目前，主流的閃存芯片通常在128層或232層進行堆疊。一些廠商如長江存儲已經成功研發并推出了232層閃存顆粒，其中使用了他們自己研發的晶棧Xtacking技術。這種技術通過兩次堆疊128層和125層閃存顆粒、去除一定冗余并合體的方式，實現了232層的閃存顆粒。

在最新的閃存峰會上，SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業界首家開發出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開發進展情況。與上一代238層512Gb NAND閃存相比，321層1Tb TLC NAND閃存的效率提高了59%。這是因為在同樣大小的芯片面積上，可以堆疊更多的數據存儲單元，從而實現更大的存儲容量，并增加每片芯片的產量。

未來，3D NAND Flash的發展方向主要集中在提高密度和增加層數。SK海力士在ISSCC 2023會議上提交了一篇論文，展示了他們如何開發出超過300層的3D NAND技術，并以創紀錄的194GBps的數據讀取速度。

SK海力士表示，他們將進一步完善321層NAND閃存技術，初步計劃在2025年上半年開始量產。這將推動閃存技術的發展，為存儲領域提供更高的性能和更大的容量。

編輯：黃飛