導語

半導體可以摻雜其他材料，變成p型或n型。pn結(jié)二極管可以是正向偏置或反向偏置。led是產(chǎn)生光子的正向偏壓二極管。太陽能電池是吸收光子的pn結(jié)，給電子足夠的能量進入導帶。

#1半導體材料

Semiconductor materials

用作半導體的元素，如硅和鍺，有四個外層電子。這意味著它們可以與其他相同的原子形成四個鍵。

在純硅晶體中，每個硅原子被另外四個硅原子所包圍。在這種狀態(tài)下硅不導電。

純硅可以摻雜少量雜質(zhì)，方法是在液體半導體結(jié)晶之前將雜質(zhì)以氣體的形式擴散到液體半導體中。

#2N型半導體

n-type semiconductors

如果將具有五個外層電子的雜質(zhì)元素，如砷，少量添加到硅中(大約每一百萬個硅原子中有一個雜質(zhì)原子)，則雜質(zhì)原子將適應(yīng)晶體結(jié)構(gòu)。

額外的外層電子不會成鍵進入晶體的價帶。這種摻雜影響了電子在能帶之間移動的能力。更多的電子在傳導帶中可用。

這種雜質(zhì)使材料具有導電性，稱為n型硅。n型是指多余電子的負電荷。

#3P型半導體

p-type semiconductors

如果一個有三個外層電子的雜質(zhì)元素，比如銦，以同樣小的數(shù)量加入到硅中，那么雜質(zhì)原子將會融入晶體結(jié)構(gòu)，但會少一個電子。

這種摻雜為價帶以上的電子提供了更多的空間。這增加了材料的導電性。

這種雜質(zhì)使材料具有導電性，稱為p型硅。p型是指缺電子引起的間隙帶輕微的正電荷。

tips

n型和p型半導體沒有總電荷。雜質(zhì)原子中的質(zhì)子平衡了摻雜半導體中電子數(shù)量的增加或減少。

#4半導體pn結(jié)二極管

Semiconductor p-n junction diode

在形成晶體時，將半導體晶體的一半摻雜p型雜質(zhì)，另一半摻雜n型雜質(zhì)，形成pn結(jié)二極管。

#5無偏pn結(jié)

Unbiased p-n junction

無偏條件意味著沒有外部能量源(沒有電壓)。

在無偏二極管中，在n型和p型材料之間的耗盡層上設(shè)置電場。這是由摻雜引起的自由電子不平衡引起的。

#6反向偏置二極管

Reverse biased diode

在反向偏置情況下，將二極管與p型連接到負電源端，將n型連接到正電源端。穿過耗盡層的電場增大。這就像一個阻擋電子流動的屏障。

#7正偏二極管

Forward biased diode

在正向偏壓下，n型導帶中的電子向p型導帶移動。

電子從p型半導體的導帶下降到價帶。能量水平的下降導致能量被釋放。在普通的pn結(jié)二極管中，這種能量使二極管在導電時發(fā)熱。

tips

二極管只允許電流向一個方向流動。

#8led——發(fā)光二極管

led - Light emitting diode

根據(jù)所使用的雜質(zhì)和半導體，導電帶和價帶之間的能級差異可以大到足以以光子的形式發(fā)射能量。這是一個發(fā)光二極管，簡稱LED。

#9光敏二極管

Photodiodes

還可以制造二極管，使結(jié)吸收光的光子。

當光的光子被吸收時，它提供的能量可以使p型半導體的價帶中的電子被提升到導帶。電子流向結(jié)中的n型半導體。這會在二極管上產(chǎn)生電位差，并使其產(chǎn)生電動勢。

這是一個光電二極管或光伏電池。

審核編輯：湯梓紅