開漏(open drain)(OC開集，OD開漏)

開漏電路概念中提到的“漏”就是指MOS FET的漏極。同理，開集電路中的“集”就是指三極管的集電極。

開漏電路就是指以MOS FET的漏極為輸出的電路。一般的用法是會在漏極外部的電路添加上拉電阻。完整的開漏電路應(yīng)該由開漏器件和開漏上拉電阻組成。組成開漏形式的電路有以下幾個特點：

1. 利用 外部電路的驅(qū)動能力，減少IC內(nèi)部的驅(qū)動。當(dāng)IC內(nèi)部MOSFET導(dǎo)通時，驅(qū)動電流是從外部的VCC流經(jīng)R pull-up ，MOSFET到GND。IC內(nèi)部僅需很小的柵極驅(qū)動電流。
2. 可以將多個開漏輸出的Pin，連接到一條線上。形成 “線與邏輯” 關(guān)系。如圖1，當(dāng)PIN_A、PIN_B、PIN_C任意一個變低后，開漏線上的邏輯就為0了。這也是I2C，SMBus等總線判斷總線占用狀態(tài)的原理。
3. 可以利用改變上拉電源的電壓，改變傳輸電平。如圖2, IC的邏輯電平由電源Vcc1決定，而輸出高電平則由Vcc2決定。這樣我們就可以用低電平邏輯控制輸出高電平邏輯了。
4. 開漏Pin不連接外部的上拉電阻，則只能輸出低電平(因此對于經(jīng)典的51單片機的P0口而言，要想做輸入輸出功能必須加外部上拉電阻，否則無法輸出高電平邏輯)。

圖1

圖2

推挽電路（圖騰柱電路）

推挽電路就是兩不同極性晶體管連接的輸出電路。推挽電路采用兩個參數(shù)相同的功率BJT 管或MOSFET 管，以推挽方式存在于電路中，各負責(zé)正負半周的波形放大任務(wù)，電路工作時，兩只對稱的功率開關(guān)管每次只有一個導(dǎo)通，所以導(dǎo)通損耗小效率高。推挽輸出既可以向負載灌電流，也可以從負載抽取電流。推挽電路適用于低電壓大電流的場合，廣泛應(yīng)用于功放電路和開關(guān)電源中。

將端口引腳置成推挽輸出方式，這將使能端口引腳驅(qū)動器。總體上來講，數(shù)據(jù)輸入端口引腳置成開漏方式、數(shù)據(jù)輸出端口引腳置成推挽方式。當(dāng)引腳用于輸出連接上拉電阻(也就是說當(dāng)與5V系統(tǒng)接口時)時配置成開漏輸出。