6月1日，據GE官網消息，來自GE Research的一個科學家團隊創造了一項新記錄，他們展示了可以承受超過 800 攝氏度溫度的 SiC MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。這比以前已知的這種技術的演示至少高出200攝氏度，也進一步顯示了SiC MOSFET支持未來在極端工作環境中應用的潛力，這也打破了大多數電子專家認為這些器件可以實現的目標。

隨著GE的航空航天業務為其現有的商業和軍事客戶不斷提高航空系統的先進性，并尋求實現支持太空探索和高超音速飛行器的新應用，建立一個能在極端工作環境中發揮作用的電子器件組合將是至關重要的。三十多年來，GE在SiC技術方面建立了一個世界領先的產品組合，并通過航空航天業務為航空航天、工業和軍事應用銷售一系列基于SiC的電力產品。

GE Research 微電子首席工程師 Emad Andarawis 表示，使用 SiC MOSFET 實現高溫閾值可以為太空探索和高超音速飛行器的傳感、驅動和控制應用開辟一個全新的領域。而要打破太空探索和高超音速飛行的新障礙，就需要能夠處理極端高溫和工作環境的強大、可靠的電子系統。他們展示的可以承受超過 800 攝氏度的 SiC MOSFET，就是實現這些關鍵任務目標的一個重要里程碑。

GE 的SiC MOSFET可以支持開發更強大的傳感、驅動和控制，為太空探索提供新的可能性，并使高超音速飛行器的控制和監測速度達到MACH 5，或超過3500英里/小時，這相當于今天典型的商業客運航班速度的六倍多。

Andarawis 指出，電子行業在采用 SiC 的高溫電子產品方面已經取得了許多令人振奮的發展。NASA展示了能夠耐受超過 800 攝氏度閾值的 SiC JFET。長期以來，傳統觀點認為 SiC MOSFET 在高溫下無法提供與 JFET 相同程度的可靠性和耐用性。SiC MOSFET中柵極氧化物的新進展，以前一直是溫度和壽命的限制因素，現在已經大大縮小了差距。

Andarawis 和 GE Research最近的演示表明，MOSFET可以擴大可考慮的選項組合。這建立在SiC電子技術領域不斷增長的工作基礎上，GE航空研究人員正處于領導工作的前沿。該團隊目前正在與NASA 合作開展一個項目，應用新型SiC光電二極管技術開發和展示一種紫外線成像儀，以加強對金星表面的太空任務。GE Research 還在潔凈室設施中制造 NASA 的 JFET，這是他們為外部半導體合作伙伴所做工作的一部分。

潔凈室設施是 GE 在 SiC 研究中的主要焦點。它是一個 28，000 平方英尺的 100 級（通過 ISO 9001 認證）設施，位于 GE 位于紐約州尼斯卡尤納的研究園區。該設施可以支持從研發到小批量生產的技術，并將技術轉移到支持 GE 內部產品或選定的外部商業伙伴的大批量制造。