電子發燒友網報道（文/劉靜）6月26日，深圳市志橙半導體材料股份有限公司（以下簡稱：志橙半導體）創業板IPO申請獲受理。

志橙半導體本次公開發行新股數量不超過2000萬股，募集8億元資金，用于SiC材料研發制造總部項目、SiC材料研發項目等。

志橙半導體成立于2017年，聚焦半導體設備的碳化硅涂層石墨零部件產品，并提供相關碳化硅涂層服務，主要產品可用于碳化硅外延設備、MOCVD設備、硅外延設備等多種半導體設備反應腔內。

根據QY Research統計數據，2021年CVD碳化硅零部件全球市場前六大廠商的市場份額合計接近70%，志橙半導體以2.02%的市場占有率躋身全球第十，為前十大廠商中唯一的中國廠商；2021年，CVD碳化硅零部件中國市場前四大廠商的市場份額合計接近80%，較全球市場集中度更高，志橙半導體以9.05%的市場占有率在中國市場排名第五，在中國企業中排名第一。

天眼查顯示，此前志橙半導體共完成3輪融資，投資方包括興橙資本、銀河源匯、華拓資本、粵財創投、鑫芯創投、國投創合等等。公司控股股東及實際控制人為朱佰喜，其直接持有公司15.50%的股份，并通過三個持股平臺分別持有公司8.84%、3.08%和0.99%股份，合計控制公司28.42%的股權。

三年營收翻漲近6倍，SiC外延設備零部件業務表現強勁

報告期內，志橙半導體實現的營業收入分別為0.42億元、1.19億元、2.76億元，三年營收翻漲近6倍，年復合增長率高達156.35%；同期取得的歸母凈利潤分別為0.16億元、0.51億元、1.15億元，年復合增長率比營收更高，達168.10%。總體來看，營收和凈利均呈現出快速增長的趨勢。

2020年、2021年及2022年，志橙半導體主營業務毛利率分別為72.77%、78.15%及78.49%，毛利率保持在較高水平，且呈逐年上升的趨勢。

目前，志橙半導體主要產品包括SiC外延設備、MOCVD設備、Si外延設備用碳化硅涂層石墨零部件，并持續開發半導體設備用實體碳化硅零部件、燒結碳化硅零部件等新產品。

報告期內，志橙半導體主營業務收入按產品分類構成情況如下：

志橙半導體營收最主要來源于半導體設備零部件業務，其中營收占比最大的是SiC外延設備零部件產品，報告期內該產品銷售收入高速增長，從2020年的455萬元沖到2022年的1.1億元，SiC外延設備零部件銷量突破33062件。SiC外延設備是應用化學氣相沉積法在碳化硅襯底上沿其原來的晶向再生長一層同質或異質SiC薄膜的設備。志橙半導體SiC外延設備零部件代表產品主要有6吋托盤、上半月件、下半月件，新能源汽車為主要終端市場。

MOCVD設備零部件是志橙半導體營收的第二大來源，2021年該產品收入同比增長129.80%至0.64億元，2022年進一步增長至0.66億元。志橙半導體MOCVD設備零部件代表產品主要為41片4吋石墨基座、36片4吋石墨基座、19片2吋石墨基座。

2022年志橙半導體三大板塊業務：半導體設備零部件、涂層服務、外購零部件同比增速分別為87.33%、475.56%、360.09%，涂層服務和外部零部件業務大幅提升。

截至本招股說明書簽署日，志橙半導體用于刻蝕設備的實體碳化硅零部件產品聚焦環已取得研發突破，進入客戶驗證階段。其客戶主要為半導體設備廠、外延片廠及晶圓廠。招股書顯示，志橙半導體2022年的前五大客戶為客戶A、三安光電、電科集團、瀚天天成、北方華創，合計銷售金額為1.44億元，占當期營業收入的比例為52.19%。

與同行企業比較：業務規模較小，產品類型較為單一，研發費用率較高

在半導體設備用碳化硅涂層石墨零部件領域，東海碳素、崇德昱博、西格里碳素、東洋炭素、闊斯泰等國際龍頭成立時間長，且北美、歐洲、日韓等地區半導體市場發展程度高，國際材料及零部件龍頭公司產品線布局相對完善，占據較高的市場份額。

境內半導體設備用碳化硅涂層石墨零部件行業內的主要企業為德智新材料、六方科技、成都超純、富創精密、神工股份、金博股份。

2022年志橙半導體與同行企業在營業收入、歸母凈利潤、總資產方面進行比較，具體如下所示：

志橙半導體與國際同業相比公司業務規模較小，資金實力較弱，產品類型較為單一，綜合競爭力仍存在不足。在技術水平上，志橙半導體主要產品在典型膜厚、表面粗糙度、熱膨脹系數（線）等指標上與西格里碳素、東海碳素部分國際同業對標產品一致性較高，技術實力及產品競爭力較強。若志橙半導體不能增強技術儲備、提高經營規模、增強資本實力，在行業全球化競爭中，可能導致志橙半導體市場競爭力下降、經營業績下滑。

志橙半導體重視科技創新的發展，報告期內，志橙半導體研發費用分別為433.29萬元、1367.21萬元和2708.90萬元，研發費用率分別為10.20%、11.48%和9.82%。志橙半導體研發費用占營業收入的比例均高于同行業可比公司平均水平，據了解主要是由于報告期內志橙半導體在涂層技術迭代及實體碳化硅等新研發方向上投入較高所致。

截至本招股說明書簽署日，志橙半導體共獲國內授權專利41項，其中發明專利24項，實用新型專利17項。除碳化硅涂層石墨基座等代表產品外，志橙半導體還積極拓展實體碳化硅、燒結碳化硅等新產品的研發并取得階段性進展。

募資8億研發SiC材料產品及技術

志橙半導體此次沖刺創業板IPO，擬募集8億元資金，投入以下三大項目：

SiC材料研發制造總部項目，志橙半導體擬投入3.15億元募集資金，建設1棟生產車間、1棟研發辦公樓、1棟動力站、1棟甲類庫。該募投項目建設完成后，主要從事半導體設備用碳化硅零部件的生產和研發，包括碳化硅涂層石墨零部件和實體碳化硅零部件等產品。

SiC材料研發項目，志橙半導體擬投入2.87億元資金，開展以下四大方向研發工作：碳化硅涂層石墨零部件研發和技術改進項目、實體碳化硅產品及技術研發項目、燒結碳化硅產品及技術研發項目、TaC涂層石墨產品及技術研發項目。

其中碳化硅涂層石墨零部件研發和技術改進項目，將開展用于生產的CVD碳化硅沉積爐及其集群數據采集系統、架構及工藝配方軟件的開發，核心原材料的超高純度純化工藝的研發。實體碳化硅產品及技術研發項目，將圍繞等離子刻蝕等集成電路制造設備所用到的碳化硅零部件，重點研發聚焦環、頂蓋、陪片、噴淋頭等產品。

燒結碳化硅產品及技術研發項目，則擬研發使用碳化硅原料粉體純化技術、超聲波清洗技術、超薄管壁凝膠成型技術及CVD涂層等相關技術。TaC涂層石墨產品及技術研發項目，研發可大規模生產致密均勻的TaC涂層石墨部件的工藝路線，制備TaC涂層的石墨產品，用于碳化硅外延設備或碳化硅單晶爐設備。