在實時處理系統(tǒng)中，處理任務(wù)日趨復雜，對處理的實時性要求也越來越高，采用多處理器方案來滿足日益提高的要求是非常有必要的；而多處理器方案需要考慮多個處理器一起工作時的信息共享、設(shè)置值和記錄數(shù)據(jù)的掉電保持等問題。

針對以上這些問題，選用鐵電存儲器即可獲得完美的解決方案，本文主要介紹了國產(chǎn)2M大容量鐵電存儲器PB85RS2MC的性能特點，可以完全替代富士通的FM25V20A。

PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。和EEPROM比較，PB85RS2MC具有讀寫速度快（最高100萬次）、寫入壽命長、寫入耗能小等優(yōu)點。我們既可以把它們當作EEPROM使用，也可當作RAM使用（包括雙口RAM），這就大大地拓寬了其應(yīng)用范圍。由于PB85RS2MC集成度很高，用它對這幾種功能進行整合，可以使微機系統(tǒng)的工作更合理，線路板體積更小，結(jié)構(gòu)更緊湊。

PB85RS2MC應(yīng)用框圖

PB85RS2MC芯片為低功耗9微安（待機），工作電壓2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的溫度范圍內(nèi)工作，芯片的數(shù)據(jù)在85℃工作環(huán)境下可以保存10年，在25℃工作環(huán)境下可以保存200年，且具有防潮、防電擊和抗震等特性，能滿足惡劣的環(huán)境條件。

PB85RS2MC性能參數(shù)如下：

?容量：2M bit，提供SPI接口；

?工作頻率是25兆赫茲；

?高速讀特性：支持40MHz高速讀命令；

?工作環(huán)境溫度范圍：-40℃至85℃；

?封裝形式：8引腳SOP封裝，符合RoHS；

?性能兼容MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（賽普拉斯）；

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