引言
在硅基光伏產(chǎn)業(yè)鏈中,硅晶片的制造是最基本的步驟。金剛石切片是主要的硅片切片技術(shù),采用高速線性摩擦將硅切割成薄片。在硅片切片過程中,由于金剛石線和硅片的反復(fù)摩擦,硅片表面發(fā)生了大量的脆性損傷和塑性損傷。
目前,在硅片清洗過程中,大部分的污漬將很容易被去除。然而,清洗后的硅片表面仍有白斑污漬,對(duì)這些頑固污漬的詳細(xì)研究也很少。硅晶片需要進(jìn)行紋理化,以降低表面反射率,提高光電轉(zhuǎn)換效率。
本文采用x射線能量色散能譜(EDS)和x射線光電子能譜(XPS)對(duì)硅片表面白斑污漬的化學(xué)成分進(jìn)行了表征。英思特公司為了確定白斑斑的來源,采用銅輔助化學(xué)蝕刻法在化學(xué)沉積沉積銅的硅片上蝕刻白斑斑,研究了污垢對(duì)蝕刻和沉積的影響。(江蘇英思特半導(dǎo)體科技有限公司)
實(shí)驗(yàn)與討論
蝕刻溶液由2.76 M HF(鉿)、1.2 M過氧化氫、0.05M Cu(硝酸鹽)2和去離子水(DI)水組成。白斑點(diǎn)染色的硅片放入蝕刻溶液中,反應(yīng)7 min。蝕刻后,樣品用蒸餾水徹底沖洗,并用氮?dú)飧稍铩T谑覝叵路胖迷跓系乃暮兄小⑷旧墓杵糜诔练e溶液中,反應(yīng)10 s。沉積后,樣品用蒸餾水徹底沖洗,然后用氮?dú)飧稍铩?shí)驗(yàn)結(jié)束后,用掃描電鏡研究了蝕沉積前后白斑染色的形態(tài)。
圖1a為白斑染色硅片的照片。照片中的三個(gè)黃色盒子中顯示了可見的白斑點(diǎn)。掃描電鏡觀察到白斑染色的不規(guī)則形態(tài),如圖1b所示。該斑點(diǎn)長約144 μm,寬約155 μm,材料表面分布有不同大小的高光。
圖1:(a)白斑硅片照片,白斑硅片(b)SEM圖像,硅元素
為了了解氫氧化鉀溶液對(duì)染色去除的影響,英思特使用金相顯微鏡(MO)觀察了不同清洗時(shí)間下染色形態(tài)的變化。圖2a顯示了未清洗的硅片的Mo圖像。大量的黑色材料染色了硅片的表面。(江蘇英思特半導(dǎo)體科技有限公司)
圖2b為清洗1 min后的染色形態(tài)。污漬脫落的量非常小,暴露了硅襯底。清洗3 min后,染色劑脫落速度加快,染色面積逐漸縮小。去除左上角和右下角的污漬,中間部分的污漬更加稀疏。清洗4 min后,晶圓片上只剩下幾個(gè)斑點(diǎn)。5 min時(shí),顯微鏡下未見染色,完全去除。
圖2:白點(diǎn)隨清洗時(shí)間下降的演化圖
結(jié)論
結(jié)果表明,染色中含有碳酸鈣和二氧化硅,與粘膠的成分分析一致。由此,英思特推斷白斑染色是由切割過程中金剛石絲表面的膠污染引起的。在HF/Cu(硝酸鹽)2/過氧化氫體系中進(jìn)行金屬銅催化刻蝕刻處理后,硅片表面殘留白斑染色,具有良好的耐酸性。
染色劑的存在影響了銅顆粒的均勻沉積,阻礙了硅片的表面紋理化。最后,英思特公司提出了氫氧化鉀溶液結(jié)合超聲場去除硅片表面的污漬,并在5 min內(nèi)完全去除。本研究對(duì)制造高效太陽能電池的硅片污染的知識(shí)和清潔有重要的指導(dǎo)意義。
江蘇英思特半導(dǎo)體科技有限公司主要從事濕法制程設(shè)備,晶圓清潔設(shè)備,RCA清洗機(jī),KOH腐殖清洗機(jī)等設(shè)備的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和維護(hù)。
審核編輯黃宇
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