相關(guān)資料顯示，在 MEMS 系統(tǒng)中發(fā)生的可靠性問(wèn)題 50% 來(lái)自封裝過(guò)程。2001年左右，封裝成本占MEMS器件總成本的70%~80%，使當(dāng)時(shí)MEMS傳感器售價(jià)高昂，是早期阻礙MEMS技術(shù)推廣的最重要原因之一。因此，封裝是MEMS研發(fā)過(guò)程的重要環(huán)節(jié)，封裝決定了MEMS 器件的可靠性以及成本，同時(shí)，封裝決定了MEMS傳感器的最終大小，是MEMS傳感器小型化的關(guān)鍵，這些是MEMS 器件實(shí)用化和商業(yè)化的前提。本文將帶你了解MEMS傳感器封裝的技術(shù)以及挑戰(zhàn)，文末附有全球MEMS封測(cè)領(lǐng)域的頭部企業(yè)名單，中國(guó)作為半導(dǎo)體封測(cè)大國(guó)，多家傳統(tǒng)封測(cè)企業(yè)的MEMS封測(cè)業(yè)務(wù)進(jìn)入全球前列，我國(guó)同樣是MEMS封測(cè)大國(guó)。

什么是MEMS器件封裝？MEMS封裝與一般芯片封裝有什么不同？

MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）是將微電子技術(shù)與機(jī)械工程融合到一起的一種工業(yè)技術(shù)，通過(guò)半導(dǎo)體制造等微納加工手段，形成特征尺度為微納米量級(jí)的具有機(jī)械結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)裝置。

MEMS工藝與傳統(tǒng)的IC工藝有許多相似之處，MEMS借鑒了IC工藝，如光刻、薄膜沉積、摻雜、刻蝕、化學(xué)機(jī)械拋光工藝等，對(duì)于毫米甚至納米級(jí)別的加工技術(shù)，傳統(tǒng)的IC工藝是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的，必須得依靠微加工，進(jìn)行精細(xì)的加工，能達(dá)到想要的結(jié)構(gòu)和功能。

微加工技術(shù)包括硅的體微加工技術(shù)、表面微加工技術(shù)。體加工技術(shù)是指沿著硅襯底的厚度方向?qū)枰r底進(jìn)行刻蝕的工藝，是實(shí)現(xiàn)三維結(jié)構(gòu)的重要方法。表面微加工是采用薄膜沉積、光刻以及刻蝕工藝，通過(guò)在犧牲層薄膜上沉積結(jié)構(gòu)層薄膜，然后去除犧牲層釋放結(jié)構(gòu)層實(shí)現(xiàn)可動(dòng)結(jié)構(gòu)。（相關(guān)內(nèi)容參看《MEMS傳感器芯片是這樣被制造出來(lái)的！》）

▲復(fù)雜的晶圓級(jí)MEMS傳感器封裝3D視圖

相比一般的集成電路芯片（IC），MEMS制造工藝不追求先進(jìn)制程，而更注重功能特色化，即利用微納結(jié)構(gòu)或/和敏感材料實(shí)現(xiàn)多種傳感和執(zhí)行功能，工藝節(jié)點(diǎn)通常從500nm到110nm，襯底材料也不局限硅，還包括玻璃、聚合物、金屬等。

▲具有薄膜機(jī)械結(jié)構(gòu)的MEMS聲學(xué)傳感器芯片內(nèi)部工作情況（由高精度傳感器實(shí)拍）

MEMS器件具有三維機(jī)械結(jié)構(gòu)、產(chǎn)品設(shè)計(jì)和制造技術(shù)的多樣性，決定了MEMS封裝與傳統(tǒng)IC封裝存在諸多不同且更加復(fù)雜。

從“消費(fèi)類應(yīng)用的低成本封裝”到“汽車和航空行業(yè)的耐高溫和抗惡劣氣候的高可靠性封裝”；從“裸露在大氣環(huán)境下的開放式封裝”到“需要抽真空的密閉式封裝”——各種應(yīng)用需求對(duì)MEMS封裝提出了諸多挑戰(zhàn)，傳感器封裝比C封裝更嚴(yán)苛。

