在嚴(yán)格醫(yī)療要求的設(shè)備中，電源的設(shè)計(jì)電不僅要達(dá)到理想的效率，同時(shí)盡可能保持小巧緊湊，且必須滿足IEC60601-1的嚴(yán)格要求和一系列的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，旨在確保醫(yī)療電氣設(shè)備的安全性和性能。本文主要介紹基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D02065K用于嚴(yán)格的醫(yī)療設(shè)備中，B1D02065K優(yōu)越的性能和極高的工作效率是電源設(shè)計(jì)的首選產(chǎn)品。

碳化硅肖特基二極管B1D02065K

碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅基器件相比具 有 更 優(yōu) 越 的 性 能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場 (3×106 V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù) (4.9W/cm·K)使得功率半導(dǎo)體器件效率更高，運(yùn)行速度更快，并且在設(shè)備的成本、體積、重量等方面都得到了降低。基本半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的碳化硅功率器件制造商，其覆蓋的碳化硅MOS方案憑借其優(yōu)良的性能，常用于大功率元器件中。

基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品應(yīng)用

碳化硅肖特基二極管B1D02065K性能優(yōu)勢(shì)：

1、B1D02065K具有極低的反向漏電流，反向重復(fù)峰值電壓VRRM為650 V；

2、B1D02065K具有出色的浪涌電流能力和低電容電荷；

3、B1D02065K連續(xù)正常電流(TC=160°C)為2A；

4、B1D02065K基本沒有開關(guān)損耗；

5、B1D02065K工作溫度和存儲(chǔ)溫度-55°~175°；

6、B1D02065K提供行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝TO-220-2；

國芯思辰批量供應(yīng)碳化硅肖特基二極管B1D02065K，如有相關(guān)應(yīng)用需求可在國芯思辰官網(wǎng)進(jìn)行樣品免費(fèi)申請(qǐng)

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