6.3.4.6 C-Ψs方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
6.3.4.6 C-Ψs方法
6.3.4 電學(xué)表征技術(shù)及其局限性
6.3 氧化及氧化硅/SiC 界面特性
第６章碳化硅器件工藝
《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
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溝槽結(jié)構(gòu)碳化硅的外延填充方法
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二、外延填充方法
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在進(jìn)行外延填充之前，首先需要通過(guò)實(shí)驗(yàn)確定外延生長(zhǎng)和刻蝕的工藝參數(shù)。這通常包括使用與待填充的碳化硅正式片具有
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