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安森德MOS管ASDM100R066NQ助力激光電源設計,導通電阻低至5.9mΩ?

國芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2022-06-15 09:39 ? 次閱讀

在激光電產品上主要以ACDC為主,功率拓撲為PFC+LLC。由于目前全球疫情、自然災害等因素,導致進口器件在供貨方面有很大影響,交期拉長,影響產品出貨,很多廠家為了避免供貨風險,逐漸傾向于找國產品牌替代以緩解交期和成本上的壓力。

本文重點介紹國產安森德MOS管ASDM100R066NQ助力激光電源設計,采用PFC+LLC的方案,如下圖所示。采用安森德4顆分立的MOS ASDM100R066NQ組成全橋LLC拓撲,PDFN5*6-8小體積封裝有利于PCB靈活布線,導通電阻低至5.9mΩ,可減少導通損耗,提高轉換效率。

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激光電源的主功率框圖

針對激光電源上的LLC主功率部分功率MOS管的選型需要注意以下幾點:

1、目前電壓為70V,MOS的耐壓需要留1.5倍以上的耐壓余量,防止極限工況下,電壓應力超標;

2、由于電源的體積以及高溫環境限制,因此MOS管要選擇更低的導通電阻值,更小的封裝,可有效降導通損耗減小發熱量;

3、ID連續漏極電流需要有一定的余量,來有效抵抗過流、短路工況下,電流應力超標;

4、由于設計的電源尺寸比較小,需要選擇較小封裝貼片的MOS管,如5*6或者8*8等。

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ASDM100R066NQ封裝尺寸

國產安森德MOS管ASDM100R066NQ助力激光電源設計,具有幾下幾點優勢:

1、最高耐壓為100V,滿足母線電壓系統,耐壓余量大,防止MOS管在短路等極限工況下,產生的電壓尖峰而損壞;

2、在VGS=10V,ID=68A測試條件下,導通電阻最大為2.9mΩ,可降低MOS的整體損耗,減少發熱量,提高轉換效率;

3、在VDD=50V,ID=13.5A,VGS=10V測試條件下,柵極電荷僅45nc,具有更好的開關特性;

4、ID為68A,108W的耗散功率具有較高的電流余量;140A的峰值浪涌電流,可有效抵抗輸出短路、過流等工況;

5、采用PDFN5*6-8封裝,通用封裝可替換市面大部分廠商器件,封裝小可靈活的進行PCB布局,電源小型化設計;

6、成熟批量出貨器件,供貨交期、價格均有很好的保障。

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