碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機(jī)遇是無(wú)限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng),SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率,包括那些必須在惡劣環(huán)境下運(yùn)行的應(yīng)用。
與硅絕緣柵雙極晶體管(Si IGBT)相比,使用SiC進(jìn)行設(shè)計(jì)可在所有負(fù)載工作點(diǎn)實(shí)現(xiàn)非常高的效率,從而實(shí)現(xiàn)更小、功率密集的系統(tǒng),具有高可靠性和更低的系統(tǒng)級(jí)成本。然而,迄今為止,3300 V范圍內(nèi)的SiC選項(xiàng)還很少,這正是推出新型SiC Bare Die MOSFET的動(dòng)力。
效率對(duì)于中壓電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)至關(guān)重要,耐用性、緊湊性和減輕重量也同樣重要。這些SiC特性是降低整個(gè)系統(tǒng)、維護(hù)和運(yùn)營(yíng)成本的關(guān)鍵因素。
這些好處對(duì)各種日常場(chǎng)景和應(yīng)用產(chǎn)生了切實(shí)的影響:
火車(chē)和牽引系統(tǒng):動(dòng)力裝置,包括輔助動(dòng)力裝置(APU)和牽引動(dòng)力裝置(TPU),存在于許多不同類型的運(yùn)輸貨物和人員的車(chē)輛中,包括電動(dòng)巴士、輕軌列車(chē)、重型貨運(yùn)和運(yùn)輸車(chē)輛。電動(dòng)汽車(chē)同時(shí)配備APU和TPU,體積可能相當(dāng)龐大。碳化硅MOSFET使設(shè)計(jì)人員能夠構(gòu)建更小、功率密度更高的系統(tǒng),提供無(wú)與倫比的性能、更低的熱損耗和更高的可靠性。
工業(yè)不間斷電源(UPS):備用電源應(yīng)與主電源一樣高效,的碳化硅MOSFET與硅同類產(chǎn)品相比,損耗降低30%,系統(tǒng)成本節(jié)省高達(dá)15%,功率密度高出50%。最重要的是,它們是可靠的。使用SiC MOSFET的UPS系統(tǒng)可減少功率損耗并降低總體擁有成本,同時(shí)提高功率密度,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒏嗟膫溆秒娫囱b入單個(gè)外殼中,或者裝入更小、更輕的系統(tǒng)中,以適應(yīng)空間受限的環(huán)境。
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器:SiC的快速開(kāi)關(guān)和更低的損耗使其成為高效集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的理想選擇,因?yàn)樗乖O(shè)計(jì)人員能夠減小電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的尺寸并將其移近電機(jī),以降低成本并提高可靠性。
重型車(chē)輛:重型車(chē)輛的電氣化要求車(chē)輛的組件(包括高效逆變器)能夠處理更多的功率,同時(shí)繼續(xù)調(diào)節(jié)工作溫度。與Si IGBT解決方案相比,基于SiC的逆變器設(shè)計(jì)已證明可以顯著提高功率密度。SiC的熱管理功能有助于減少組件占地面積、提高性能和效率,并支持重載應(yīng)用逆變器的更高頻率運(yùn)行。
碳化硅可實(shí)現(xiàn)更小、更輕、更具成本效益的設(shè)計(jì),更有效地轉(zhuǎn)換能源并支持各種最終用途應(yīng)用。對(duì)于設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō),Gen3、3300 V裸芯片碳化硅MOSFET在系統(tǒng)和芯片層面都具有優(yōu)勢(shì)。
在系統(tǒng)層面,由于出色的導(dǎo)熱性而降低了冷卻要求,這意味著散熱器和風(fēng)扇等冷卻組件可以更小,從而減少系統(tǒng)的體積、重量和成本。通過(guò)在更高的開(kāi)關(guān)頻率下工作,儲(chǔ)能無(wú)源器件的尺寸以及牽引電機(jī)的諧波損耗也減小了。
在芯片級(jí),第3代3300 V碳化硅裸芯片MOSFET使用其固有的體二極管,從而與Si IGBT相比減少了材料清單(BOM)。與Si IGBT相比,SiC MOSFET在較低至-55°C至高達(dá)175°C的溫度范圍內(nèi)以更高的開(kāi)關(guān)速度運(yùn)行。
擁有超過(guò)近20年的碳化硅技術(shù)創(chuàng)新經(jīng)驗(yàn),以及作為值得信賴的碳化硅MOSFET垂直集成供應(yīng)商的良好記錄,使設(shè)計(jì)人員能夠構(gòu)建效率更高、外形尺寸更小、運(yùn)行溫度更高并降低設(shè)計(jì)復(fù)雜性的系統(tǒng)。探索我們的3300 V系列,了解碳化硅如何在您的電源設(shè)計(jì)中提供卓越的性能。
審核編輯:湯梓紅
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原文標(biāo)題:碳化硅MOSFET滿足大功率應(yīng)用需求!
文章出處:【微信號(hào):國(guó)晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC,微信公眾號(hào):國(guó)晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
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