大尺寸SiC單晶具有更大的晶片尺寸和更高的晶片質量，技術的不斷改進，為高性能SiC器件的制備提供更好的材料基礎，推動碳化硅技術在功率電子、射頻和光電子等領域的廣泛應用。

近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業網、第三代半導體產業主辦，西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟人才發展委員會、全國半導體應用產教融合（東莞）職業教育集團聯合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協辦。

期間，西安華合德新材料科技有限公司技術副總經理李灝文做了“面向低成本碳化硅功率器件用的大尺寸SiC 單晶技術”的主題報告。

碳化硅材料是制作高頻、高溫、抗輻射、大功率和發光器件的優異材料。具有高可靠、高溫、高電壓、大功率、節能等特點，應用優勢明顯。目前全球40%能量作為電能被消耗，而電能轉換最大耗散是半導體功率器件。

碳化硅（SiC）器件特別適合新能源汽車、深井鉆探、太陽能逆變器（實現直流與交流的轉換）、風能逆變器、工業驅動以及輕軌牽引等需要大功率電源轉換的應用。當前碳化硅在新能源汽車的滲透率只有24%，在光伏逆變器的滲透率只有20%，在軌道交通中只有2%。前景非常廣闊。

碳化硅晶片對下游外延和器件有諸多影響。報告指出，碳化硅晶體制備要求高，相對于Si，SiC的下游需要新的設備，并且引入新的工藝。碳化硅晶片技術將向擴大晶圓尺寸、改進碳化硅長晶工藝、切片工藝控制的方向發展。