DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Package)是一款半導體缺陷和雜質性質的第一性原理計算模擬軟件包，該軟件包能針對輸入的半導體晶體結構，基于材料基因組數據庫和第一性原理軟件包，自動計算并輸出半導體的熱力學穩定性，缺陷和雜質形成能及離化能級，半導體樣品中缺陷、雜質和載流子濃度及費米能級，關鍵缺陷和雜質誘導的光致發光譜、載流子輻射和非輻射俘獲截面及少子壽命。

針對任一半導體，DASP軟件可以計算給出如下性質：熱力學穩定性、元素化學勢空間的穩定范圍、缺陷（含雜質，下同）形成能、缺陷轉變能級、各生長條件下的費米能級、載流子和缺陷濃度、缺陷的光致發光譜、缺陷對載流子的俘獲截面、輻射和非輻射復合速率等。

本期將給大家介紹DASP ZnGeP2的本征缺陷計算 5.4-5.4.1.1 的內容。

5.4. ZnGeP2的本征缺陷計算

ZnGeP2是一種非線性光學材料，但是其帶隙內存在的較多光吸收峰限制了其應用，實驗上認為這些吸收與點缺陷相關。因此，有必要對ZnGeP2的點缺陷性質開展理論計算，分析不同制備環境下其吸收峰的來源。

以下開始為使用DASP軟件包計算ZnGeP2本征點缺陷的實例：

5.4.1. 準備計算PREPARE

5.4.1.1. 準備POSCAR與dasp.in

獲得ZnGeP2材料的結構文件POSCAR，使用VASP優化其晶格常數，或修改其晶格常數從而匹配實驗值（此步驟由用戶自行完成）。顯示如下：

在晶體可視化軟件中如圖1所示。

ZnGeP2的晶體結構。

在dasp.in中寫入必要參數

接下來將對dasp.in中所有列出的參數進行說明。

編輯：黃飛