下圖來(lái)自咨詢公司Yole的MEMS產(chǎn)業(yè)報(bào)告，直觀展示了各種各樣的MEMS傳感器&執(zhí)行器，可以看到不同MEMS器件的封裝形式和結(jié)構(gòu)差異極大。

▲來(lái)自yole

傳感器必須直接與被測(cè)個(gè)質(zhì)接觸，被測(cè)個(gè)質(zhì)的環(huán)境可能是高溫、高壓、高腐蝕、高濕、強(qiáng)輯照、強(qiáng)沖擊、強(qiáng)振動(dòng)等惡劣環(huán)境，而IC器件的工作環(huán)境通常較好，一般在常溫、常壓下。

傳感器封裝不僅要考慮制作的電子元器件安全穩(wěn)定地工作，還要考慮功能結(jié)構(gòu)器件正常穩(wěn)定的功能件動(dòng)作:如果說(shuō)集成電路封裝是平面二維包惠性密封保護(hù)，則傳感器系統(tǒng)封裝是有工藝要求和結(jié)構(gòu)要求的三維封裝，它不僅要求傳感器的系統(tǒng)封裝具有完成保護(hù)敏感芯片(例如硅芯片的電性能、敏傳感器的吸附和電激發(fā)性能)、鍵合引線、線路補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)等不受環(huán)境影響，同時(shí)還要保證傳感器敏感芯片在封裝后仍可實(shí)現(xiàn)可動(dòng)功能部件、元件或檢測(cè)敏感單元對(duì)傳感檢測(cè)的感知?jiǎng)幼髡！o(wú)干擾。

▲MEMS與IC封裝的區(qū)別

MEMS封裝技術(shù)對(duì)MEMS器件的影響

傳統(tǒng) MEMS 定律認(rèn)為，“一種產(chǎn)品，一種工藝，一種封裝”，每種 MEMS 器件要求特定的工藝和封裝技術(shù)。封裝技術(shù)決定了MEMS 器件的成本和可靠性，是MEMS 普遍實(shí)用化的基礎(chǔ)和實(shí)現(xiàn)商業(yè)化成功的關(guān)鍵因素。

一方面，封裝成本制約了MEMS 商業(yè)化發(fā)展。由于MEMS 器件種類多樣，同時(shí)大多數(shù)MEMS器件的封裝都是面向特定應(yīng)用，一種制造工藝和封裝工藝很難簡(jiǎn)單的移植到其他MEMS 器件開發(fā)中，工業(yè)上MEMS 封裝沒(méi)有統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)，這極大增加了MEMS 器件開發(fā)的技術(shù)難度和成本。

據(jù)2001年一篇在第14屆IEEE國(guó)際技術(shù)會(huì)議發(fā)表的《Overview and development trends in the field of MEMS packaging》論文數(shù)據(jù)顯示，當(dāng)時(shí)一般 MEMS僅封裝成本就占總成本的 70% 以上，使MEMS傳感器售價(jià)高昂，阻礙了MEMS傳感器的推廣。

但隨著 MEMS 技術(shù)的不斷發(fā)展成熟，廠商開發(fā)出成本低、效果理想的材料和封裝技術(shù)，降低了MEMS器件的封裝成本，根據(jù) Yole developpement 的研究，目前廠商MEMS成本中，封裝約占 30%~40%，IC 約占 40%~50%。

譬如博世MEMS慣性傳感器BMC050的成本構(gòu)成中，專用芯片占比48%，封裝測(cè)試成本35%，MEMS芯片成本13%。

▲博世MEMS慣性傳感器BMC050成本構(gòu)成

另一方面，MEMS 封裝的可靠性制約MEMS 普遍實(shí)用化。與IC不同，MEMS 一般包含精密可動(dòng)微結(jié)構(gòu)，MEMS 封裝不僅需要提供必要的電學(xué)和其他物理場(chǎng)的互聯(lián)，還需對(duì)MEMS 結(jié)構(gòu)以及電連接等提供支持和保護(hù)，使之免受外部環(huán)境的干擾或破壞。封裝中面臨著結(jié)構(gòu)優(yōu)化、工藝條件的選擇、熱力學(xué)效應(yīng)和多物理場(chǎng)耦合等問(wèn)題。研究表明，在MEMS 系統(tǒng)中發(fā)生的可靠性問(wèn)題50%來(lái)自電子封裝過(guò)程。

