借助 n 溝道和 p 溝道 MOSFET，您可以輕松地實現單刀雙擲 （SPDT） 開關，以隔離電路的一部分，并在電路其余部分關閉時從次級電源為其供電，以便待機工作 （圖1 ）。通過使用互補對，您可以對 MOSFET 使用單個控制輸入。這種拓撲結構中的Si4501DY MOSFET的主元件在5A時表現出小于0.1V的壓降，并且兩個MOSFET都采用SO-8封裝。

圖1 n溝道和p溝道MOSFET對包括一個先開后合、單極、雙擲開關（a）。當電路的其余部分關閉時，開關隔離電路的一部分，并在待機操作期間從次級電源為其供電（b）。

當 2N7002 或類似的控制 MOSFET 將柵極連接在一起并將它們拉到地時，p 溝道 MOSFET 導通。通過關閉 2N7002 將柵極拉到電源軌上方會導致 n 溝道 MOSFET 導通。將p溝道MOSFET的柵極拉到源極電位以上不起作用;MOSFET 保持關斷狀態，漏電流低。

由此產生的開關是先開后合配置，這是確保次級或始終接通電源永遠不必為整個電路供電所必需的。然而，由于MOSFET的快速開關，可能不需要超出正常設計規則的額外電容來維持工作電壓。

電路中n溝道器件的布置可確保內部二極管在子電路隔離時不導通。在這個方向上，n溝道MOSFET還為電路通過二極管的電源提供了一條故障安全路徑。p溝道MOSFET二極管的正向電壓阻止任何電流“反向饋送”次級電源，假設兩個電源的電壓接近。

該電路的一個應用示例是臺式計算機中的高級配置和電源接口，可在待機狀態下提供即時啟動和低功耗。主電源為大功率開關電源，副電源為線性調節的60Hz變壓器。