在這個設(shè)計中,我們看到了使用N溝道MOSFET實現(xiàn)BPS電路的理想方法。
在這種分立式雙向開關(guān)電路中,使用背靠背連接的N-香奈兒MOSFET。這種方法需要一個外部驅(qū)動器電路,以促進從A到B和反向的雙向功率傳導(dǎo)。
肖特基二極管BA159用于多路復(fù)用來自A和B的電源,以激活電荷泵電路,以便電荷泵能夠為N溝道MOSFET產(chǎn)生必要的導(dǎo)通電壓。
電荷泵可以使用標(biāo)準(zhǔn)倍壓器電路或小型升壓開關(guān)電路構(gòu)建。
3.3 V用于為電荷泵提供最佳電源,而肖特基二極管直接從相應(yīng)的輸入(A/B)獲得柵極電壓,即使輸入電源低至6
V。然后,MOSFET柵極的電荷ump使該6 V電壓加倍。
較低的 N 溝道 MOSFET 用于根據(jù)所需規(guī)格控制雙向開關(guān)的 ON/OFF 開關(guān)。
與前面討論的P溝道相比,使用N溝道MOSFET的唯一缺點是這些額外的元件可能會占用PCB上的額外空間。然而,MOSFET的低R(on)和高效率傳導(dǎo)以及低成本的小尺寸MOSFET抵消了這一缺點。
也就是說,這種設(shè)計也不能提供任何有效的過熱保護,因此可以考慮將超大尺寸器件用于高功率應(yīng)用。
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