MEMS封裝的作用和挑戰(zhàn)

MEMS封裝除了包括IC封裝的功能部分，即電源分配、信號(hào)分配和散熱等，還需要考慮應(yīng)力、氣密性、隔離度、特殊的封裝環(huán)境和引出等問(wèn)題。

1機(jī)械支撐

MEMS芯片有的帶有腔體，有的帶有懸梁，這些微機(jī)械結(jié)構(gòu)的尺寸很小，強(qiáng)度極低，容易因機(jī)械接觸而損壞和因暴露而沾污，特別是單面加工的器件，是在很薄的薄膜上批量加工的，結(jié)構(gòu)的強(qiáng)度就更低，它能承受的機(jī)械強(qiáng)度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于IC芯片，對(duì)封裝的機(jī)械性能提出了更高要求。

2環(huán)境保護(hù)

MEMS封裝一方面需要對(duì)微結(jié)構(gòu)、電路和電氣連接進(jìn)行保護(hù)，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性：另一方面又必須對(duì)傳感器芯片提供一個(gè)或多個(gè)環(huán)境接口，使其能充分感知待測(cè)物理量的變化，從信號(hào)界面來(lái)說(shuō)，MEMS的輸入信號(hào)界面復(fù)雜，可能為光信號(hào)（光電探測(cè)器）、磁信號(hào)（磁敏器件），還有機(jī)械力的大小（壓力傳感器）、溫度的高低（溫度傳感器）、氣體的成分（敏感氣體探測(cè)器）等，這種復(fù)雜的信號(hào)界面給封裝帶來(lái)極大的挑戰(zhàn)。

例如，光學(xué)MEMS器件可能由于沖擊、震動(dòng)或熱膨脹等原因產(chǎn)生的封裝應(yīng)力，造成光路對(duì)準(zhǔn)發(fā)生偏移；MEMS陀螺儀的可動(dòng)部件需要在真空環(huán)境中運(yùn)動(dòng)以減小摩擦，達(dá)到長(zhǎng)期可靠工作的目標(biāo)；紅外探測(cè)器（微測(cè)輻射熱計(jì)）應(yīng)該采用真空封裝技術(shù)，以減小其與周圍空氣之間的熱導(dǎo)，同時(shí)還需要高透過(guò)率的紅外窗口；MEMS麥克風(fēng)可以根據(jù)各種應(yīng)用需求采用不同開孔位置（例如頂部、底部、側(cè)面）的封裝，但同時(shí)也會(huì)影響器件的聲學(xué)性能（例如信噪比）。

▲OQmentedMEMS微鏡產(chǎn)品使用獨(dú)特的“氣泡（Bubble）”封裝

3 電氣連接

電氣連接不僅指MEMS器件與上一級(jí)系統(tǒng)之間的信號(hào)連接（包括提供通往芯片的電源和接地連接），而且包括MEMS器件內(nèi)部的信號(hào)通路連接。當(dāng)MEMS器件與電路集成時(shí)，就需要考慮系統(tǒng)的信號(hào)分配和功率分配。

目前，MEMS傳感器需要用到ASIC芯片，通常與MEMS die芯片封裝在一起，一般采用引線鍵合（下圖a所示），或者倒裝芯片鍵合（下圖b所示）的連接方式。

▲來(lái)源：《Introduction to MEMS Packaging》

除此之外，在實(shí)際的MEMS封裝中，其必須考慮下面一些因素，首先，封裝必須給傳感器帶來(lái)的應(yīng)力要盡可能小，材料的熱膨脹系數(shù)（CTE）必須與硅的熱膨脹系數(shù)相近或稍大，由于材料的不匹配，很容易導(dǎo)致界面應(yīng)力，從而使芯片發(fā)生破裂或者分層。對(duì)于應(yīng)力傳感器，在設(shè)計(jì)時(shí)就必須考慮封裝引起的應(yīng)力給器件性能的影響，

