在常規離子注入中，三氟化硼常用于形成P型淺結的注入不是B,因為BF2+離子大且重。B10H14,B18H22和硼烷（C2B10&或CBH）是研究中的大分子。使用大分子形成USJ有幾個好處。實現0.1keV高純能量離子束非常具有挑戰性，因為工程師需要將離子束加速到約5keV為磁質譜分析儀有效地隔離所需的離子種類，并通過4.9keV使離子束減速。加速和減速的電源電壓要求非常準確和穩定，以獲得統一的能量。

由于大分子明顯更大且更重，它們需要比BF2+或B+離子更高的能量形成統一的結深。很容易使離子束實現1keV甚至更高的統一能量，而要實現0.1keV離子束的統一能量比較困難。包括許多硼原子的大分子，比如，CBH有10個硼原子，可以在相同的電子束電流下達到比BF2+或B+離子高10倍的產量。大分子離子注入也引起了更嚴重的晶格損傷,從而減少了隧道效應和更好的結面控制。

等離子體浸置型離子注入（PIII）或等離子體摻雜（PLAD）系統已經被開發應用于低能量、高劑量的場合，如USJ和深溝槽應用。通常用等離子體源功率產生高密度等離子體電離摻雜氣體，而偏置電源加速離子到晶圓表面（見下圖）。最常用的PLAD摻雜氣體為B2H6，用于硼摻雜。等離子體源功率可以是射頻（RF）或微波（MW）系統。它可以用非常高的劑量摻雜晶圓，即使在最高的電子束電流下，劑量也可以很高。

離子注入需要長的注入時間，從而不能滿足產量的要求。PLAD不能選擇離子種類并精確控制離子的流量或劑量，因此，PLAD的主要應用是高劑量、非關鍵層離子注入，已被廣泛應用于DRAM芯片的多晶硅補償摻雜，也可以用于DRAM器件陣列的接觸注入。

在等離子體浸置型系統中，摻雜離子將轟擊晶圓并被注入到襯底內。摻雜離子流通量主要受微波功率控制，離子的能量主要由偏壓的射頻功率決定。通過磁鐵的電流將影響共振的位置，因此可以用于控制等離子體的位置，從而便可以控制摻雜的均勻性。

等離子體浸置型注入技術是一種低能量過程，離子能量一般小于1keV,所以對于亞0.1um器件的應用，PIII可以用于形成超淺結。與標準離子注入技術相比，等離子體浸置系統的缺點是無法選擇特殊的離子種類，其他的缺點為離子流量受等離子體位置和反應室壓力的影響，而且離子能量分布范圍很廣，不是離子注入機的尖峰狹窄型分布，所以等離子體浸置型注入系統很難精確控制摻雜物的濃度和結深。

審核編輯：劉清