PCSEL的工藝流程
PCSEL的工藝流程比較簡潔，但也存在難點。
根據參考文獻，可以將工藝流程分為以下幾步：
設計外延片參數，第一次外延，制備光子晶體，第二次外延，制備臺面和電極。
設計外延片參數：自己完成外延片參數設計。
第一次外延：激光器的外延技術比較成熟，所以有很多商業公司可以提供該步工藝服務，或者自己有設備自己完成該步工藝。
制備光子晶體：PCSEL中的光子晶體周期和小孔直徑，一般在幾十納米到幾百納米，這個尺度需要EBL加工。EBL加工技術也比較成熟，有很多商業公司可以提供該步工藝服務，或者自己有設備自己完成該步工藝。該步工藝可以細分為以下幾步流程：
第二次外延：該步工藝是難點，也是研究工藝中的重點，外延過程中需要保留氣孔，可以算是PCSEL的專用工藝。目前應該很少有商業公司能夠提供該工藝服務，一般需要自己摸索該工藝，所以要么自己有設備自己摸索該工藝，要么租用別人的設備自己摸索該工藝。目前，也有很多該工藝的文獻[1][2]。
制備臺面和電極：該步工藝也比較成熟，有很多商業公司可以提供該步工藝服務，或者自己有設備自己完成該步工藝。該步工藝可以細分為以下幾步流程：
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