其次，對(duì)于一般的MEMS結(jié)構(gòu)和電路封裝，散熱是必須要給予充分重視的，高溫下器件失效的可能性會(huì)大大增加，而對(duì)于熱流量計(jì)和紅外傳感器，適當(dāng)?shù)臒岣綦x會(huì)提高傳感器的靈敏度。

再次，對(duì)于一些特殊的傳感器和執(zhí)行器，需要對(duì)封裝的氣密性進(jìn)行考慮，封裝的氣密性和漏氣對(duì)于提高壓力傳感器的精度和使用壽命是至關(guān)重要的。而對(duì)于一些有可動(dòng)部件的傳感器，進(jìn)行真空封裝可以避免振動(dòng)結(jié)構(gòu)的空氣阻尼，提高使用壽命，最后，由于MEMS傳感器的輸出信號(hào)都是微納量級(jí)的，所以必須考慮封裝給器件帶來(lái)的寄生效應(yīng)。

▲MEMS麥克風(fēng)封裝示意圖

MEMS封裝的技術(shù)分類和趨勢(shì)

隨著各種MEMS新產(chǎn)品的不斷問(wèn)世，先進(jìn)的MEMS器件的封裝技術(shù)正在研發(fā)之中。MEMS封裝建立在IC封裝基礎(chǔ)之上，并衍生出新的封裝技術(shù)和工藝，例如陽(yáng)極鍵合、硅熔融鍵合、硅通孔（TSV）、玻璃通孔（TGV）等，進(jìn)而反哺IC封裝。

MEMS封裝可以分為芯片級(jí)封裝、器件級(jí)封裝、系統(tǒng)級(jí)封裝三個(gè)層級(jí)，各級(jí)別封裝在技術(shù)層面相互關(guān)聯(lián)，具體應(yīng)用需要根據(jù)“可制造性、成本、功能”進(jìn)行權(quán)衡。當(dāng)前，芯片級(jí)CSP和晶圓級(jí)WLP封裝是MEMS進(jìn)行批量生產(chǎn)和微型化的主要途徑。

芯片級(jí)封裝

芯片級(jí)封裝的要求有:①保護(hù)芯片或其他核心元件避免塑性變形或破裂，②保護(hù)信號(hào)轉(zhuǎn)換電路，③為這些元件提供必要的電隔離和機(jī)械隔離；④確保系統(tǒng)在正常操作狀態(tài)和超載狀態(tài)下的功能實(shí)現(xiàn)。

通常采用粘結(jié)劑封接技術(shù)。黏合劑封裝具有兩種典型形式。其一，用于將芯片固定在傳感器的底座材料(又稱基座)》上。其采用環(huán)氧樹脂或硅橡膠充灌填充或表面涂覆，用于防水、防塵保護(hù)器件，使引線或結(jié)構(gòu)不受損壞。

器件級(jí)封裝

器件級(jí)封裝包含信號(hào)調(diào)節(jié)和處理，大多數(shù)情況下，對(duì)于傳感器來(lái)說(shuō)需要包含電橋和信號(hào)調(diào)節(jié)電路的保護(hù)。對(duì)于設(shè)計(jì)人員來(lái)該級(jí)封裝最大的挑戰(zhàn)是如何完成設(shè)計(jì)的信號(hào)電路接口保護(hù)封裝。

系統(tǒng)級(jí)封裝

系統(tǒng)級(jí)封裝主要是對(duì)芯片和核心元件以及主要的信號(hào)處理電路的封裝。系統(tǒng)封裝需要對(duì)電路進(jìn)行電磁屏蔽、力和熱隔離，金屬外罩通常對(duì)避免機(jī)械和電磁影響起到出色的保護(hù)作用。

譬如智能手機(jī)的5G射頻前端模組，博通、村田制作所、思佳等多家廠商采用MEMS SiP封裝（系統(tǒng)級(jí)封裝），以減少體積、降低功耗。

▲5G MEMS 射頻前端模組的系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP），來(lái)源：Microwave Journal

