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關于驅動器/IC的峰值拉電流和灌電流能力

冬至子 ? 來源:Eric文天祥Aladdin阿拉丁 ? 作者:Eric Wen 老師 ? 2023-07-04 11:26 ? 次閱讀

在大功率應用場合,經常用到驅動器(包括隔離驅動器、有時這也稱專用驅動IC)。而衡量其驅動能力,說白了就, 能帶多大的管子的能力,體現在規格書中的一些參數中。

TI的這個AN給出了針對規格書參數的驗證方式。

源:TI ZHCA986A–June 2018–Revised March 2020

了解峰值源電流和灌電流 by Mateo Begue,高功率驅動器

由于數據表中的 IOH 和 IOL 規格柵極驅動器經常被混淆為連續電流源。例如,設計人員在查看UCC5320SC 時,可能會看到“4.3A 拉電流”和“4.4A 灌電流”參數, 并錯誤地認為這些器件能夠連續提供這些電流。柵極驅動器不需要提供恒定電流----這一點極為關鍵,其實試想下,如果要一直提供這么大的電流,那區區SO-8這樣的封裝遠遠不夠 ,因為它們僅需在切換MOSFETIGBT 的柵極時拉出/灌入電流。有關導通波形,請參考圖1。

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為了解IOH 和IOL 規格,我們需要查看器件內部的上拉和下拉結構。柵極驅動器的輸出級通常具有某種類似圖2的變體形式。UCC5320SC 采用分離輸出的引腳排列,因此設計人員更容易控制上升和下降時間,而無需添加諸如肖特基二極管之類的額外組件。

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在空載條件下,IOH 取決于VCC2 以及RNMOS 與ROH 的并聯組合,而IOL 由VCC2 和ROL 設定。RNMOS 有助于上拉結構輸送峰值電流,并在米勒平臺區域期間短暫增加峰值拉電流,如圖1 中的間隔3 所示。這是通過在輸出狀態從低電平變為高電平的狹窄瞬間開通N 溝道MOSFET 來實現的。將MOSFET 和IGBT 驅動為高電平時,外部柵極電阻器RON 和晶體管的內部柵極電阻RGFET_Int 會降低峰值輸出電流,如公式1 所示:

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同樣,峰值灌電流受制于外部柵極電阻器ROFF(與ROL和RGFET_int 串聯),并由公式2 確定

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此TI 技術手冊將使用隔離式單通道柵極驅動器UCC5320SC 和100nF 容性負載來演示用于確定峰值驅動電流的不同技術。第一種方法根據公式1 和公式

2 計算預期的峰值電流。在為系統選擇柵極驅動器時,可使用這些方程來估算峰值驅動電流。

為了在將MOSFET 或IGBT 安裝到PCB 之前對其驅動過程進行仿真,請選擇一個等效于開關輸入電容(CISS)的負載電容器。在驅動電壓條件下,從MOSFET 或IGBT 的數據表中查找所需的柵極電荷來確定輸入電容。

第二種方法使用此CISS 值以及開關波形的dV/dt 來確定拉電流或灌電流。圖3 使用游標來測量dV/dt,方法是將光標設置為固定的35ns 間隔并掃過上升沿以查找峰值dV/dt。原則上,將示波器的光標設置為時間間隔Δt(大約是上升時間的10%)以確定流過負載電容器的電流。

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使用測得的峰值dV/dt 和負載電容值,根據公式3計算峰值電流。

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第三種方法是在電容器和接地端之間插入一個0.1Ω 的電壓波形(VSENSE),其測量值與Vcap 波形的最高dV/dt值一致。

表1 列出了這三種方法的結果。即使與電容器串聯一個0.1Ω 的感應電阻器,公式1 估算出的拉電流為4.30A。公式3 使用柵極驅動波形線性區域中的最大測量dV/dt 值,得出的估計值為4.53A。在相同的線性區域中,圖4 測量了感應電阻兩端的電壓,并使用歐姆定律得出峰值IOH 為4.29A。

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第一種方法是選擇柵極驅動器時的良好起點,但它不是實際的測量值。第二種方法依賴于工程師通過使用固定Δt 并掃過整個波形來精確測量最高dV/dt。最后,在0.1Ω 感應電阻器上測得的電壓將為工程師提供一個值,該值是使用圖4 和歐姆定律根據峰值驅動電流測量值計算得出的。第三種測量方法的關鍵是選擇一個阻值較小的感應電阻器,以防止峰值輸出電流受到任何限制。所有提供的方法都是柵極驅動器峰值輸出電流的可接受近似計算方法。

重申一下,IOH 和IOL 不是連續直流值。峰值電流會在瞬間使CISS 充電或放電,然后在開關開通時減小值。

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