當器件內部，載流子在不連續的材料上移動時，會隨機的遭遇到捕獲和釋放，進而產生閃爍噪聲。

比如，MOS管中柵極的氧化層與硅介質層之間，就存在不連續性。

在CMOS工藝中，閃爍噪聲取決于接觸面的純度，如果從一種CMOS工藝換到另一種CMOS工藝時，閃爍噪聲的值可能會大不相同。

在飽和區時，閃爍噪聲可以用與柵極級聯的電壓源來表示，粗略地可以表示為：

從上面的式子中，可以了解到，薄的氧化層(Cox大)，或者大的WL值，閃爍噪聲會相對較低。所以，在低噪聲設計中，經常會看到大面積管子的設計。

而且，閃爍噪聲的譜密度與頻率呈反比。如下圖所示：

由于硅中的載流子壽命大約為幾十微秒（相對較長），因此產生的電流波動集中在較低頻率，因為這個原因，閃爍噪聲又被稱為1/f 噪聲。

為了量化給定器件的1/f噪聲與熱噪聲之間的關系，可以把這兩種噪聲譜密度，放在同一坐標軸下，如下圖所示。

1/f噪聲 “拐角頻率“，是一個分界點，左側是閃爍噪聲占主要地位，右側是熱噪聲占主要地位。

所以，如果所關注的頻率比較高的時候，就可以不用考慮閃爍噪聲的影響。

但是，閃爍噪聲，在某些應用情況下，確實會造成很大的困擾。

比如說，當采用零中頻接收架構，且信道帶寬比較窄的時候。

當然，閃爍噪聲的影響，也不只是針對零中頻接收架構，所有的中頻為零中頻的接收機，都會受到閃爍噪聲的影響。比如說，采用的是二次變頻的超外差接收機，在第二中頻時，采用的是零中頻，那么閃爍噪聲也會是個困擾。

舉個例子。

假設有一個零中頻接收機，處理的是信道帶寬為200KHz的信號，如GSM信號。

而接收機的基帶閃爍噪聲拐角頻率為200KHz。如下圖所示。

可以看到，當信道帶寬很窄的時候，閃爍噪聲會對有用信號的信噪比產生比較大的影響。

所以，有時候，為了規避閃爍噪聲的影響，可能會去選擇低中頻接收機架構。

審核編輯：劉清