1Mbit存儲MRAM芯片MR0A16A
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有SRAM的高速讀取寫入能力，以及DRAM的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。MRAM具備高速讀寫、低功耗、高密度、耐擦寫、寬溫區(qū)和抗輻照等優(yōu)勢。
Everspin型號MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲芯片，組織為16位的65536個字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時序，續(xù)航時間無限制。數(shù)據(jù)在20年以上的時間內(nèi)始終是非易失性的。通過低電壓抑制電路在斷電時自動保護數(shù)據(jù)，以防止電壓超出規(guī)格時寫入。是必須永久存儲和快速檢索關鍵數(shù)據(jù)和程序的應用程序的理想內(nèi)存解決方案。
采用的封裝44-TSOP、48-BGA與類似的低功耗SRAM產(chǎn)品和其他非易失性RAM產(chǎn)品兼容。可在各種溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲。
Everspin公司生產(chǎn)的MRAM有三種類型——MRAM和STT MRAM、xSPI MRAM。Everspin代理英尚國際有限公司可提供MRAM樣品測試及應用解決方案等產(chǎn)品服務。
審核編輯黃宇
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關注
關注
456文章
51182瀏覽量
427277 -
存儲
+關注
關注
13文章
4355瀏覽量
86175 -
MRAM
+關注
關注
1文章
236瀏覽量
31793
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
VK16K33A存儲器映射和多功能LED控制驅動芯片中文手冊
VK16K33A是一款存儲器映射和多功能 LED控制驅動芯片。該芯片支持最大 128 點的顯示模式（16SEGs×8COMs） 以及最大13
發(fā)表于 11-14 16:15
?1次下載
TPS629xx-Q1與TPS621x0A-Q1的比較
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TPS629xx-Q1與TPS621x0A-Q1的比較.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 09-10 09:55
?0次下載
高速光耦KLM45X 產(chǎn)品規(guī)格書
KLM45XSOP5高速1MBit/s晶體管光耦1.產(chǎn)品特點Productfeatures?高速1MBit/s?寬工作溫度范圍(-40°C至85°C）?可保證在0至70℃溫度范圍內(nèi)運行
發(fā)表于 08-20 15:06
?0次下載
以32Mbit-C1模式刷新SPI_MODE_MAP=6的固件，它永遠不會進入用戶代碼，為什么？
我編譯了一個 SPI_MODE_MAP=6 的固件，在 32Mbit 刷寫模式下在0x01000地址刷寫后工作正常，但加載器 （1.4b1） 顯示它是 32Mbit（512K 512K
發(fā)表于 07-22 07:04
TRSF3221E 3V至5.5V單通道 RS-232 1Mbit/s線路驅動器和接收器數(shù)據(jù)表
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TRSF3221E 3V至5.5V單通道 RS-232 1Mbit/s線路驅動器和接收器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 06-22 09:42
?0次下載
TRSF3232E 3V至5.5V雙通道RS-232 1Mbit/s線路驅動器和接收器數(shù)據(jù)表
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TRSF3232E 3V至5.5V雙通道RS-232 1Mbit/s線路驅動器和接收器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 06-19 11:51
?0次下載
4Mbit的磁存儲器HS4MANSQ1A-DS1廣泛用于嵌入式系統(tǒng)
4Mbit的磁存儲器HS4MANSQ1A-DS1廣泛用于嵌入式系統(tǒng)
采用SOT-563和SOT23封裝的1A和2A高效同步降壓轉換器TPS62A0x和TPS62A0xA數(shù)據(jù)表
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用SOT-563和SOT23封裝的1A和2A高效同步降壓轉換器TPS62A0x和TPS62A0xA數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 03-25 09:40
?0次下載
MRAM HS4MANSQ1A-DS1用于固態(tài)硬盤（SSD）可延長壽命
MRAM HS4MANSQ1A-DS1用于固態(tài)硬盤（SSD）可延長壽命
M3芯片和A16芯片哪個強
M3芯片和A16芯片各有優(yōu)勢，難以簡單地判斷哪個更強。M3芯片是專為蘋果自家設備設計的處理器，其圖形處理能力和神經(jīng)網(wǎng)絡運算能力表現(xiàn)出色，適合處理高性能任務。而
蘋果m3芯片系列有哪些 m3芯片與a16芯片的區(qū)別
核GPU;M3 Pro則在M3的基礎上提速，配置有12核CPU和18核GPU;而M3 Max的性能則更為強大，擁有16核CPU和多達40核GPU。 m3芯片與a16芯片的區(qū)別 蘋果M3
MRAM HS4MANSQ1A-DS1在汽車電子中的應用
易失存儲器。MRAM具有納秒級高速寫入和萬億次擦寫耐久度，可滿足汽車電子應用場景的頻繁實時記錄數(shù)據(jù)的要求；以下是汽車信息采集系統(tǒng)結構圖：國芯思辰HS4MANSQ1A-DS1是一個容量為4Mbi
瑞薩電子宣布已開發(fā)具有快速讀寫操作的測試芯片MRAM
瑞薩電子公司日前宣布，該公司已開發(fā)出用于嵌入式自旋轉移矩磁阻隨機存取存儲器(STT-MRAM)的電路技術，以下簡稱MRAM）具有快速讀寫操作的測試芯片。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論