９.３.６.2 負的柵極脈沖關斷∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
碳化硅
+關注
關注
25文章
3034瀏覽量
50128
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
碳化硅功率器件有哪些特點
隨著全球對綠色能源和高效能電子設備的需求不斷增加，寬禁帶半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中，碳化硅（SiC）因其出色的性能而受到廣泛關注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領域的應用不斷拓展，成為現代電子
SiC碳化硅MOSFET功率器件雙脈沖測試方法介紹
碳化硅革新電力電子，以下是關于碳化硅（SiC）MOSFET功率器件雙脈沖測試方法的詳細介紹，結合其技術原理、關鍵步驟與應用價值，助力電力電子
碳化硅功率器件的封裝技術解析
碳化硅（SiC）功率器件因其低內阻、高耐壓、高頻率和高結溫等優異特性，在電力電子系統中得到了廣泛關注和應用。然而，要充分發揮SiC器件的性能，封裝技術至關重要。本文將詳細解析
什么是MOSFET柵極氧化層？如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？
隨著電力電子技術的不斷進步，碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，
發表于 01-04 12:37
8英寸單片高溫碳化硅外延生長室結構
隨著碳化硅（SiC）材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領域的廣泛應用，高質量、大面積的SiC外延生長技術變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當前及未來一段時間內的主流尺寸，其外延生長
碳化硅MOSFET柵極氧化層缺陷的檢測技術
在高效電能轉換應用領域具有不可替代的優勢，正逐漸成為功率半導體領域的主流選擇。碳化硅器件的技術挑戰盡管SiC器件性能優越，但其單晶和外延材料價格較高，工藝不成熟，
碳化硅功率器件在能源轉換中的創新應用
能源轉換、電力傳輸和電動汽車等領域具有廣闊的應用前景。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理和特點，并探討其在能源轉換中的創新應用，引領高效能源轉換的未來之光。
碳化硅功率器件在能源轉換中的應用
碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的能源轉換技術，因其優異的性能在能源領域受到了廣泛的關注。本文將介紹碳化硅功率器件的
碳化硅功率器件的工作原理和應用
碳化硅（SiC）功率器件近年來在電力電子領域取得了顯著的關注和發展。相比傳統的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有許多獨特的優點，使其在高效能、高頻率和高溫環境下的應用中具有明顯的優勢。本
碳化硅功率器件的優勢和應用領域
在電力電子領域，碳化硅（SiC）功率器件正以其獨特的性能和優勢，逐步成為行業的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點，使得碳化硅功率
碳化硅功率器件的優點和應用
碳化硅（SiliconCarbide，簡稱SiC）功率器件是近年來電力電子領域的一項革命性技術。與傳統的硅基功率器件相比，碳化硅功率
碳化硅功率器件有哪些優勢
碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅半導體材料的電力電子器件，近年來在功率電子領域迅速嶄露頭角。與傳統的硅（Si）功率器件相比，
碳化硅柵極驅動器的選擇標準
利用集成負偏壓來關斷柵極驅動在設計電動汽車、不間斷電源、工業驅動器和泵等高功率應用時，系統工程師更傾向于選擇碳化硅 (SiC) MOSFET，因為與 IGBT 相比，SiC
碳化硅功率器件的優勢和分類
碳化硅（SiC）功率器件是利用碳化硅材料制造的半導體器件，主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應用。相比傳統的硅（Si）基功率器件，
工商網監
評論