*1：截至2022年3月18日 ROHM調(diào)查數(shù)據(jù)

*2：此前發(fā)布的PrestoMOS已實現(xiàn)
*3：與TO-220FM同等封裝產(chǎn)品的比較

在工業(yè)設(shè)備和白色家電領(lǐng)域，要求進一步提升產(chǎn)品效率，這也就對功率半導(dǎo)體提出了進一步降低功率損耗的強烈需求。PrestoMOS R60xxVNx系列是對以往的PrestoMOS改進后的Super Junction MOSFET，不僅保持了PrestoMOS的特點——超快反向恢復(fù)時間，還進一步降低了導(dǎo)通電阻。

保持業(yè)界超快反向恢復(fù)時間，同時實現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻

PrestoMOS R60xxVNx系列通過采用ROHM新工藝降低了單位面積的導(dǎo)通電阻。導(dǎo)通電阻和反向恢復(fù)時間之間存在此消彼長的權(quán)衡關(guān)系，該系列產(chǎn)品在保持以往PrestoMOS已實現(xiàn)的業(yè)界超快反向恢復(fù)時間的同時，還成功地將導(dǎo)通電阻降低多達20%（與TO-220FM同等封裝的同等普通產(chǎn)品比較）。導(dǎo)通電阻和反向恢復(fù)時間性能的比較結(jié)果如下圖所示。

實現(xiàn)業(yè)界超快的反向恢復(fù)時間，開關(guān)損耗更低

通常，當(dāng)工藝向更微細的方向發(fā)展時，“導(dǎo)通電阻”等基本性能會得到改善，但“反向恢復(fù)時間”特性會變差。PrestoMOS R60xxVNx系列不僅實現(xiàn)了比同等普通產(chǎn)品更低的導(dǎo)通電阻，還利用ROHM自有的高速技術(shù)保持住了以往PrestoMOS已實現(xiàn)的105ns業(yè)界超快反向恢復(fù)時間（與TO-220FM同等封裝產(chǎn)品比較）。超快反向恢復(fù)時間可減少功率損耗，與同等普通產(chǎn)品相比，開關(guān)時的功率損耗可降低約17%。

下表中列出了此次發(fā)布的PrestoMOS R60xxVNx系列的7款機型和開發(fā)中的產(chǎn)品。另外，后面還列出了新增兩款機型的高速開關(guān)型R60xxYNx系列的亮點和產(chǎn)品陣容。為了便于客戶根據(jù)應(yīng)用需求選用合適的產(chǎn)品，ROHM正在致力于打造更加豐富的產(chǎn)品陣容。

PrestoMOS R60xxVNx系列產(chǎn)品陣容

測試條件：導(dǎo)通電阻60mΩ級產(chǎn)品、環(huán)境溫度25℃、輸入電壓220V、輸出電壓400V、L=500μH、頻率70kHz、關(guān)斷時的VDS過沖條

輸出功率（W）

☆: 開發(fā)中
※封裝名稱采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。（ ）內(nèi)表示ROHM封裝名，〈 〉內(nèi)表示GENERAL代碼。

高速開關(guān)型R60xxYNx系列的亮點和產(chǎn)品陣容

漏極電流密度更高，導(dǎo)通電阻顯著降低

與以往產(chǎn)品相比，單位面積的導(dǎo)通電阻降低了40%，Ron×Qgd降低了30%

這些性能的提升將非常有助于提高電源效率