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FLASH和EEPROM之間的差異,使用閃存與EEPROM有什么優(yōu)缺點(diǎn)?

科技觀察員 ? 來(lái)源:英銳恩 ? 作者:英銳恩 ? 2023-07-10 10:57 ? 次閱讀

嵌入式系統(tǒng)中,F(xiàn)LASH和EEPROM能夠存儲(chǔ)可用于通信或執(zhí)行某些功能的數(shù)據(jù)。它們可以通過(guò)多種不同的串行協(xié)議(包括SPI或串行外圍設(shè)備接口)來(lái)連接存儲(chǔ)設(shè)備。單片機(jī)開(kāi)發(fā)工程師介紹,在單片機(jī)中也集成了多種不同類型的SPI存儲(chǔ)設(shè)備,包括FLASH和EEPROM。

在本文中,單片機(jī)開(kāi)發(fā)工程師將FLASH和EEPROM兩者之間的關(guān)系以及背景進(jìn)行了比較。

一、FLASH和EEPROM之間的差異

SPI閃存和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無(wú)需持續(xù)供電,即使關(guān)閉電源也能保存數(shù)據(jù)信息。它們都是電子可寫(xiě)和可擦除存儲(chǔ)器,用以存儲(chǔ)單片機(jī)的應(yīng)用程序及數(shù)據(jù)信息。這些數(shù)據(jù)可在芯片上或芯片外存儲(chǔ)信息。

盡管FLASH和EEPROM設(shè)備都可以存儲(chǔ)嵌入式設(shè)備中使用的信息,但是它們的體系結(jié)構(gòu)和用于讀取,寫(xiě)入和擦除數(shù)據(jù)的操作略有不同。而EEPROM指的是電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器是一種存儲(chǔ)器,可以在字節(jié)級(jí)別讀取,寫(xiě)入和擦除數(shù)據(jù)。另一方面,F(xiàn)LASH是EEPROM的一種,在結(jié)構(gòu)上以塊的形式排列,在塊中擦除數(shù)據(jù),并且可以在字節(jié)級(jí)別讀取或?qū)懭霐?shù)據(jù)。

二、使用閃存與EEPROM有什么優(yōu)缺點(diǎn)?

使用閃存或EEPROM設(shè)備有很多優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn):

單片機(jī)開(kāi)發(fā)工程師介紹,由于EEPROM以字節(jié)為單位運(yùn)行其擦除功能,因此這增加了清除和編輯設(shè)備所花費(fèi)的時(shí)間,但允許開(kāi)發(fā)人員在需要時(shí)編輯特定部分。閃存能夠擦除大量數(shù)據(jù),從而大大提高了擦除速度,并使設(shè)備可以更緊湊地存儲(chǔ)信息。但是,由于這個(gè)原因,它也失去了編輯某些字節(jié)的能力,從而迫使開(kāi)發(fā)人員在進(jìn)行任何更改時(shí)都重寫(xiě)整個(gè)數(shù)據(jù)塊。

在存儲(chǔ)設(shè)備上執(zhí)行多個(gè)擦除和寫(xiě)入周期將導(dǎo)致其最終隨著時(shí)間的推移而降級(jí)。使用EEPROM的優(yōu)點(diǎn)之一是使用壽命更長(zhǎng)。EEPROM在其生命周期內(nèi)最多可以執(zhí)行1000000個(gè)擦除/重寫(xiě)周期。根據(jù)閃存的類型,閃存的使用壽命會(huì)縮短,大多數(shù)閃存產(chǎn)品在磨損開(kāi)始惡化存儲(chǔ)完整性之前,能夠承受大約10000至1000000次擦除/寫(xiě)入循環(huán)。另外,就大小和成本而言,閃存具有比EEPROM更小的存儲(chǔ)單元尺寸,并且實(shí)現(xiàn)成本更低。

三、EEPROM和FLASH的類型

EEPROM和FLASH有不同類型。EEPROM支持串行和并行訪問(wèn),串行EEPROM通過(guò)I2C或SPI等串行協(xié)議進(jìn)行接口。因此,它包括數(shù)量有限的引腳,并且能夠在最少數(shù)量的線路上進(jìn)行操作-通常為2至4條。

并行EEPROM通過(guò)使用8位總線的并行通信進(jìn)行接口,并且需要額外的引腳才能運(yùn)行-通常最多28到32。盡管并行EEPROM的運(yùn)行速度比串行EEPROM要快,但由于其簡(jiǎn)單性,因此首選串行EEPROM,包括SPI和I2C EEPROM。I2C和SPI在眾多芯片中被廣泛使用。

單片機(jī)工程師介紹,閃存也有多種類型,其中最常見(jiàn)的是NAND和NOR閃存。NOR和NAND閃存為某些應(yīng)用提供不同的優(yōu)勢(shì)。NOR閃存提供更快的讀取速度和隨機(jī)訪問(wèn)功能,而NAND閃存更適合于快速寫(xiě)入和擦除數(shù)據(jù)。與NOR閃存相比,NAND閃存更常用,因?yàn)樗槍?duì)高密度存儲(chǔ)進(jìn)行了優(yōu)化,并且由于不具有隨機(jī)訪問(wèn)功能,因此能夠?qū)崿F(xiàn)更小的芯片尺寸和單位成本。

四、FLASH與EEPROM應(yīng)用

SPI閃存已在嵌入式行業(yè)中被廣泛使用,通常用于便攜式設(shè)備中的存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)傳輸。常見(jiàn)設(shè)備包括電話、平板電腦和媒體播放器,以及工業(yè)設(shè)備,如安全系統(tǒng)和醫(yī)療產(chǎn)品。閃存對(duì)于靜態(tài)數(shù)據(jù)應(yīng)用(例如USB閃存驅(qū)動(dòng)器)有大作用。而EEPROM在嵌入式應(yīng)用中也很常見(jiàn),并且經(jīng)常用于在計(jì)算機(jī)、電子系統(tǒng)和設(shè)備中存儲(chǔ)最少的數(shù)據(jù)量。

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