目前，MEMS產(chǎn)業(yè)正向多種傳感器集成方向前進(jìn)，形成“慣性、環(huán)境、光學(xué)”三大類組合傳感器，具有三種典型的封裝形式：密閉封裝（Closed Package）、開放腔體（Open Cavity）、光學(xué)窗口（Open-eyed）。

相比分立器件，組合傳感器具有一些優(yōu)勢(shì)：（1）多種傳感器可以共享ASIC芯片，共用封裝外殼，能夠降低產(chǎn)品成本；（2）如果兩種傳感器工藝相近，可以做成單芯片，能夠極大減小傳感器尺寸；（3）多種傳感器數(shù)據(jù)經(jīng)過(guò)濾波、融合，以及人工智能等算法處理，可以提高產(chǎn)品附加值，使得競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手難以模仿。

▲三大類組合傳感器及封裝形式

MEMS封裝中的一些關(guān)鍵技術(shù)介紹

陽(yáng)極鍵合

將玻璃與金屬、合金或半導(dǎo)體鍵合在一起，不用任何黏結(jié)劑的一種工藝技術(shù)。又稱靜電鍵合、靜電封接，是傳感器封裝的主要技術(shù)之一。

陽(yáng)極鍵合是微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）主要封裝技術(shù)之一，陽(yáng)極鍵合用于保護(hù)諸如微傳感器的設(shè)備。陽(yáng)極鍵合的主要優(yōu)點(diǎn)是，它可以產(chǎn)生牢固而持久的鍵合，而無(wú)需粘合劑或過(guò)高的溫度，而這是將組件融合在一起所需要的。

陽(yáng)極鍵合的主要缺點(diǎn)是可以鍵合的材料范圍有限，并且材料組合還存在其他限制，因?yàn)樗鼈冃枰哂蓄愃频臒崤蛎浡氏禂?shù)-也就是說(shuō)，它們?cè)诩訜釙r(shí)需要以相似的速率膨脹，否則差異膨脹可能會(huì)導(dǎo)致應(yīng)變和翹曲。

▲來(lái)源：中國(guó)大百科全書

直接鍵合

室溫下進(jìn)行粘貼的兩晶圓經(jīng)過(guò)高溫退火處理直接鍵合在一起，不需要任何黏結(jié)劑和外加電場(chǎng)，且具有良好的結(jié)合強(qiáng)度的技術(shù)。又稱硅熔融鍵合。

直接鍵合的優(yōu)點(diǎn)是：可以獲得Si-Si鍵合界面，實(shí)現(xiàn)材料的熱膨脹系數(shù)、彈性系數(shù)等的最佳匹配，得到一體化的結(jié)構(gòu)鍵合強(qiáng)度可以達(dá)到或絕緣體自身的強(qiáng)度量值，且氣密性好。利于提高產(chǎn)品的長(zhǎng)期穩(wěn)定性和溫度穩(wěn)定性。

直接鍵合的主要缺點(diǎn)：直接鍵合需在高溫(700~1100°C)下才能完成，而高溫處理過(guò)程難以控制，且不便操作，因此，能否在較低溫度或常溫下實(shí)現(xiàn)Si-Si直接鍵合，就成為人們關(guān)注的一項(xiàng)工藝，這項(xiàng)工藝的關(guān)鍵是，選用何種物質(zhì)對(duì)被鍵合的表面進(jìn)行活化處理。

硅通孔（TSV）

硅通孔（Through Silicon Via，TSV）是一種先進(jìn)的三維互連技術(shù)，也是實(shí)現(xiàn)3D 集成封裝的關(guān)鍵組件，屬于晶圓級(jí)封裝技術(shù)。TSV采用垂直互連模組，由此提高了電學(xué)性能（例如高導(dǎo)電性和低電阻電容延遲） ，目前已經(jīng)廣泛應(yīng)用干MEMS聚件，存儲(chǔ)器，圖像傳感器，功率放大器，生物應(yīng)用設(shè)備和多種手機(jī)芯片，是微電子制造最具前途的技術(shù)之一。

