上期提到了400G的調(diào)制方法,400G局域網(wǎng)確定使用PAM4,而骨干網(wǎng)選用多路子載波QPSK、16QAM比較有優(yōu)勢(shì)。
PAM4、QPSK、16QAM在400G里面這么火,與當(dāng)前100G系統(tǒng)調(diào)制實(shí)現(xiàn)方式有什么區(qū)別嗎?
其實(shí)技術(shù)不會(huì)突然躍進(jìn),當(dāng)前100G用到的調(diào)制器,完全能滿足400G的應(yīng)用需求。(QPSK已經(jīng)用于當(dāng)前100G骨干網(wǎng)),下面盤(pán)點(diǎn)下:
直接調(diào)制(直接調(diào)制激光器稱為DML)
直接調(diào)制實(shí)現(xiàn)原理就是:在閾值以上,激光器出光功率與驅(qū)動(dòng)電流成正比。
設(shè)置四個(gè)不同的驅(qū)動(dòng)電流,就得到四個(gè)不同的幅度的PAM4信號(hào)。直接調(diào)制最大的問(wèn)題就是頻率啁啾。
電吸收(EA)調(diào)制,屬于外調(diào)制,一般將電吸收調(diào)制器與激光器集成到一起,稱為EML
電吸收調(diào)制原理是:Franz_Keldysh效應(yīng)和stark效應(yīng),但主要是stark效應(yīng)。stark效應(yīng)簡(jiǎn)單說(shuō)來(lái)就是半導(dǎo)體量子井材料在外加電場(chǎng)作用下,禁帶寬度會(huì)變小。愛(ài)因斯坦的光電效應(yīng)指出半導(dǎo)體中吸收光子能量與其禁帶寬度相等,當(dāng)禁帶寬度邊小時(shí),能吸收的波長(zhǎng)就邊長(zhǎng)了。換句話說(shuō):施加電場(chǎng),對(duì)長(zhǎng)波長(zhǎng)吸收強(qiáng)度更大。
因此可以通過(guò)改變電場(chǎng)大小,調(diào)整對(duì)光信號(hào)的吸收率,從而產(chǎn)生PAM4信號(hào)
MZ調(diào)制器(馬赫曾德調(diào)制器):
MZ調(diào)制器屬于全能型選手,幅度,相位,QAM調(diào)制統(tǒng)統(tǒng)不在話下
單個(gè)MZ調(diào)制器大體上可以分為三個(gè)功能區(qū)
- 分光:將光信號(hào)分成完全一樣的兩路光,這樣做是為了使它們之間具有相干性,一般用Y分支或MMI完成此功能。
- 相位控制:用加熱的方法,控制調(diào)制器的工作相位點(diǎn);用電信號(hào),改變折射率從而改變調(diào)制相位(電光效應(yīng)、等離子色散效應(yīng))
- 合光:將兩路加載有信息的光載波合到一起,與分光的結(jié)構(gòu)一樣。
MZ調(diào)制器是如何完成調(diào)制的呢,看看光載波在MZ調(diào)制器里面經(jīng)歷的變化就清楚了,在不考慮損耗情況下:
光載波首先經(jīng)過(guò)Y分支,被等分成兩路光信號(hào),它們幅度和相位都相等,在坐標(biāo)軸上幅度A和相位Φ表示成紅點(diǎn)。
兩路光信號(hào)經(jīng)過(guò)各自的傳輸路徑,僅僅發(fā)生相位改變,相位改變量與傳輸?shù)奈锢砭嚯x,以及施加電場(chǎng)信號(hào)強(qiáng)度有關(guān)
兩路相位不同的光信號(hào)在出口處合成新的信號(hào)E。
合成信號(hào)E的幅度僅取決于E1與E2的相位差Δθ(已知兩邊長(zhǎng)E1,E2和他們之間的夾角Δθ,求平行四邊形對(duì)角線可是高中知識(shí)哦)
也就是說(shuō),通過(guò)改變兩路的相位差,可以實(shí)現(xiàn)幅度調(diào)制。例如當(dāng)相位差是0時(shí),輸出幅度達(dá)到最大,當(dāng)相位差是π時(shí),輸出幅度就是0;還可以選取更多不同相位差,獲得其他幅度。
如果保持E1和E2相位差不變,可以實(shí)現(xiàn)相位調(diào)制,例如E1為0相位,E2為90°相位,則合成一個(gè)45°相位的信號(hào);E1為π相位,E2為3π/2相位,則合成一個(gè)225°相位的信號(hào)。
之前提到過(guò),QAM調(diào)制就是正交幅度調(diào)制,需要兩個(gè)相差π/2的幅度信號(hào)合成。按照這個(gè)思路把兩個(gè)MZ組合到一起,并將其中一個(gè)MZ相移動(dòng)π/2, 就可以合成QAM信號(hào)。
綜合來(lái)講,對(duì)于非硅光方案的PAM4,EML可以取得價(jià)格和性能的平衡,應(yīng)該會(huì)成為首選,但是在硅光方案里面,PAM4應(yīng)該用EA或MZ外調(diào)制實(shí)現(xiàn);而對(duì)于QAM,基本只有MZ調(diào)制器,能改變的只有制作MZ的材料,選取電光系數(shù)或者等離子色散效應(yīng)更強(qiáng)的材料體系,以降低調(diào)制器驅(qū)動(dòng)電壓。
結(jié)合400G調(diào)制再加上400G封裝方案(CFP2/CFP8//QSFP-DD/CDFP),感覺(jué)400G才是硅光真正用武的地方,在100G硅光不一定有成本優(yōu)勢(shì),沒(méi)有硅光也可以玩的很好;而對(duì)于400G,要么用硅光實(shí)現(xiàn),要么就很難實(shí)現(xiàn)!
前幾天跟一位光通信行業(yè)前輩交流,她說(shuō)光通信行業(yè)新興技術(shù)生產(chǎn)周期只有一年半,就算你工作了10年又如何,不學(xué)習(xí)新知識(shí),一年半的時(shí)間你就過(guò)時(shí)了。當(dāng)時(shí)聽(tīng)了,覺(jué)得壓力很大!像我這樣工作時(shí)間不長(zhǎng)的人,更應(yīng)該每天學(xué)習(xí)!
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