英飛凌 IGBT 模塊的說明

模組有哪些種類與型式?

為什么需要模組?

什么時候需要用到模組?

我該選用模組或是單管?

我的應用空間是否足夠?

模組有哪些種類與型式?

……

以上，都是工程師在面對新的專案的時候常常會面對到的問題。

本篇先僅就IGBT module幾項重要參數進行說明，以便工程師可以在設計前期有一些選型的參考依據標準。

首先我們先來了解IGBT 模組的datasheet 標示含義:

Data Sheet 上的標示說明:

型號名稱

數據表的第一部分以模塊的型號命名開始，如下圖所示:

Module Topology(模組內部電路圖拓樸)

常用的幾種包裝的內部拓樸:

? FF(Dual Switch):

? FZ(Single Switch):

? FS(3phas Full Bridge—Sixpack):

? FP(Power integrated Module)

? F4(H Bridge):

? F3L(3-Level one leg IGBT module)

? DF(Booster)

? FD (Chopper configuration)

? 電流等級與工作電壓:

06=600V ,

07=650V ,

12=1200V,

17=1700V

? 功能性(Functionality):

R:Reverse conducting,

S:Fast diode,

T:Reverse blocking.

? 包裝機械構造(Mechanical construction)

K: Mechanical construction.

H: Package: IHM / IHV B-Series.

IPrimePACK

M:Econo Dual

N1~3:EconoPACK 1~3

O:EconoPACK+

P: EconoPACK4

U1~3Smart 1~3

V:Easy 750

W1~3:EasyPACK, EasyPIM 1~3

※有關包裝尺寸與圖片將以另行篇幅描述

? 芯片類型Chip Type

F:Fast switching IGBT chip

H:High speed IGBT chip

J:SiC JFET chip

L:Low Loss IGBT chip

S:Fast trench IGBT chip

E:Low Sat & fast IGBT chip

T:Fast trench IGBT

P:Soft switching trench IGBT

※有關芯片類型與應用場合將以另行篇幅描述

? 模組特性(Particularity of the module)

C:With Emitter Controlled-Diode

D:Higher diode current

F:With very fast switching diode

G:Module in big housing

I:Integrated cooling

P:Pre-applied thermal interface material

R:Reduced numbers of pins

T:Low temperature type

-K:Design with common cathode

※有關模組特性將與芯片類型以另行篇幅描述

? 結構變化Construction variation

B1~n: Construction variation

S1~n: Electrical selection

末：

Infineon 的IGBT Module 種類齊全且多樣、豐富，但也不一定都是熱門且庫存穩定，若無從下手，或是希望能夠避免花了時間選型選到非大宗用料，歡迎撥冗與SAC的業務或PM 取得聯系。

<本篇未完，待續> 敬請關注后續更新！