據(jù)新華社6月29日報道,中國電子科技集團有限公司旗下中電科電子裝備集團有限公司(簡稱電科裝備)已實現(xiàn)國產(chǎn)離子注入機28納米工藝制程全覆蓋,有力保障我國集成電路制造行業(yè)在成熟制程領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)安全。
離子注入機是芯片制造中的關(guān)鍵裝備。在芯片制造過程中,需要摻入不同種類的元素按預(yù)定方式改變材料的電性能,這些元素以帶電離子的形式被加速至預(yù)定能量并注入至特定半導(dǎo)體材料中,離子注入機就是執(zhí)行這一摻雜工藝的芯片制造設(shè)備。
當前,28納米是芯片應(yīng)用領(lǐng)域中覆蓋面最廣的成熟制程。據(jù)介紹,電科裝備連續(xù)突破光路、控制、軟件等關(guān)鍵模塊的核心技術(shù),形成中束流、大束流、高能及第三代半導(dǎo)體等全系列離子注入機產(chǎn)品格局,實現(xiàn)了28納米工藝制程全覆蓋,切實保障***生產(chǎn)制造。
據(jù)了解,作為國內(nèi)最早從事離子注入設(shè)備研制及產(chǎn)業(yè)化的企業(yè),電科裝備已具備從產(chǎn)品設(shè)計到量產(chǎn)應(yīng)用的完整研制體系,產(chǎn)品涵蓋邏輯器件、存儲器件、功率器件、傳感器等工藝器件,百臺設(shè)備廣泛應(yīng)用于國內(nèi)各大集成電路先進產(chǎn)線,累計流片2000萬片,有力提升我國產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈韌性和安全水平。
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
335文章
28361瀏覽量
230344 -
納米
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
704瀏覽量
37850 -
芯片制造
+關(guān)注
關(guān)注
10文章
662瀏覽量
29419
原文標題:又一突破!電科裝備實現(xiàn)國產(chǎn)離子注入機28納米工藝制程全覆蓋
文章出處:【微信號:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),微信公眾號:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
【「芯片通識課:一本書讀懂芯片技術(shù)」閱讀體驗】了解芯片怎樣制造
離子注入工藝中的重要參數(shù)和監(jiān)控手段

光耦的制造工藝及其技術(shù)要求
TRCX:摻雜過程分析
一文了解半導(dǎo)體離子注入技術(shù)

離子注入的目的及退火過程
一種離子注入技術(shù):暈環(huán)技術(shù)介紹

SiC的離子注入工藝及其注意事項
晶合集成28納米邏輯工藝通過驗證
珠海鏨芯實現(xiàn)28納米FPGA流片
華瑞微電子科技榮獲離子注入機專利

評論