在該設計中，當電壓轉換器（MAX100）升壓輸入電壓以驅動驅動n溝道MOSFET的穩壓器（MAX680）時，不會產生666mV壓差穩壓器。該電路使用n溝道MOSFET代替PNP晶體管來提供最低的壓差。

就低 RON，低壓差、正電壓穩壓器的最佳調整管是 N 溝道 MOSFET。然而，所有這些商用穩壓器都使用雙極性PNP調整管。在這些應用中，PNP晶體管可以完全飽和，因為基極電壓低于輸出電壓，產生小于0.4V的集電極-發射極電壓。相比之下，NPN調整管兩端的相應壓降大于VBE（SAT）（最小值為1.2V），因為穩壓器電路通常不提供高于輸入（VCC）的基極驅動電壓。

N 溝道 MOSFET 提供最低的 VDROP = IOUT × RON，但所需的 VGS 驅動隨輸出電流而變化，范圍比輸出電壓高 3 至 4 V。在圖1中，電路采用電壓轉換器芯片（IC1）提供該驅動電壓，該芯片使用電荷泵技術將5V輸入升壓至10V。然后，10V輸出驅動一個正電壓穩壓器（IC2），而IC2又驅動N溝道、邏輯電平MOSFET Q1。Q1可用的柵極驅動保持高電平（10V），因為進入IC2的低電源電流（10μA）通過IC1產生很小的IR壓降（約1.5mV），這使得IC1的輸出幾乎是VCC值的兩倍。

在500mA工作期間，壓差（維持穩壓的VCC-VOUT的最小值）僅為100mV。靜態電流僅為1mA，這要歸功于IC1和IC2的CMOS技術。電阻R3可防止MOSFET柵極在穩壓器關斷時浮動，反饋電阻R1和R2設置穩壓器的輸出電壓VOUT：

IC2還集成了一個低電池電量檢測器，當檢測器的輸入電壓（連接的LBI）低于1.3V時，其輸出（LOB）變為低電平。如圖所示，電路檢測VCC過壓。對于正常范圍VCC水平，LBO保持低電平，當VCC超過其上限（在本例中為6.3V）時，LBO變為高電平。當LBO將SHDN輸入拉高時，IC2關斷，從而通過移除其柵極驅動來防止調整管中的過度耗散。R7通過限制IC1的電流來保護IC1。

您還可以使用檢波器檢測Q1中的完全飽和（VCC小于VOUT加100mV的條件）。將 SHDN 接地。（或者，您可以通過使用 CMOS 門驅動 SHDN 來關閉和打開輸出。將R5–R6分壓器設置為在VCC = VOUT + 100mV時產生1.3V，然后監視LBO的低（故障）條件。

審核編輯：郭婷