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基于N溝道MOSFET實現BPS電路的理想方法

科技觀察員 ? 來源:homemade-circuits ? 作者:homemade-circuits ? 2023-06-27 17:29 ? 次閱讀

在這個設計中,我們看到了使用N溝道MOSFET實現BPS電路的理想方法。

在這種分立式雙向開關電路中,使用背靠背連接的N-香奈兒MOSFET。這種方法需要一個外部驅動器電路,以促進從A到B和反向的雙向功率傳導。

肖特基二極管BA159用于多路復用來自A和B的電源,以激活電荷泵電路,以便電荷泵能夠為N溝道MOSFET產生必要的導通電壓。

電荷泵可以使用標準倍壓器電路或小型升壓開關電路構建。

3.3 V用于為電荷泵提供最佳電源,而肖特基二極管直接從相應的輸入(A/B)獲得柵極電壓,即使輸入電源低至6

V。然后,MOSFET柵極的電荷ump使該6 V電壓加倍。

較低的 N 溝道 MOSFET 用于根據所需規格控制雙向開關的 ON/OFF 開關。

與前面討論的P溝道相比,使用N溝道MOSFET的唯一缺點是這些額外的元件可能會占用PCB上的額外空間。然而,MOSFET的低R(on)和高效率傳導以及低成本的小尺寸MOSFET抵消了這一缺點。

也就是說,這種設計也不能提供任何有效的過熱保護,因此可以考慮將超大尺寸器件用于高功率應用。

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