MOSFET是電路中非常常見的元件，常用于信號開關、功率開關、電平轉換等各種用途。由于MOSFET的型號眾多，應用面廣，本文將詳細介紹MOSFET選型原則以及mosfet選型要考慮的因素。

MOSFET選型原則

1、是N-MOS還是P-MOS：N-MOS性價比高

（1）從電路結構上看，低壓側開關選N-MOS，高壓側開關選P-MOS；

（2）從成本和便利性上看，N溝道MOSFET選擇的型號多，物料成本低；P溝道MOSFET選擇的型號較少，物料成本高；

（3）從性能上看，NMOS導通電阻小，發熱量更低，允許通過的電流大，應用場景也更廣泛，正激，反激、推挽、半橋、全橋等拓撲電路都能應用。

2、選取封裝類型：SMT器件生產效率高

（1）溫升和熱設計是選取封裝最基本的要求，基本原則就是在保證MOSFET的溫升和系統效率的前提下，選取參數和封裝更通用的型號；

（2）系統的結構尺寸限制；

（3）功耗或散熱方面的需求；

（4）生產、裝配、維修的效率和便利性。

3、選取耐壓BVdss：預留足夠的余量

（1）產品的額定電壓是固定的，MOSFET的耐壓選取也就比較容易，由于BVdss具有正溫度系數，在實際的應用中要結合這些因素綜合考慮。

（2）VDS中的最高尖峰電壓如果大于BVdss，即便這個尖峰脈沖電壓的持續只有幾個或幾十個ns，MOSFET管也會進入雪崩擊穿狀態而發生損壞。

（3）因此MOSFET管的雪崩電壓通常發生在1.2～1.3倍的BVDSS，而且持續的時間通常都是μs、甚至ms級，因此在選擇BVdss時需要留有足夠的余量。

4、選取Id電流：預留足夠的余量

（1）Id電流代表MOSFET能流過的最大電流，反映帶負載能力，超過這個值可能會因為超負荷導致MOSFET損壞。

（2）Id電流參數選擇時，需要考慮連續工作電流和電涌帶來的尖峰電流，確保MOSFET能夠承受最大的電流值。

（3）Id電流具有負溫度系數，電流值會隨著結溫度升高而降低，因此應用時需要考慮的其在高溫時的Id值能否符合要求。

5、選取柵極閾值電壓Vth：需結合電路需求選擇

（1）Vth是指當源極與漏極之間有指定電流時，柵極使用的電壓；

（2）Vth具有負溫度系數，選擇參數時需要考慮。

（3）不同電子系統選取MOSFET管的閾值電壓Vth并不相同，需要根據系統的驅動電壓，選取合適閾值電壓的MOSFET管。

（4）閾值電壓越高抗干擾性能越強，可以減少尖峰脈沖造成的電路誤觸發。

6、選取導通電阻Rds（on）：越低越好

（1）Rds（on）和導通損耗直接相關，RDSON越小，功率MOSFET的導通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。

（2）Rds（on）時正溫度系數，會隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds（on）電阻值會隨著電流增大輕微上升，因此選擇時需要留有余量。

（3）Rds（on）低的MOSFET通常成本比較高，可以通過優化驅動電路，改進散熱等方式，選用Rds（on）較大一些的的低成本器件。

7、選取寄生電容/柵電荷：Ciss、Coss、Crss；Qg、Qgd、Qoss：越小越好

（1）影響開關性能參數，最重要的是Ciss、Coss和Crss的電容，這些電容在工作時重復充放電產生開關損耗，導致MOSFET開關速度下降，效率降低。

（2）柵電荷反映存儲在端子間的電荷，在開關電路工作時，電容上的電荷會隨著電壓變化，因此設計柵極驅動電路時需要考慮柵極電荷的影響。

8、熱設計：按照最壞情況來設計

（1）確保MOSFET工作在開關狀態，關注封裝的半導體結與環境之間的熱阻，以及最高的結溫。

（2）設計人員需充分考慮最壞情況和真實情況，建議采用針對最壞情況的計算結果，確保系統不會失效。

（3）如果系統允許，盡量加大散熱器尺寸和選用更好的散熱方式，提升系統工作穩定性。

9、其他：

MOSFET選型時還需要關注開關時間（ton、toff）、內部寄生二極管、低頻跨導gm等參數。

mosfet選型要考慮哪些因素

1.根據應用環境決定可預知的參數，比如Vds-peak；Id（MAX）;Tamba；Rθj-a等參數。

2.選定V（BR）DSS；按照原則來說，V（BR）DSS約等于110%*Vds-peak。

3.選定ID；ID約等于（300%~500%）*ID（max）。

4.選擇Ron，Qg，Rth大者（這個要結合成本考慮選擇，在低成本可選擇的條件下，選擇大者）。

5.計算PD，這個要根據應用環境及上述選定的參數來進行計算。

6.計算耗散功耗約束：PD（max）

7.核算總PD是否符合功耗約束，如果PD相對于PD（max）太小或者太大都不可行，都要從第3部重新開始選擇；如PD與PD（max）基本接近，那么我們的初級選型就算是通過了。