7月11日，據(jù)“中國光谷”微信公眾號消息，華工科技近期制造出了我國首臺核心部件100%國產(chǎn)化的高端晶圓激光切割設(shè)備。

據(jù)華工激光半導體產(chǎn)品總監(jiān)黃偉介紹，半導體晶圓屬于硬脆材料，在一個12英寸的晶圓上有數(shù)千顆甚至數(shù)萬顆芯片，晶圓切割和芯片分離無論采取機械或激光方式，都會因物質(zhì)接觸和高速運動而產(chǎn)生熱影響和崩邊，從而影響芯片性能，因此，控制熱影響的擴散范圍和崩邊尺寸是關(guān)鍵。

而機械切割的熱影響和崩邊寬度約20微米，傳統(tǒng)激光在10微米左右；此外，切割線寬的減少，意味著晶圓能做到更高的集成度，從而使得半導體制造更經(jīng)濟、更有效率。

自去年以來，黃偉團隊對半導體晶圓切割技術(shù)，展開微納米級激光加工的迭代升級、攻堅突破，“最忙時團隊20多人兩班倒輪流做測試實驗和產(chǎn)品優(yōu)化，設(shè)備24小時不停。”

經(jīng)過一年努力，華工科技制的半導體晶圓切割技術(shù)成功實現(xiàn)升級，熱影響降為0，崩邊尺寸降至5微米以內(nèi)，切割線寬可做到10微米以內(nèi)。成為了我國首臺核心部件100%國產(chǎn)化的高端晶圓激光切割設(shè)備，在半導體激光設(shè)備領(lǐng)域攻克多項中國第一。

按照生產(chǎn)一代、研發(fā)一代、儲備一代的理念，華工激光正在研發(fā)具備行業(yè)領(lǐng)先水平的第三代半導體晶圓激光改質(zhì)切割設(shè)備，計劃今年7月推出新產(chǎn)品，同時也正在開發(fā)我國自主知識產(chǎn)權(quán)的第三代半導體晶圓激光退火設(shè)備。

資料顯示，華工科技成立于1999年，擁有20000多平米的研發(fā)、中試基地，在海外設(shè)有3個研發(fā)中心，與華中科技大學共建有激光加工國家工程研究中心、國家防偽工程研究中心、敏感陶瓷國家重點實驗室。通過產(chǎn)學研用紐帶，華工科技牽頭制定國家“863”計劃項目、國家科技支撐計劃項目、十三五國家重大科技計劃專項等50余項，牽頭制定中國激光行業(yè)首個國際標準，獲得國家科技進步獎3項。

審核編輯：劉清