.5mA / Step 恒功率:240mW/ Step 線壓降補償:40 mV/ Step 輸出過/欠壓保護:80 mV/ Step

03應用結構

24bc26da-ec79-11ed-90ce-dac502259ad0.png

04高精度的電壓電流調節(jié)

24c4cba0-ec79-11ed-90ce-dac502259ad0.png

高精度輸出電壓調整步進

10mV/Step

24d23434-ec79-11ed-90ce-dac502259ad0.png

高精度輸出恒流控制 調整步進12.5 mA/ Step

-BP87618+BP818+BP62610- 65W USB PD快充組合方案

01應用方案:65W PD快充

輸入電壓:90Vac-264 Vac

輸出規(guī)格 :3.3-11 V/5 A, 9V/3 A,12V/3 A,15V/3 A , 20V/3.25 A

02典型應用圖

24ded180-ec79-11ed-90ce-dac502259ad0.png

03方案實物圖

24ed764a-ec79-11ed-90ce-dac502259ad0.png

-方案特點-

01高效節(jié)能

輕松滿足全球能效標準

24fc56ec-ec79-11ed-90ce-dac502259ad0.png

全電壓范圍空載功耗<30mW

輕松滿足六級能效標準

65W(20V_3.25A)效率測試

25084ee8-ec79-11ed-90ce-dac502259ad0.png

02高可靠的系統(tǒng)性能

優(yōu)異的EMI性能

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系統(tǒng)ESD性能

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目前晶豐明源這套高性價比、集成GaN的65W快充套片已經在市場上大批量出貨并深受客戶青睞,市場反饋良好。同系列33W及20W磁耦通訊快充整體解決方案也已進入市場。

通過不斷的技術創(chuàng)新,晶豐明源會繼續(xù)為業(yè)界帶來更多具有技術亮點、高可靠性、高性價比的快充產品。

*本文提及的測試結果為實驗室條件下真實測試下得出,實際產品視應用環(huán)境和批次差異,可能會存在不同,晶豐明源保留最終解釋權

審核編輯:湯梓紅

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原文標題:65W 高性能磁耦通訊GaN快充方案

文章出處:【微信號:晶豐明源,微信公眾號:晶豐明源】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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