bg溫度曲線分析
Bandgap 電壓的表達(dá)式:
Bg 表達(dá)式第一項(xiàng): IR 曲線:
其中 B 是電阻的一階溫度系數(shù)(不考慮二階溫度系數(shù)、電阻電壓系數(shù)),dIR/dT 是 IR 對(duì)溫度求導(dǎo)是一個(gè)常數(shù), 所以IR是一條直線。圖4.1 中的藍(lán)色線(dVBE/dT)是 VBE 對(duì)溫度的導(dǎo)數(shù),由圖可知 dVBE/dT 隨溫度增大而增
大。
Bg 表達(dá)式第二項(xiàng) :VBE 曲線
哪些因素決定 VBE 曲線形狀?:
VBE 曲線的彎曲程度, 可能受到式(2.5) 高亮部分(設(shè)計(jì)中的可控量) 的影響。所以
接下來(lái),通過(guò)仿真分別分析, 三個(gè)參數(shù)給 bg 溫度曲線帶來(lái)的影響。
? Ro 的溫度系數(shù)“B”;
? 三極管比例“n: 1”中的“n”;
? 產(chǎn)生 PTAT 電流的電阻“Ro”的阻值。
這里沒(méi)有放入仿真驗(yàn)證過(guò)程,因?yàn)槊總€(gè)工藝參數(shù)不同(電阻的一階二階溫度系數(shù),三極管的尺寸、溫度系數(shù)等)
直接上某工藝下結(jié)論(僅供啟發(fā)參考)
-
三極管
+關(guān)注
關(guān)注
145文章
3651瀏覽量
123877 -
仿真器
+關(guān)注
關(guān)注
14文章
1033瀏覽量
84895 -
帶隙基準(zhǔn)電壓
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
4瀏覽量
6494
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
低溫漂CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源分析

高電源抑制的帶隙基準(zhǔn)源設(shè)計(jì)方案
基于LDO穩(wěn)壓器的帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)
基于BiCMOS工藝的帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)
一種高精度BiCMOS帶隙電壓基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)
基于汽車環(huán)境的帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)
14位Pipeline ADC設(shè)計(jì)的帶隙電壓基準(zhǔn)源技術(shù)

新型BiCMOS帶隙基準(zhǔn)電路的設(shè)計(jì)

帶隙電壓基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)與分析

cmos帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)

帶隙基準(zhǔn)是什么_帶隙基準(zhǔn)電路的優(yōu)點(diǎn)

評(píng)論