TSV能夠使芯片在維方向堆疊的密度最大、芯片之間的互連線最短、外形尺寸最小，并且大大改善芯片速度和低功耗的性能。

▲MEMS芯片中的TSV技術(shù)應(yīng)用，來(lái)源：民生證券

玻璃通孔（TGV）

玻璃通孔(Through Glass Via,TGV)，一種先進(jìn)封裝技術(shù)，其材質(zhì)基于超薄玻璃襯底。

玻璃通孔(TGV)和硅通孔（TSV）工藝相比，TGV的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在：

1）優(yōu)良的高頻電學(xué)特性。玻璃材料是一種絕緣體材料，介電常數(shù)只有硅材料的1/3左右，損耗因子比硅材料低2-3個(gè)數(shù)量級(jí)，使得襯底損耗和寄生效應(yīng)大大減小，保證了傳輸信號(hào)的完整性；

2）大尺寸超薄玻璃襯底易于獲取。Corning、Asahi以及SCHOTT等玻璃廠商可以提供超大尺寸（>2m × 2m）和超薄（<50μm）的面板玻璃以及超薄柔性玻璃材料。

3）低成本。受益于大尺寸超薄面板玻璃易于獲取，以及不需要沉積絕緣層，玻璃轉(zhuǎn)接板的制作成本大約只有硅基轉(zhuǎn)接板的1/8；

4）工藝流程簡(jiǎn)單。不需要在襯底表面及TGV內(nèi)壁沉積絕緣層，且超薄轉(zhuǎn)接板中不需要減薄；

5）機(jī)械穩(wěn)定性強(qiáng)。即便當(dāng)轉(zhuǎn)接板厚度小于100μm時(shí)，翹曲依然較小；

6）應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，是一種應(yīng)用于晶圓級(jí)封裝領(lǐng)域的新興縱向互連技術(shù)，為實(shí)現(xiàn)芯片-芯片之間距離最短、間距最小的互聯(lián)提供了一種新型技術(shù)途徑，具有優(yōu)良的電學(xué)、熱學(xué)、力學(xué)性能，在射頻芯片、高端MEMS傳感器、高密度系統(tǒng)集成等領(lǐng)域具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，是下一代5G、6G高頻芯片3D封裝的首選之一。

▲玻璃穿孔填空技術(shù)，來(lái)源：半導(dǎo)體失效分析

基于材料的MEMS傳感器封裝分類和特性

因?yàn)镸EMS器件功能多樣性，同時(shí)適用的環(huán)境也各不一樣，被測(cè)個(gè)質(zhì)的環(huán)境可能是高溫、高壓、高腐蝕、高濕、強(qiáng)輯照、強(qiáng)沖擊、強(qiáng)振動(dòng)等惡劣環(huán)境，因此衍生出各種材料的MEMS封裝形式。

金屬封裝

通常被用于微波多芯片模塊以及混合電路。金屬外殼具有良好的散熱能力以及電磁屏蔽能力，還能有效地隔絕周圍環(huán)境的有害接觸。

陶瓷封裝

由于陶瓷封裝外殼具有高的彈性模量以及抗彎強(qiáng)度，因此可以作為需要精確傳感器件的剛性基，可密封并且能夠經(jīng)受惡劣的工作條件。

塑料封裝

由于塑料外殼的低材料制造成本，廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)業(yè)以及其他應(yīng)用之中。但是，它們?cè)诟呖煽啃詰?yīng)用方面的問(wèn)題難以忽視。由于各種原因，一些塑料封裝MEMS產(chǎn)品由原來(lái)的熱固性包覆成型向熱塑腔封裝方案轉(zhuǎn)移。

圓片級(jí)封裝（WLP）

圓片級(jí)封裝需要硅結(jié)構(gòu)的鍵合。為了保證與周圍環(huán)境適當(dāng)隔離，此工藝需要蓋住易碎的結(jié)構(gòu)。根據(jù)MEMS芯片要求，目前有兩類方法：一種是圓片與圓片的鍵合，一種是芯片與圓片的鍵合。

玻璃封裝

由于玻璃具有很高的強(qiáng)度，主要應(yīng)用封蓋操作過(guò)程。特別是在壓縮應(yīng)用中，它還具有良好的電學(xué)特性，允許不同設(shè)計(jì)方案的MEMS器件封裝在芯片或圓片上。此外由于可以制造出各種尺寸的玻璃封蓋，因此玻璃封蓋的設(shè)計(jì)非常靈活，有可能用一個(gè)玻璃封蓋就能將單一芯片甚至是整個(gè)圓片覆蓋住。

