一、世界集成電路的歷史

1947年，John Bardin、Bratton、Shockley在位于美國的Baer實驗室發(fā)明了晶體管，這是微電子技術(shù)發(fā)展的第一個里程碑。

1950年，結(jié)型晶體管問世。

1951年，場效應晶體管發(fā)明

1956年，C S Fuller發(fā)明了擴散工藝

1958年，仙童公司的羅伯特·諾伊斯（Robert Noyce）和德義的柯比（Kirby）分別在幾個月內(nèi)發(fā)明了集成電路，創(chuàng)造了世界微電子的歷史。

1960年：H H Loor和E Castellani發(fā)明了光刻工藝

1962年：美國RCA公司研制的MOS場效應晶體管

1963年：F.M.Wallass和C.T.Sah首次提出了CMOS技術(shù)。如今，超過95%的集成電路芯片基于CMOS技術(shù)

1964年：英特爾摩爾提出摩爾定律，預測晶體管的集成度將每1個月增加18倍。

1966年：RCA公司研制出CMOS IC，研制出第一個門陣列（50門），為大規(guī)模集成電路的發(fā)展奠定了堅實的基礎(chǔ)，具有里程碑意義。

1979年：英特爾推出5MHz 8088微處理器，隨后IBM推出全球首款基于8088的PC

1981年：256Kb DRAM和64KB CMOS SRAM問世

1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256Kb SRAM

1985年：80386微處理器問世，20MHz

1988年：16M DRAM問世，1平方厘米大小的硅芯片集成35萬個晶體管，標志著進入超大規(guī)模集成電路（VLSI）階段。

1989年：1Mb DRAM進入市場

1989年：486個微處理器，25MHz，1微米m，以及后來的50MHz芯片，使用0.8微米M

1992年：64M位隨機存取存儲器問世

1993年：推出66MHz奔騰處理器，采用0.6微米m工藝

1995年：奔騰Pro，133MHz，采用0.6-0.35M技術(shù);

1997年：300MHz奔騰II問世，采用0.25微米m工藝

1999年：奔騰III問世，450MHz，采用0.25微米m工藝，再采用0.18微米m工藝

2000年：1Gb RAM上市

2000年：奔騰4，1.5GHz，使用0.18 - M工藝

2001年：英特爾宣布在0年下半年采用13.2001 - M工藝。

2003年：奔騰4 E系列，采用90nm技術(shù)。

2005年：英特爾酷睿2系列上市65nm技術(shù)。

2007年：基于新的45納米高K工藝的Intel Core 2 E7/E8/E9上市。

2009年：英特爾酷睿I系列推出新紀錄，采用32納米工藝領(lǐng)先，而22納米技術(shù)正在開發(fā)下一代。

二、我國集成電路發(fā)展史

我國集成電路產(chǎn)業(yè)誕生于60年代，經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：

1965年-1978年：以支持計算機和軍工為目標，以發(fā)展邏輯電路為主要產(chǎn)品，初步建立了集成電路工業(yè)基礎(chǔ)和相關(guān)設備、儀器和材料的配套條件。

1978年-1990年：主要進口二手設備，提高集成電路設備水平，在“治理分散無序”的同時，以消費者為支撐點，解決國內(nèi)彩電集成電路

1990-2000年：圍繞908工程和909工程，以CAD為突破口，重點建設北方科技攻關(guān)基地和研發(fā)基地，服務信息產(chǎn)業(yè)，集成電路產(chǎn)業(yè)取得新進展。

集成電路產(chǎn)業(yè)是集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各部分銷售的整體市場，其中不僅包括IC市場，還包括IP市場、EDA市場、核芯片代工市場、封裝市場，甚至延伸到設備和材料市場。

IC行業(yè)不再依賴于CPU和存儲器等單一器件的開發(fā)。移動互聯(lián)網(wǎng)、三網(wǎng)融合、多屏交互、智能終端帶來多重市場空間，商業(yè)模式不斷創(chuàng)新，為市場注入新活力。目前，我國集成電路產(chǎn)業(yè)具有一定的基礎(chǔ)，多年來我國集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新活力的積累，對電源市場開拓能力的積累，對資源的整合和廣闊的市場潛力，為產(chǎn)業(yè)在未來5年到10年內(nèi)實現(xiàn)快速發(fā)展，邁向一個新的階段奠定了基礎(chǔ)。