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中國團(tuán)隊成功實現(xiàn)12英寸二維半導(dǎo)體晶圓批量制備技術(shù)!

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 來源:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 2023-07-12 11:25 ? 次閱讀
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近日,《科學(xué)通報》以《模塊化局域元素供應(yīng)技術(shù)批量制備12英寸過渡金屬硫族化合物》為題,在線發(fā)表了松山湖材料實驗室/北京大學(xué)教授劉開輝、中國科學(xué)院院士王恩哥團(tuán)隊,松山湖材料實驗室/中國科學(xué)院物理研究所研究員張廣宇團(tuán)隊及合作者最新研究成果。

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研究團(tuán)隊提出模塊化局域元素供應(yīng)生長技術(shù),成功實現(xiàn)了半導(dǎo)體性二維過渡金屬硫族化合物晶圓批量化高效制備,晶圓尺寸可從2英寸擴(kuò)展至與現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝兼容的12英寸,有望推動二維半導(dǎo)體材料由實驗研究向產(chǎn)業(yè)應(yīng)用過渡,為新一代高性能半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展奠定了材料基礎(chǔ)。2023年7月4日,相關(guān)研究以“模塊化局域元素供應(yīng)技術(shù)批量制備12英寸過渡金屬硫族化合物”(Modularized Batch Production of 12-inch Transition Metal Dichalcogenides by Local Element Supply)為題,在線發(fā)表于《科學(xué)通報》(Science Bulletin)。

二維半導(dǎo)體是一種新興半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì),如層數(shù)依賴的可調(diào)帶隙、自旋-谷鎖定特性、超快響應(yīng)速度、高載流子遷移率、高比表面積等,因此成為新一代高性能電子、光電器件等變革性技術(shù)應(yīng)用中的重要候選材料。二維半導(dǎo)體材料以單層過渡金屬硫族化合物為代表。

與傳統(tǒng)半導(dǎo)體發(fā)展路線類似,晶圓材料是推動二維半導(dǎo)體技術(shù)邁向產(chǎn)業(yè)化的根基。如何實現(xiàn)批量化、大尺寸、低成本制備二維半導(dǎo)體晶圓是亟待解決的科學(xué)問題。研究人員提出了一種全新的模塊化局域元素供應(yīng)生長策略,實現(xiàn)了二維半導(dǎo)體最大到12英寸晶圓的批量化制備。

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圖a. 松山湖材料實驗室大尺寸單晶中試產(chǎn)線;b. 2-12英寸MoS2晶圓照片。

為了解決批量化制備的難題,研究人員在單層過渡金屬硫族化合物制備過程中,實驗設(shè)計將所需的多種前驅(qū)體與生長襯底以“面對面”模式組裝構(gòu)成單個生長模塊。過渡金屬元素與硫族元素按精確比例局域供應(yīng)至生長襯底,實現(xiàn)單層過渡金屬硫族化合物晶圓的高質(zhì)量制備。多個生長模塊可通過縱向堆疊組成陣列結(jié)構(gòu),實現(xiàn)多種尺寸晶圓薄膜的低成本批量化制備。

該研究成果為二維半導(dǎo)體晶圓的大尺寸、規(guī)模化制備提供了一種全新的技術(shù)方案,有望推動二維半導(dǎo)體走向產(chǎn)業(yè)應(yīng)用。

松山湖材料實驗室在前沿科學(xué)研究和創(chuàng)新樣板工廠兩大核心板塊都布局了二維半導(dǎo)體方向的研究。近三年來,輕元素先進(jìn)材料與器件團(tuán)隊和二維材料團(tuán)隊針對二維半導(dǎo)體晶圓制備和規(guī)?;骷?gòu)筑取得了系列進(jìn)展,在國際上引起了廣泛關(guān)注。

據(jù)了解,研究工作中用到的關(guān)鍵裝備——大尺寸單晶中試產(chǎn)線——是松山湖材料實驗室輕元素先進(jìn)材料與器件團(tuán)隊在實驗室創(chuàng)新樣板工廠項目和廣東省重點領(lǐng)域研發(fā)計劃項目支持下建設(shè)的面向單晶二維材料及單晶金屬箔材料產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化的中試生產(chǎn)裝備,能夠生產(chǎn)各類大尺寸單晶二維材料和單晶金屬箔材料,具備10000片/年/臺的生產(chǎn)能力;電學(xué)器件加工與測試則基于松山湖材料實驗室公共技術(shù)平臺下設(shè)的微加工與器件子平臺,其規(guī)劃超凈實驗室面積超過1000平方米,具備器件級全流程微納加工工藝整合開發(fā)測試能力。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:重要成果!中國團(tuán)隊成功實現(xiàn)12英寸二維半導(dǎo)體晶圓批量制備技術(shù)!

文章出處:【微信號:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),微信公眾號:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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