InnoSwitch3-EP反激式開(kāi)關(guān)IC產(chǎn)品系列提供了不同耐壓水平、靈活多樣的選項(xiàng)，工程師可根據(jù)其應(yīng)用選擇最佳的開(kāi)關(guān)技術(shù)，從而簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。該系列的最新產(chǎn)品采用900V氮化鎵(GaN)技術(shù)，可提供高達(dá)100W的功率，效率高于93%，在空間有限的應(yīng)用中無(wú)需使用散熱片。

PI特有的PowiGaN技術(shù)可提供實(shí)現(xiàn)900V耐壓所需的可靠性和耐用性。同時(shí)還能提高功率和效率，使InnoSwitch3-EP IC非常適合家電、三相電機(jī)和服務(wù)器輔助電源等應(yīng)用。初級(jí)MOSFET具有900V擊穿電壓，還可以為市電電壓較高或不穩(wěn)的地區(qū)提供更大的安全裕量，并且它們與725V和750V InnoSwitch3-EP器件的引腳相兼容，可讓工程師在不改變?cè)O(shè)計(jì)的情況下增加輸出功率，優(yōu)勢(shì)非常明顯。

所有InnoSwitch3-EP器件均具有同步整流控制、波谷開(kāi)通的非連續(xù)導(dǎo)通模式(DCM)和連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)反激式控制器。FluxLink通信技術(shù)可使IC封裝位于安規(guī)隔離帶上，從而省去光耦器。