國(guó)內(nèi)外MEMS封裝主要企業(yè)

1、日月光半導(dǎo)體

據(jù)著名咨詢機(jī)構(gòu)Yole發(fā)布的《2022MEMS產(chǎn)業(yè)報(bào)告》顯示，全球MEMS產(chǎn)業(yè)中OSAT（封裝測(cè)試）公司，我國(guó)臺(tái)灣企業(yè)日月光半導(dǎo)體和美國(guó)安靠科技（Amkor）是營(yíng)收規(guī)模最大的兩家企業(yè)，MEMS封測(cè)業(yè)務(wù)營(yíng)收均在2億美元以上。

日月光半導(dǎo)體是臺(tái)灣一家半導(dǎo)體封裝與測(cè)試制造服務(wù)公司，提供半導(dǎo)體客戶包括芯片前段測(cè)試及晶圓針測(cè)至后段之封裝、材料及成品測(cè)試的一元化服務(wù)，目前全球最大的半導(dǎo)體封測(cè)企業(yè)，也是MEMS封測(cè)龍頭公司。

2、安靠科技（Amkor）

安靠科技（Amkor）是一家美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)品封裝和測(cè)試服務(wù)提供商，全球第二大半導(dǎo)體封測(cè)企業(yè)，據(jù)產(chǎn)品書介紹“是全球最大型的 MEMS和 MOEMS （封裝）外包提供商。”

3、長(zhǎng)電科技

長(zhǎng)電科技，中國(guó)最大的半導(dǎo)體封測(cè)企業(yè)，也是全球第三大封測(cè)公司，其MEMS封測(cè)業(yè)務(wù)營(yíng)收為5000萬(wàn)~2億美元量級(jí)。

4、UTAC

UTAC是提供半導(dǎo)體封裝測(cè)試服務(wù)的全球大型供應(yīng)商之一，成立于1997年總部位于新加坡。其MEMS封測(cè)業(yè)務(wù)2022年?duì)I收為5000萬(wàn)~2億美元量級(jí)。

5、南茂科技（Chipmos）

南茂科技是我國(guó)臺(tái)灣封測(cè)企業(yè)，是全球第十大的封測(cè)公司，其中顯示器驅(qū)動(dòng)IC封測(cè)產(chǎn)能排名據(jù)世界第二位。MEMS封測(cè)業(yè)務(wù)方面，南茂科技2022年?duì)I收為5000萬(wàn)~2億美元量級(jí)。

6、華天科技

華天科技是中國(guó)大陸第三大、全球第五大的封測(cè)企業(yè)，其MEMS封測(cè)業(yè)務(wù)營(yíng)收為1000萬(wàn)~5000美元量級(jí)。

2014 年，國(guó)產(chǎn)MEMS傳感器龍頭企業(yè)敏芯股份與華天科技合作，并成功轉(zhuǎn)移敏芯獨(dú)有知識(shí)產(chǎn)權(quán)的 OCLGA 封裝等多種麥克風(fēng)封裝技術(shù)，使華天科技增添了MEMS封裝代工技術(shù)與能力。

本文部分資料來(lái)源：《Introduction to MEMS Packaging》中國(guó)大百科全書-傳感器封裝技術(shù)https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1&ID=421176&SubID=140961中國(guó)大百科全書-陽(yáng)極鍵合技術(shù)https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1&ID=199395&Type=bkzyb&SubID=140961麥姆斯咨詢-MEMS封裝技術(shù)http://www.mems.me/mems/Training_202111/11060.html電子發(fā)燒友-MEMS封裝技術(shù)進(jìn)行探討研究與MEMS器件封裝優(yōu)勢(shì)http://m.xsypw.cn/d/668535.html艾粄半導(dǎo)體網(wǎng)-先進(jìn)封裝工藝之TGV 玻璃通孔https://www.ab-sm.com/a/22123Yole《Status of the MEMS Industry 2022》

審核編輯 黃宇